Обработка результатов
Рассчитаем удельное сопротивление
и удельную проводимость
исследуемых
полупроводниковых материалов для
каждой экспериментальной точки. Приведем
пример расчета удельных сопротивления
и проводимости для Германия при
температуре 25 ◦С.
Для удобства сведем все расчеты в
таблицу:
Таблица 3.
|
|
|
||||||
|
Si |
Ge |
SiC |
InSb |
Si |
Ge |
SiC |
InSb |
25 |
0,0073 |
0,0193 |
0,93 |
0,0032 |
1366,1 |
519,0 |
1,08 |
3096,0 |
35 |
0,0076 |
0,0201 |
0,74 |
0,0029 |
1315,8 |
496,7 |
1,36 |
3448,3 |
45 |
0,0078 |
0,0207 |
0,64 |
0,0027 |
1282,1 |
482,3 |
1,56 |
3683,2 |
55 |
0,0080 |
0,0215 |
0,53 |
0,0025 |
1243,8 |
465,8 |
1,89 |
4065,0 |
65 |
0,0083 |
0,0215 |
0,39 |
0,0022 |
1211,6 |
465,8 |
2,55 |
4524,9 |
75 |
0,0085 |
0,0239 |
0,33 |
0,0021 |
1178,3 |
417,8 |
3,00 |
4819,3 |
85 |
0,0088 |
0,0220 |
0,28 |
0,0019 |
1136,4 |
454,5 |
3,56 |
5249,3 |
95 |
0,0091 |
0,0211 |
0,24 |
0,0018 |
1102,9 |
473,2 |
4,15 |
5602,2 |
105 |
0,0092 |
0,0188 |
0,20 |
0,0017 |
1081,5 |
531,9 |
5,07 |
5970,1 |
115 |
0,0095 |
0,0178 |
0,18 |
0,0016 |
1049,0 |
561,8 |
5,62 |
6410,3 |
По рассчитанным данным найдем значения и построим зависимость . Расчеты сведем в таблицу:
Таблица 4.
Исследуемый материал |
|
|
|
|
|
|
SiC |
298 |
3.3·10¯³ |
109.8 |
0,0073 |
1366,1 |
7,22 |
308 |
3.25·10¯³ |
114 |
0,0076 |
1315,8 |
7,18 |
|
318 |
3.14·10¯³ |
117 |
0,0078 |
1282,1 |
7,16 |
|
328 |
3.05·10¯³ |
120.6 |
0,0080 |
1243,8 |
7,13 |
|
338 |
2.96·10¯³ |
123.8 |
0,0083 |
1211,6 |
7,10 |
|
348 |
2.87·10¯³ |
127.3 |
0,0085 |
1178,3 |
7,07 |
|
358 |
2.79·10¯³ |
132 |
0,0088 |
1136,4 |
7,04 |
|
368 |
2.72·10¯³ |
136 |
0,0091 |
1102,9 |
7,01 |
|
|
378 |
2.65·10¯³ |
138.7 |
0,0092 |
1081,5 |
6,99 |
|
388 |
2.57·10¯³ |
143 |
0,0095 |
1049,0 |
6,96 |
Ge |
298 |
3.3·10¯³ |
289 |
0,0193 |
519,0 |
6,252 |
308 |
3.25·10¯³ |
302 |
0,0201 |
496,7 |
6,208 |
|
318 |
3.14·10¯³ |
311 |
0,0207 |
482,3 |
6,179 |
|
328 |
3.05·10¯³ |
322 |
0,0215 |
465,8 |
6,144 |
|
338 |
2.96·10¯³ |
322 |
0,0215 |
465,8 |
6,144 |
|
348 |
2.87·10¯³ |
359 |
0,0239 |
417,8 |
6,035 |
|
358 |
2.79·10¯³ |
330 |
0,0220 |
454,5 |
6,119 |
|
368 |
2.72·10¯³ |
317 |
0,0211 |
473,2 |
6,159 |
|
|
378 |
2.65·10¯³ |
282 |
0,0188 |
531,9 |
6,276 |
|
388 |
2.57·10¯³ |
267 |
0,0178 |
561,8 |
6,331 |
Исследуемый материал |
|
|
|
|
|
|
SiC |
298 |
3.3·10¯³ |
7743 |
0,93 |
1,08 |
0,073 |
308 |
3.25·10¯³ |
6130 |
0,74 |
1,36 |
0,307 |
|
318 |
3.14·10¯³ |
5340 |
0,64 |
1,56 |
0,445 |
|
328 |
3.05·10¯³ |
4406 |
0,53 |
1,89 |
0,637 |
|
338 |
2.96·10¯³ |
3264 |
0,39 |
2,55 |
0,937 |
|
348 |
2.87·10¯³ |
2782 |
0,33 |
3,00 |
1,097 |
|
358 |
2.79·10¯³ |
2340 |
0,28 |
3,56 |
1,270 |
|
368 |
2.72·10¯³ |
2009 |
0,24 |
4,15 |
1,423 |
|
|
378 |
2.65·10¯³ |
1645 |
0,20 |
5,07 |
1,623 |
|
388 |
2.57·10¯³ |
1483 |
0,18 |
5,62 |
1,726 |
InSb |
298 |
3.3·10¯³ |
64,6 |
0,0032 |
3096,0 |
8,038 |
308 |
3.25·10¯³ |
58 |
0,0029 |
3448,3 |
8,146 |
|
318 |
3.14·10¯³ |
54,3 |
0,0027 |
3683,2 |
8,212 |
|
328 |
3.05·10¯³ |
49,2 |
0,0025 |
4065,0 |
8,310 |
|
338 |
2.96·10¯³ |
44,2 |
0,0022 |
4524,9 |
8,417 |
|
348 |
2.87·10¯³ |
41,5 |
0,0021 |
4819,3 |
8,480 |
|
358 |
2.79·10¯³ |
38,1 |
0,0019 |
5249,3 |
8,566 |
|
368 |
2.72·10¯³ |
35,7 |
0,0018 |
5602,2 |
8,631 |
|
|
378 |
2.65·10¯³ |
33,5 |
0,0017 |
5970,1 |
8,695 |
|
388 |
2.57·10¯³ |
31,2 |
0,0016 |
6410,3 |
8,766 |
Рис. 1. Температурные зависимости удельной проводимости полупроводников.