- •ОГЛАВЛЕние
- •Предисловие авторов
- •Введение
- •Глава 1. Магнитные свойства вещества
- •§ 1.1. Условия возникновения самопроизвольной намагниченности
- •§ 1.2. Магнитные состояния вещества
- •§ 1.3. Причины возникновения доменной структуры
- •§ 1.4. Намагничивание ферромагнетиков внешним магнитным полем
- •§ 1.5. Классификация магнитных материалов
- •Контрольные вопросы по главе 1
- •Список рекомендуемой литературы по главе 1
- •Глава 2. Электромагнитные устройства
- •§ 2.1. Основные понятия и определения
- •§ 2.2. Требования к магнитопроводам электромагнитных устройств
- •§ 2.3. Конструкции магнитопроводов
- •§ 2.4. Материалы магнитопроводов электромагнитных устройств
- •§ 2.5. Статические электромагнитные устройства
- •Контрольные вопросы по главе 2
- •Список рекомендуемой литературы по главе 2
- •Глава 3. Постоянные магниты
- •§ 3.1. Назначение, способы намагничивания, стабильность характеристик
- •§ 3.2. Основные магнитные характеристики магнитотвердых материалов
- •§ 3.3. Примеры расчета индукции магнитного поля постоянных магнитов
- •§ 3.4. Материалы для изготовления постоянных магнитов
- •§ 3.5. Примеры использования постоянных магнитов
- •Контрольные вопросы по главе 3
- •Список рекомендуемой литературы по главе 3
- •Глава 4. Электромагнитные экраны и поглотители электромагнитных волн
- •§ 4.1. Электромагнитное экранирование: назначение, эффективность, типы экранов
- •§ 4.2. Физические основы электромагнитного экранирования
- •§ 4.3. Магнитные материалы для электромагнитных экранов
- •§ 4.4. Поглотители электромагнитных волн
- •Контрольные вопросы по главе 4
- •Список рекомендуемой литературы по главе 4
- •Глава 5. Запоминающие устройства
- •§ 5.2. Магнитные материалы, используемые в качестве запоминающих сред
- •§ 5.4. Магнитные ленты
- •§ 5.5. Жесткие магнитные диски
- •§ 5.6. Магниторезистивные запоминающие устройства
- •§ 5.7. Перспективные технологии создания запоминающих устройств с магнитной записью
- •Контрольные вопросы по главе 5
- •Список рекомендуемой литературы по главе 5
- •§ 6.1. Классификация, основные термины и определения
- •§ 6.2. Стабилизация и намагничивание магнитных и магнитореологических жидкостей
- •§ 6.3. Виды магнитных и магнитореологических жидкостей
- •§ 6.4. Магнитожидкостные герметизаторы
- •Расчет максимального перепада давлений, удерживаемого МЖГ
- •§ 6.5. Демпферы, муфты, амортизаторы, тормоза
- •§ 6.6. Магнитожидкостные сепараторы и устройства магнитореологической прецизионной обработки поверхности
- •§ 6.7. Магнитожидкостные датчики
- •§ 6.8. Жидкости с низкой концентрацией наноразмерных магнитных частиц
- •§ 6.9. Магнитные суспензии
- •Контрольные вопросы по главе 6
- •Список рекомендуемой литературы по главе 6
- •Глава 7. Вспомогательные устройства фидеров на основе ферритов
- •§ 7.1. Назначение, характеристика передаваемых волн, примеры устройств
- •§ 7.2. Физические эффекты, проявляющиеся при прохождении ЭМВ через намагниченный феррит
- •§ 7.3. Магнитные материалы, применяемые при создании вспомогательных устройств фидеров
- •§ 7.4. Неуправляемые вспомогательные устройства фидеров
- •§ 7.5. Управляемые вспомогательные устройства фидеров
- •Контрольные вопросы по главе 7
- •Список рекомендуемой литературы по главе 7
- •Глава 8. Электромагнитные датчики
- •§ 8.1. Назначение, области применения, типы и требования
- •§ 8.2. Датчики на основе магнитоупругого взаимодействия
- •§ 8.3. Индуктивные датчики
- •§ 8.4. Магниторезистивные датчики
- •§ 8.5. Индукционные датчики
- •Контрольные вопросы по главе 8
- •Список рекомендуемой литературы по главе 8
- •сокращения
- •Термины и определения
ния зерен размерами ~10…20 нм. Структура таких сплавов – смешанная (аморфно-кристаллическая). В состав этих материалов не входят дорогостоящие компоненты (Co, Ni). Нанокристаллические сплавы по удельному электрическому сопротивлению и частотному диапазону применения аналогичны аморфным сплавам. Номенклатура промышленно выпускаемых сплавов ограничена лентами толщиной, соответствующей толщине аморфных сплавов. Нанокристаллические сплавы обладают большими́ значениями индукции насыщения (до 1,7 Тл) и меньшими значениями коэрцитивной силы (0,1…0,2 А/м) по сравнению с аморфными сплавами на основе кобальта при сопоставимых значениях магнитной проницаемости (µн ~ 100 000).
