
- •Тема: «Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов.»
- •Санкт-Петербург
- •Образец 1 – :
- •Вычислим проводимость и фотопроводимость полупроводника для каждого значения ширины щели. Результаты запишем в таблицу 1.4.
- •Образец 2 – e:
- •Вычислим проводимость и фотопроводимость полупроводника для каждого значения ширины щели. Результаты запишем в таблицу 4.
Вычислим проводимость и фотопроводимость полупроводника для каждого значения ширины щели. Результаты запишем в таблицу 4.
Пример расчёта:
Таблица 1.6. Образец №2.
d, мм |
RC, Мом |
γс, мкСм |
γф, мкСм |
d/dmax, o.e. |
0,01 |
15,69 |
0,06373 |
0,00012 |
0,0025 |
0,02 |
13,36 |
0,0749 |
0,0112 |
0,005 |
0,03 |
1,3 |
0,7692 |
0,7056 |
0,0075 |
0,05 |
0,16 |
6,2500 |
6,1864 |
0,0125 |
0,1 |
0,05 |
20,0000 |
19,9364 |
0,025 |
0,2 |
0,024 |
41,6667 |
41,6031 |
0,05 |
0,3 |
0,017 |
58,8235 |
58,7599 |
0,075 |
0,5 |
0,011 |
90,9091 |
90,8455 |
0,125 |
1 |
0,007 |
142,8571 |
142,7935 |
0,25 |
2 |
0,004 |
250,0000 |
249,9364 |
0,5 |
4 |
0,0035 |
285,7143 |
285,6507 |
1 |
По данным таблиц 1.5 и 1.3 построим спектральную зависимость фотопроводимости образца №1 и образца №2, откладывая по оси абсцисс значения
, а по оси ординат относительную фотопроводимость
где
– максимальное значения приведенных фотопроводимости для каждого из исследованных образцов.
Рисунок 2 - спектральная зависимость фотопроводимости
По спектральной зависимости определим красную границу фоторезистивного эффекта для двух образцов. Так как экспериментальная характеристика имеет размытую длинноволновую область, примем равной
, при которой фотопроводимость равна половине ее значения при
:
По полученным значениям вычислим энергии активации фотопроводимости для двух образцов:
По данным таблиц 2 и 4 построим световую характеристику, откладывая по оси абсцисс
, где
– максимальная ширина щели, а по оси ординат
.
Рисунок
3 - световая характеристика
ВЫВОД:
в ходе обработки экспериментальных
были рассчитаны световые и темновые
проводимости сульфида и селенида кадмия.
На основе полученных данных найдены
значения фотопроводимостей для каждого
из образцов. Были найдены значения
относительной фотопроводимости и на
их основе построена спектральная
зависимость фотопроводимость от длины
волны. По ней найдены пороговые значения
длины волны – красные границы
фотопроводимости для каждого из образцов.
Значения для сульфида кадмия,
а
для селенида кадмия –
.
Так же была построена световая
характеристика исследуемых образцов,
которая имеет вид логарифмической
убывающей зависимости и отличается от
теоретической тем, что изначально она
должна иметь линейный вид, а позже –
выход на насыщение, вследствие создания
рекомбинационных центров.