- •Чистота в электронном производстве
- •Факторы, определяющие чистоту
- •Основные источники загрязнений:
- •Основные отличительные характеристики чистых комнат:
- •Требования чистоты к ограждающим конструкциям
- •Параметры, относящиеся к микроклимату. Класс 10:
- •Влияние степени интеграции на требования к чистоте производственных помещений
- •Годы
- •Распределение технологических процессов по помещениям с определенным классом чистоты
- •Организация чистых комнат
- •Локальное обеспыливание ламинарным потоком
- •Очистка воздушной среды
- •Структура воздушного фильтра
- •Эффективность очистки воздуха
- •Токсичные газы в полупроводниковом производстве
- •Классификация материалов в зависимости от чистоты:
- •Вода полупроводниковой чистоты
- •Уровни очистки воды
- •Структура поверхности, взаимодействующей с реальной атмосферой
- •Загрязнение поверхности подложки
- •Методы очистки поверхности подложек
- •Растворы для жидкостной очистки подложек
- •Хранение пластин и подложек
Организация чистых комнат
Локальное обеспыливание ламинарным потоком
Очистка воздушной среды
- механические фильтры грубой очистки (циклоны или скрубберы — инерционное улавливание частиц мкм размера, сухое и влажное);
- специальные способы очистки: электрофильтры с коронирующими электродами или зарядка частиц воздушного потока за счёт движения с большой скоростью;
- волокнистый фильтрующий материал: многослойные тканевые фильтры или ткани Петрянова - полимерный волокнистый материал, 98 % пустоты – до 100 слоев.
Структура воздушного фильтра
Эффективность очистки воздуха
где C0 – концентрация частиц в очищенном воздухе,
мг/м3;
Cs – концентрация частиц в помещении, куда
подается воздух;
U0, Us – общий объем подаваемого и фильтруемого
воздуха, м3/час;
Md – число загрязняющих частиц, выделяющихся в
помещении, мг/час; η – коэффициент эффективности фильтрации
воздуха для повышения степени чистоты.
Токсичные газы в полупроводниковом производстве
Классификация материалов в зависимости от чистоты:
Ч – чистый, ~ 2 % примесей по массе;
ЧДА – чистый для анализа, не более 1 %;
ХЧ – химически чистый, 10-6 ÷ 10-1 %;
ОЧ – особо чистый, до 10-10 ÷ 10-1 %, делятся на группы:
А: А1 – 99,9 %, А2 – 99,99 %;
В: В3 – 99,999 %, …, В5 – 99,99999 %;
С: С6, …, С10.
Вода полупроводниковой чистоты
обладает удельным сопротивлением ρ ≈ 18 МОм;
количество частиц в 1 литре:
-частиц с размером больше 2 мкм быть не должно,
-1 – 2 мкм – не более 5 частиц на литр,
-0,5 – 1 мкм – не более 50 частиц на литр;
-должно быть не более: углеводородов – 30 ppb, микроорганизмов – 50 ppb, тяжелых металлов
– 0,5 ppb, частиц диоксида кремния – 5 ppb.
Уровни очистки воды
фильтрация крупных частиц;
обработка ультрафиолетовым излучением;
фильтрация частиц размером более 3 мкм;
фильтрация частиц размером более 0,2 мкм;
фильтрация через активированный уголь;
смягчение воды;
фильтрация обратным осмосом;
деионизация длительным пропусканием тока;
фильтрация через ионно-обменные смолы;
передача в резервуары для хранения либо на технологические линии.
Структура поверхности, взаимодействующей с реальной атмосферой
Основные классы загрязнений поверхности подложек:
-частицы;
-металлы;
-органика;
-летучие неорганические загрязнения;
-естественные окислы;
-микрошероховатость.