Ферриты – сложные оксиды с кубической (феррит-шпинели) или гексагональной (гексаферриты) кристаллической структурой и общей формулой nМеО · Fe2O3. Применяемые в составе электромаг-
нитных экранов ферриты обычно изготавливаются по керамической технологии, из особо чистых порошков простых оксидов. Их отличительными особенностями являются высокая коррозионная стойкость и высокое удельное электрическое сопротивление (до 108 Ом ∙ м). Ферриты применяются для экранирования ЭМИ частотой 0,3…30,0 ГГц.
Параметры некоторых вышеперечисленных материалов рассматривались в § 2.4.
§ 4.4. Поглотители электромагнитных волн
Поглотители электромагнитных волн (ПЭВ) – устройства,
структуры, конструкции, выполненные из диэлектрических, ферритовых и иных радиопоглощающих материалов (РПМ), с целью обеспечения малых значений коэффициента отражения падающей ЭМВ в заданном диапазоне частот.
ПЭВ предназначены для поглощения электромагнитной энергии и за счет этого уменьшения ее отражения от проводящих поверхностей, что используется при создании радиотехнических систем (в том числе – антенн) и снижении радиолокационной заметности объектов (стелс-технология*).
* Стелс-технология (stealth-technology) используется при создании малозаметных объектов в условиях их наблюдения радиолокационными станциями, инфракрасными и лазерными системами.
131
Коэффициент отражения (радиоволны) – отношение указан-
ной составляющей напряженности электрического поля в отраженной радиоволне к той же составляющей в падающей радиоволне.
Коэффициент отражения ЭМВ от поверхности ПЭВ определяется выражением
R |
Еотр |
. |
(4.8) |
|
|||
|
Епад |
|
|
На практике коэффициент отражения принято выражать в децибелах, используя формулу
R 20 lg |
Еотр |
. |
(4.9) |
|
|||
|
Епад |
|
|
Характеристическое сопротивление – отношение поперечной составляющей напряженности электрического поля к поперечной составляющей напряженности магнитного поля. Если пренебречь продольными компонентами ЭМВ*, то характеристическое сопротивление ПЭВ можно рассчитать по формуле
Z |
|
|
E |
|
0 , |
(4.10) |
ПЭВ |
|
|||||
|
|
H |
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
где 0 – электрическая постоянная.
Характеристическое сопротивление воздуха Z0 120 377 Ом.
Соотношение ZПЭВ (определяется свойствами материала) с Z0
сказывается на значении коэффициента отражения R. Исходя из этого, можно сделать вывод о том, что невозможно создание ПЭВ, в состав которых входят только магнитные материалы, так как значение их магнитной проницаемости существенно увеличивает различие между значениями ZПЭВ и Z0 , что приводит к росту коэффициента
отражения. Уменьшение коэффициента отражения достигается за счет создания композитных материалов с магнитными частицами,
* ЭМВ, напряженности электрического и магнитного полей которой на поверхностях равных фаз обладают постоянной амплитудой, называется плоской однородной электромагнитной волной; такая волна не имеет продольных компонент.
