3 семестр ФЭЛ / лаба15 / Обработка Lr15
.docxОбработка результатов.
Таблица 1
U, В |
0,5 |
1 |
1,5 |
2 |
2,5 |
3 |
3,5 |
4 |
4,5 |
5 |
5,5 |
6 |
|
|
0,1 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,5 |
0,6 |
0,7 |
1 |
1,1 |
1,2 |
1,3 |
1,5 |
|
|
|
0,2 |
0,3 |
0,6 |
0,9 |
1,2 |
1,4 |
1,7 |
2,1 |
2,4 |
2,7 |
3,1 |
3,5 |
|
0,1 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
1 |
1,1 |
1,3 |
1,5 |
1,8 |
2 |
|
520нм |
|
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1,1 |
1,3 |
1,5 |
1,8 |
2 |
2,2 |
2,5 |
2,8 |
3,1 |
|
0,3 |
0,5 |
0,6 |
0,8 |
0,8 |
0,9 |
1,1 |
1 |
1,1 |
1,3 |
1,5 |
1,6 |
|
565нм |
|
0,3 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
0,9 |
1,1 |
1,3 |
1,4 |
1,6 |
1,8 |
1,9 |
2 |
|
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,6 |
0,5 |
|
Таблица 2
|
0 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
1 |
1,1 |
1,2 |
|
590нм
|
|
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,7 |
0,9 |
1,1 |
1,4 |
1,7 |
2 |
2,4 |
2,7 |
3 |
3,3 |
|
0 |
0,1 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1,1 |
1,4 |
1,7 |
2,1 |
2,4 |
2,7 |
3 |
|
660нм |
|
0,4 |
1,1 |
2,5 |
4,2 |
6,1 |
8,1 |
9,7 |
11,6 |
12,8 |
15,4 |
16,9 |
18,3 |
20,6 |
|
0,1 |
0,8 |
2,2 |
3,9 |
5,8 |
7,8 |
9,4 |
11,3 |
12,5 |
15,1 |
16,6 |
18 |
20,3 |
|
|
430 |
470 |
520 |
565 |
590 |
660 |
700 |
860 |
I, мкА |
0,4 |
0,4 |
0,9 |
0,8 |
0,8 |
1,2 |
2,4 |
0,4 |
|
0,1 |
0,1 |
0,6 |
0,5 |
0,5 |
0,9 |
2,1 |
0,1 |
Таблица 3
Используя результаты измерений в таблице 1 построим графики зависимостей величины фототока Iф от напряжения U: для трех значений длин волн λ (вольтамперные характеристики фоторезистора)
Рис.1
Рис.2
Рис.3
Построим световые кривые
по результатам измерений, полученным
в табл. 2
Рис.4
Рис.5
По результатам измерений из таблицы 3 построим спектральную характеристику фоторезистора
.
Рис.6
Определите по спектральной характеристике край собственного поглощения λкр.
Материалом полупроводника является GaAs.
Вывод: В результате выполнения данной лабораторной работы была экспериментально исследована вольтамперная характеристика фоторезистора. Так же была определена ширина запрещенной зоны полупроводника и его материал. Были построены графики зависимостей величины фототока от напряжения для разных длин волн, графики зависимостей величины фототока от значения величины светового тока. Так же была построена спектральная характеристика фоторезистора.

470нм