
3 семестр ФЭЛ / лаба15 / Обработка Lr15
.docxОбработка результатов.
Таблица 1
U, В |
0,5 |
1 |
1,5 |
2 |
2,5 |
3 |
3,5 |
4 |
4,5 |
5 |
5,5 |
6 |
|
|
0,1 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,5 |
0,6 |
0,7 |
1 |
1,1 |
1,2 |
1,3 |
1,5 |
|
|
|
0,2 |
0,3 |
0,6 |
0,9 |
1,2 |
1,4 |
1,7 |
2,1 |
2,4 |
2,7 |
3,1 |
3,5 |
|
0,1 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
1 |
1,1 |
1,3 |
1,5 |
1,8 |
2 |
|
520нм |
|
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1,1 |
1,3 |
1,5 |
1,8 |
2 |
2,2 |
2,5 |
2,8 |
3,1 |
|
0,3 |
0,5 |
0,6 |
0,8 |
0,8 |
0,9 |
1,1 |
1 |
1,1 |
1,3 |
1,5 |
1,6 |
|
565нм |
|
0,3 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
0,9 |
1,1 |
1,3 |
1,4 |
1,6 |
1,8 |
1,9 |
2 |
|
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,6 |
0,5 |
Таблица 2
|
0 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
1 |
1,1 |
1,2 |
|
590нм
|
|
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,7 |
0,9 |
1,1 |
1,4 |
1,7 |
2 |
2,4 |
2,7 |
3 |
3,3 |
|
0 |
0,1 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1,1 |
1,4 |
1,7 |
2,1 |
2,4 |
2,7 |
3 |
|
660нм |
|
0,4 |
1,1 |
2,5 |
4,2 |
6,1 |
8,1 |
9,7 |
11,6 |
12,8 |
15,4 |
16,9 |
18,3 |
20,6 |
|
0,1 |
0,8 |
2,2 |
3,9 |
5,8 |
7,8 |
9,4 |
11,3 |
12,5 |
15,1 |
16,6 |
18 |
20,3 |
|
430 |
470 |
520 |
565 |
590 |
660 |
700 |
860 |
I, мкА |
0,4 |
0,4 |
0,9 |
0,8 |
0,8 |
1,2 |
2,4 |
0,4 |
|
0,1 |
0,1 |
0,6 |
0,5 |
0,5 |
0,9 |
2,1 |
0,1 |
Таблица 3
Используя результаты измерений в таблице 1 построим графики зависимостей величины фототока Iф от напряжения U: для трех значений длин волн λ (вольтамперные характеристики фоторезистора)
Рис.1
Рис.2
Рис.3
Построим световые кривые
по результатам измерений, полученным в табл. 2
Рис.4
Рис.5
По результатам измерений из таблицы 3 построим спектральную характеристику фоторезистора
.
Рис.6
Определите по спектральной характеристике край собственного поглощения λкр.
Материалом полупроводника является GaAs.
Вывод: В результате выполнения данной лабораторной работы была экспериментально исследована вольтамперная характеристика фоторезистора. Так же была определена ширина запрещенной зоны полупроводника и его материал. Были построены графики зависимостей величины фототока от напряжения для разных длин волн, графики зависимостей величины фототока от значения величины светового тока. Так же была построена спектральная характеристика фоторезистора.