132
размер и концентрация которых влияют на значение R и частотный диапазон, в котором он будет минимален.
Диапазон рабочих частот ПЭВ определяется используемыми материалами и конструкцией поглотителя. ПЭВ можно классифицировать по различным признакам, в частности по механизму поглощения электромагнитной энергии материалами, входящими в их состав:
–с резистивными потерями (обычно на основе проводящих модификаций углерода);
–с диэлектрическими потерями (на основе полярных диэлектриков, характеризующихся релаксационными механизмами поляризации: сегнетокерамика, поликристаллические ферриты, текстолит и др.);
–с магнитными потерями (на основе металлических ферромагнетиков и сплавов, а также поликристаллических ферритов).
Удельная мощность (в ваттах на кубический метр) магнитных потерь ЭМИ в случае, когда можно пренебречь продольными компонентами ЭМВ, может быть оценена по формуле
P fBm Hm sin м , |
(4.11) |
где Bm и H m – (амплитуды) магнитной индукции и напряженности магнитного поля; м arctg
– угол магнитных потерь. Отношение мнимой части комплексной магнитной проницаемости к действительной части
называется тангенсом угла магнитных потерь* (tg δм).
Из (4.11) следует, что увеличения потерь в материале на заданной частоте можно достичь выбором материала, имеющего большее значение мнимой составляющей комплексной магнитной проницаемости .
Мнимая составляющая комплексной магнитной проницаемости любого материала зависит от частоты (рис. 4.6). Как следует из зависимостей, максимальные магнитные потери наблюдаются:
– на частотах до 1 ГГц в магнитомягких феррит-шпинелях
(Mn–Zn и Ni–Zn);
* Тангенс угла магнитных потерь tg δм – широко используемый на практике параметр, характеризующий магнитные свойства материала.
133
Рис. 4.6. Частотные зависимости усредненных значений мнимой составляющей комплексной магнитной проницаемости для некоторых типов магнитных наполнителей ПЭВ
–в диапазоне 1…10 ГГц в магнитотвердых ферритах (Со- феррит-шпинели и гексаферриты);
–на частотах свыше 10 ГГц в карбонильном железе.
В широком диапазоне частот используются ПЭВ на основе никеля и кобальта, которые вкраплены в матрицу гидрогенизированного аморфного углерода в виде кластеров, имеющих диаметр от единиц до десятков нанометров.
Такие покрытия толщиной до нескольких микрометров наносятся на диэлектрическую подложку (например, на полиэмидную пленку или кевлар* и др.) и обеспечивают при нанесении одного слоя снижения коэффициента отражения на 2…3 дБ для ЭМИ частотой 10…80 ГГц. Для создания ПЭВ необходимо использовать несколько слоев такого материала.
Увеличить эффективность работы ПЭВ можно путем реализации в них нескольких механизмов потерь энергии ЭМИ за счет использования:
– многослойных структур, состоящих из чередующихся в различной последовательности слоев, обладающих магнитными, про-
* Кевлар – ткань пара-арамидного (полипарафенилен-терефталамид) волокна.
134
водящими диэлектрическими свойствами или заданным сочетанием таких свойств;
–различных наполнителей, вкрапленных в диэлектрическую связующую матрицу и обладающих различными механизмами поглощения ЭМИ.
Из многообразия технологий, используемых для создания ПЭВ, необходимо выделить:
–технологию магнетронного распыления;
–керамическую технологию с последующим измельчением для получения порошков заданного гранулометрического состава и смешивания компонентов;
–технологии переработки пластмасс: экструзию, каландрование (или вальцевание), прессовку, литье под давлением;
–микрометаллургические технологии и др.
Технологию вакуумного магнетронного распыления использу-
ют для нанесения тонких пленок поглощающих покрытий на основе композитов из нанокластеров магнитных материалов в матрице гидрогенизированного аморфного углерода [α-CH:(Co), α-CH:(Ni), α- CH:(Co, Ni)]. Такие структуры получают одновременным распылением в аргонно-водородной среде графита и магнитного металла. Подложками для покрытий могут служить полимерные пленки или ткани, которые за счет своей гибкости и других механических свойств позволяют значительно расширить конфигурацию создаваемых ПЭВ. В зависимости от технологических режимов распыления можно получать кластеры Со, имеющие различные размеры.
Примеры атомно-силовых изображений поверхностей покрытий, получаемых при различных средних размерах кластера кобальта, приведены на рис. 4.7. Видно (рис. 4.7, б), что в таком покрытии может наблюдаться эффект самоорганизации в виде упорядочения расположения отдельных кластеров.
Покрытия, получаемые таким методом, имеют толщину 1…3 мкм и позволяют обеспечивать в частотном диапазоне 5…40 ГГц среднее значение коэффициента отражения –2…–5 дБ. Используя несколько таких слоев можно создать ПЭВ с коэффициентом отражения до –12…–18 дБ.
135
а |
б |
Рис. 4.7. Атомно-силовые изображения поверхностей покрытий со средним размером кластера кобальта: а – (100…150) нм; б – (40…60) нм
Керамическая технология позволяет получать ферриты широкой номенклатуры, которые доводятся до необходимого гранулометрического состава различными способами измельчения.
Композитные материалы на основе полимерных матриц со-
здают по технологиям переработки пластмасс путем добавления в исходные смеси ферромагнитных порошков.
Микрометаллургическая технология основана на одновремен-
ной плавке металла и стекла с последующим быстрым охлаждением; она позволяет получать наноструктурированный ферромагнитный микропровод в стеклянной изоляции. Микропровод, содержащий сердечник из аморфных металлических сплавов на основе переходных металлов (Fe, Co, Ni) толщиной 2…30 мкм и стеклянную изоляцию толщиной 5…10 мкм, разработан в АО «ЦКБ РМ» (Россия). Такой материал входит в состав РПМ марки МРПК-1Л, который обеспечивает коэффициент отражения не хуже –17 дБ в рабочем диапазоне частот 2…150 ГГц.
Коэффициент отражения можно снизить за счет использования экранов, имеющих поверхность в виде выступающих пирамид (конусов, шипов и др.), высота которых определяет максимальную длину волны эффективно экранируемого ЭМИ.
Пирамиды с углом при вершине 30…90° обеспечивают переотражения падающей ЭМВ, в результате которых уровень поглощения увеличивается (рис 4.8). При изготовлении пирамид используются различные технологические приемы (пропитка, напыление
136
а |
б |
Рис. 4.8. Поглотитель электромагнитных волн: а – изображение пирамидального поглотителя; б – отражение ЭМВ от поверхности пирамидальных поглотителей
резистивной пленки, заполнение РПМ и др.). В результате в конструкцию ПЭВ вводятся поглощающие ЭМИ материалы (ферриты, графит и др.). Пирамиды монтируются на основании, выполненном из отражающих или поглощающих ЭМИ материалов, в составе которых могут использоваться магнитные материалы.
Высота пирамид h определяет количество отражений и выбирается в зависимости от длины волны λ и заданного уровня поглощения ЭМИ. Достичь снижения коэффициента отражения на 20 дБ можно, используя пирамиды, имеющие h = (0,5…0,6) λ; на 50 дБ – h = (7,0…10,0) λ.
Пирамидальные поглотители выпускаются различных геометрических размеров, которые выбирают, исходя из длины волны экранируемого ЭМИ. Чем больше длина волны (меньше частота) ЭМИ, тем больших размеров пирамиды необходимо использовать. Так, например, для поглощения ЭМИ в диапазоне частот 30 МГц…1 ГГц используют пирамиды высотой 2000 мм и более, а для измерений на частотах выше 1 ГГц достаточно пирамидальных поглотителей вы-
сотой 200...300 мм.
§4.5. Примеры применения электромагнитных экранов
ипоглотителей электромагнитных волн
Экранирование компонентов РЭА. При экранировании транс-
форматоров питания, низкочастотных (звуковых, кадровых) трансформаторов, дросселей питания и других компонентов РЭА обычно
137
требуется одновременное экранирование электрических и магнитных полей. Магнитный поток в таких элементах в основном замыкается по магнитопроводу. Вместе с этим часть магнитного потока замыкается по воздуху, создавая поток рассеяния, что приводит к возникновению электромагнитных помех, влияющих на индуктивные катушки, замкнутые контуры цепей и другие элементы РЭА. Снизить создаваемые трансформаторами и дросселями потоки рассеяния можно экранированием. На рис. 4.9, а приведено схематическое изображение трансформатора, в конструкции которого использован многослойный экран, состоящий из короткозамкнутого магнитостатического экрана 1 (сталь или пермаллой) и электростатического экрана 2 (алюминий или медь). На рис 4.9, б представлен внешний вид аудиотехнического трансформатора компании «Wanji» (Китай) с электростатическим и магнитостатическим экранами.
а |
б |
Рис. 4.9. Трансформатор, защищенный магнитостатическим
иэлектростатическим экранами: а – схематичное изображение;
б– внешний вид изделия компании «Wanji» (Китай)
Лабораторные помещения. Измерение магнитных характеристик биологических объектов, образцов горных пород и т. п. требует экранирования внешних магнитостатических полей, создаваемых естественными и искусственными источниками. Необходимая для таких измерений эффективность экранирования (Э ≥ 106) может быть получена в специальных помещениях, защищенных снаружи многослойными магнитостатическими экранами. Внешний вид экранированного помещения для магнитных измерений приведен на рис. 4.10.
138
Стены такого помещения представляют собой две оболочки из ферромагнитного сплава (например, пермаллоя), разделенные слоем металла с высокой удельной электрической проводимостью (например, Al). Каждая оболочка включает в себя несколько разделенных воздушным зазором листов ферромагнетика. Экранированное помещение, созданное в Национальном институте метрологии Германии (Physikalisch Technische Bundesanstalt, PTB), обес-
печивает Э ≥ 80 000 в диапазоне частот ЭМП 0,01…10,00 Гц.
Безэховые камеры. Безэховые камеры (БЭК) – специальные экранированные объемы (помещения), предназначенные для испытаний радиоэлектронного оборудования и иных технических средств на электромагнитную совместимость. Внутри безэховая камера полностью или частично покрыта ПЭВ. Внутреннюю поверхность БЭК можно разделить на две зоны: безэховую зону (зону молчания, рабочую зону), внутри которой максимально ослаблены паразитные поля и производятся измерения, и зону излучения с размещенными передающими устройствами. БЭК обеспечивают получение достоверных результатов измерений в обстановке сильного электромагнитного загрязнения естественным и техногенным фоном, а также могут использоваться для защиты информации.
БЭК подразделяются на полностью безэховые и полубезэховые.
Полностью безэховая камера – экранированное помещение,
внутренние поверхности которого полностью покрыты поглощающим ЭМВ материалом. Этот тип безэховой камеры соответствует свободному пространству и применяется, в том числе, при испытаниях эффективности экранирования РПМ методом измерения потерь на отражение.
Полубезэховая камера – экранированное помещение, внутренние поверхности которого покрыты поглощающим ЭМВ материа-
139
лом, за исключением пола (пластины заземления), который должен отражать ЭМВ.
Вид внутреннего пространства полностью безэховой камеры, предназначенной для проведения измерений в диапазоне 0,5…20,0 ГГц, приведен на рис. 4.11.
Рис. 4.11. Внутреннее пространство полностью безэховой камеры
Стены полностью безэховой камеры облицованы ПЭВ, внешняя поверхность которых с одной стороны представляет собой усеченные пирамиды. Такая конструкция позволяет увеличить внутренний объем камеры, повысить прочность и эргономичность применяемого материала. Для компенсации изменения геометрии (в результате использования усеченных пирамид) под пирамидальными поглотителями расположены плиты, выполненные из ферритового РПМ.
Снижение радиолокационной заметности (стелс-техноло-
гия). Магнитные материалы используются для снижения радиолокационной заметности объектов военной техники, преимущественно самолетов и кораблей. Например, при создании ударного самолета «Локхид F-117» (рис. 4.12, а) использовались:
140
а |
б |
Рис. 4.12. Боевые самолеты со сниженной радиолокационной заметностью:
а– «Локхид F-117» (США); б – СУ-57 (Россия)
–порошки ферритов, заключенные в полимерной матрице, для облицовки фюзеляжа;
–ферритовые микросферы для заполнения зазоров между наклеенными на поверхность фюзеляжа плитами РПМ.
Снижение радиолокационной заметности также достигается за счет использования радиопоглощающих красок (например, на основе микросфер карбонильного железа или частиц ферритов) или жидких сред, в которых распределены магнитные частицы (применяются в ВВС США).
Различные технологии снижения радиолокационной заметности использованы при производстве перспективного российского многофункционального истребителя пятого поколения СУ-57 (см.
рис. 4.12, б).
Оборудование кабинетов магниторезонансной томографии
(МРТ). Магнитные материалы применяются в составе магнитостатических экранов и ПЭВ, предназначенных для защиты обслуживающего персонала от воздействия магнитной компоненты электромагнитного поля. Магнитные поля, напряженность которых превышает предельно допустимые значения, могут создаваться при использовании технологического, диагностического и иного оборудования. Постоянное магнитное поле влияет на ткани организма человека через диа- и парамагнитные эффекты, а переменное и импульсное, кроме того, – через электрические токи, генерируемые ими. Для защиты персонала от воздействия магнитных полей необходимо применять экранирование. Примером использования магнитных экранов, защищающих человека
впроцессе его работы от воздействия электромагнитного поля, является оборудование кабинетов МРТ (рис. 4.13).
141
Рис. 4.13. Вид помещения для МРТ
Магнит томографа располагают внутри магнитного экрана, еще один магнитный экран окружает кабинет, в котором проводят обследование. Для экранирования магнитного поля при проведении МРТ используются преимущественно стальные экраны.
Уменьшение воздействия источников ЭМИ в местах дли-
тельного пребывания людей. Воздействие ЭМИ на человека вследствие научно-технического прогресса постоянно увеличивается – как по интенсивности, так и по разнообразию характеристик. К группам повышенного риска можно отнести жителей городов, в которых широко распространены сотовая связь, радио и телевещание. Возможные последствия воздействия ЭМИ на человека могут проявиться через несколько лет продолжительного облучения и сказываются на новых поколениях.
Санитарными нормами для производственных помещений установлены предельно допустимые на рабочих местах уровни напряженности магнитного поля, составляющие 8 кА/м (постоянное поле), 80 А/м (переменное поле 50 Гц), 50 А/м (0,03…3,00 МГц), 3 А/м (30…50 МГц). В диапазоне частот 0,3…300,0 ГГц нормируемой величиной является плотность потока энергии ЭМИ, которая составляет 10 мкВт/см2.
142
ЭМИ может стать причиной целого ряда заболеваний, в первую очередь онкологических, неврологических и сердечно-сосудистых. Например, частота передачи сигналов по волокнам нервных пучков организма человека (250…2000 Гц) совпадает с частотами передачи пакетов информации, трансформируемых базовыми станциями сотовой связи, что может вызывать нарушения нервной системы.
Основная энергия излучения базовых станций (˃ 90 %) направлена в сторону от сооружений, на которых находятся антенны, и выше прилегающих построек. Несмотря на это, волны, используемые в сотовой связи (λ = 33 и 17 см для частот 900 и 1800 МГц соответственно), преломляясь и/или отражаясь от поверхностей зданий и сооружений, могут проникать и концентрироваться в местах длительного пребывания людей.
Предотвратить влияние ЭМИ за счет введения в отделочные материалы (штукатурка, краски, панели, обои и др.) металлических элементов нецелесообразно, так как их использование приводит к переотражению электромагнитных волн от стен зданий и их возможному фокусированию в определенных точках. В этом случае необходимо применять различные сочетания порошков материалов, поглощающих ЭМИ: магнитных (ферриты, карбонильное железо и др.) или немагнитных (графит). Введение поглощающих компонентов обеспечивает дополнительное уменьшение энергии ЭМИ и устраняет эффект фокусирования.
В большей степени для решения такой задачи подходят штукатурки и шпатлевки (по сравнению с красками). Толщина слоев штукатурки обычно варьируется в пределах 5…15 мм, а слоев шпатлевки – 1…6 мм, что позволяет, вводя в них различные наполнители (в том числе и магнитные), создавать эффективные РПМ.
§ 4.6. Методы измерения параметров электромагнитных экранов, поглотителей электромагнитных волн
и материалов, входящих в их состав
Необходимость измерения электрофизических и электродинамических характеристик магнитных материалов (в том числе – применяющихся для электромагнитного экранирования и создания ПЭВ) возникает в случае разработки новых составов и структур или в случае
143
контроля соответствия характеристик заданным техническими условиями (при производстве) или данным паспорта (при приобретении).
Эффективность применения магнитного материала для создания электромагнитного экрана или ПЭВ можно оценить по значениям комплексной диэлектрической и комплексной магнитной проницаемостей, которые рассчитываются на основании результатов измерений различных параметров: индуктивности, тангенсов угла магнитных и диэлектрических потерь, S-параметров* и др.
Существует ряд методов, которые позволяют проводить исследования как образцов магнитных материалов, так и фрагментов экранов или ПЭВ. На этапах выбора и разработки материалов для снижения времени и затрат используют методы исследования образцов материалов. После оптимизации состава и структуры целесообразно изготавливать фрагменты экранов или ПЭВ. В табл. 4.2 приведены некоторые основные методы контроля параметров образцов магнитных материалов и фрагментов электромагнитных экранов или ПЭВ на их основе.
Индуктивный метод используется для определения комплексной магнитной проницаемости. На образец материала, имеющего форму кольца тороида или стержня, наматывают катушку. По изменению индуктивности и затуханию колебаний вычисляют значения µ' и µ''. Индуктивный метод используется на частотах до 50 МГц. Наиболее точные значения магнитной проницаемости получаются при использовании кольцевых образцов, так как магнитный поток при такой схеме измерений однороден и сосредоточен внутри образца. Недостаток этой схемы связан с тем, что для создания индуктивной катушки провод наматывается на образец при каждом измерении, причем количество витков уменьшается при увеличении частоты, на которой проводят измерения.
Коаксиальный метод позволяет измерять как параметры ЭМВ, отраженной от кольцевого образца, так и параметры ЭМВ, прошедшей через образец. Измерение параметров падающей и отраженной волн на входах устройства сводится к определению S-параметров. Исходя из полученных значений S-параметров, определяются комп-
* S-параметры – элементы матрицы рассеяния многополюсника (см. подробнее в § 7.1).
144
|
|
|
|
|
Таблица 4.2 |
Методы измерения электрофизических параметров |
|||||
|
магнитных материалов и образцов |
|
|||
|
|
|
|
|
|
Наименование |
Объект |
Частота, |
Точность, |
|
Схематичное |
метода |
|
Гц |
% |
|
изображение |
Индуктивный |
|
101…107 |
≥ 5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Коаксиальный |
экрана |
1 · 106… |
1…2 |
|
|
2 · 1010 |
|
|
|||
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
электромагнитного |
|
|
|
|
|
(8…12) ∙ 109 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(12…18) ∙ 109 |
|
|
|
Волноводный |
|
(18…26,5) ∙ 109 |
1…2 |
|
|
|
|
(26,5…40) ∙ 109 |
|
|
|
|
|
(33…50) ∙ 109 |
|
|
|
Резонаторный |
материала |
– |
0,2…0,5 |
|
|
|
|
|
|||
|
Образец |
|
|
|
|
Микро- |
(1…18) ∙ 109 |
5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
полосковый |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Метод |
|
|
|
|
|
копланарной |
|
(0,05…110) ∙ 109 |
2 |
|
|
линии |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Метод |
|
|
|
|
|
приемо- |
экрана |
(0,5…60) ∙ 109 |
5…10 |
|
|
антенн |
|
|
|||
передающих |
|
|
|
|
|
|
Фрагмент |
|
|
|
|
Радио- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
волновой |
|
|
|
|
|
метод |
|
(0,1…80) ∙ 109 |
10 |
|
|
свободного |
|
|
|
|
|
пространства |
|
|
|
|
|
Примечание. 1 – образец материала или фрагмент электромагнитного экрана
145
лексные диэлектрическая и магнитная проницаемости. Метод широко распространен, его достоинствами являются широкополосность и высокая точность. К недостаткам можно отнести:
–необходимость изготовления образцов с высокими значениями допусков размеров и класса шероховатости поверхности, что затрудняет использование при измерениях хрупких и пористых материалов;
–невозможность измерения параметров образцов проводящих материалов, так как при их установке в ячейку возникает электрический контакт между центральным и внешним проводниками (ячейка «закорачивается»).
Волноводный метод измерения предусматривает расположение
образца в виде пластины в волноводном тракте. Исходя из измеренных S-параметров, определяются и . Достоинство метода заклю-
чается в возможности измерения диэлектрической и магнитной проницаемостей на частотах, больших, чем частоты, которые можно использовать при коаксиальном методе измерений. Недостаток метода связан с необходимостью изготовления и использования оригинальной ячейки и образца, соответствующего ей по размерам, при проведении измерений в каждом частотном диапазоне (см. табл. 4.2).
Резонаторный метод основан на измерении резонансной частоты измерительной ячейки (резонатора) при наличии (fобр) и отсутствии (f0) образца, расположенного в точке максимума напряженности элек-
трического или магнитного поля. При помещении образца в резонатор изменяется как положение резонансного пика, так и его амплитуда. Значения и µ рассчитываются на основании соотношения f0 и fобр. Достоинство метода заключается в наибольшей точности определения диэлектрической и магнитной проницаемостей по сравнению со всеми известными методами. Недостатки – невозможность одновременного определения и и проведения измерений только на одной фиксированной частоте, на которую рассчитана измерительная ячейка.
Микрополосковый метод измерений предусматривает размещение образца на микрополосковой линии или между микрополоском и заземляющим основанием. Измеряются отраженная и прошедшая через образец ЭМВ. Определение диэлектрической и магнитной проницаемостей производится на основе S-параметров. Достоинства метода:
146
–широкополосность (частотный диапазон 1…18 ГГц);
–возможность использования для измерений параметров тонких пленок, полученных на подложках, применяемых в лабораторных условиях (кремний, ситалл, полимерные пленки и т. п.)
Недостатком метода является сложность аналитических расчетов, дающая большую́ погрешность по сравнению с коаксиальным и волноводным методами.
Копланарный метод основан на использовании копланарной линии и предполагает расположение образца на измерительной ячейке. Сущность метода состоит в измерении ЭМВ, отраженной от образца, и ЭМВ, прошедшей через линию, нагруженную образцом. Диэлектрическая и магнитная проницаемости определяются на основе полученных значений S-параметров. Достоинством метода является возможность измерений в широком диапазоне частот. Недостаток заключается в сложности аналитических расчетов, увеличивающих погрешность определения значений.
Метод приемопередающих антенн может использоваться как при расположении антенн на минимальном расстоянии друг от друга, так и на расстояниях, позволяющих разместить образец в дальней зоне. Измерительная ячейка представляет собой две размещенные напротив друг друга антенны, между которыми располагается исследуемый образец. Для определения диэлектрической и магнитной проницаемостей измеряются S-параметры. Достоинства метода:
–максимальное приближенность к условиям эксплуатации реальных экранов;
–не требует изготовления специальных образцов с жесткими требованиями к размерам и шероховатости поверхности.
Недостатки:
–при измерении в дальней зоне* (т. е. когда расстояние от образца до антенн должно быть больше 2D2/ , где D – апертура антенн**; – длина волны) требуется помещение большого объема;
*Возможность использования метода в ближней зоне затруднена сложностью математических расчетов, которые необходимо проводить для снижения влияния паразитных интерференционных явлений.
**Апертура (в антенной технике) – условная плоская излучающая или принимающая излучение поверхность антенн.
147
