
Лаб1.ЭН-22
.docx
Отчет по первой лабораторной работе
Вариант 6
Выполнил студент группы ЭН-22:
Содержание
Задание первое
Задание второе
Задание третье
Задание четвертое
Задание пятое
Задание шестое
Задание седьмое
Задание восьмое
Вывод
Также к заданиям будет прикреплена вся нужная теоретическая информация, таблицы и т.д и т.п
Задание 1
Полученная осциллограмма:
Задание 2
Полученная осциллограмма:
Работа с таблицей
UО = f(IО)
Таблица 1
RН |
400 |
500 |
600 |
700 |
800 |
Ом |
UО |
7 |
7.5 |
7.7 |
7.8 |
8 |
В |
IО |
17.55 |
15.9 |
12.8 |
11.2 |
10 |
мА |
|
|
|
|
|
|
|
Задание 3.
По формуле ниже определим внутреннее сопротивление выпрямителя, используя данные из таблицы.
Задание 4.
Заполним Таблицу.
Таблица 2
СФ, мкФ |
10 |
20 |
50 |
100 |
150 |
500 |
UПУЛ, В |
0,37 |
0,19 |
0,07 |
0,06 |
0,04 |
0,02 |
UО, В |
7,5 |
7,5 |
7,6 |
7,6 |
7,6 |
7 |
РПУЛ, % |
4,9 |
2,5 |
0,9 |
0,8 |
0,5 |
0,3 |
Заполним также следующую таблицу:
UПУЛ = f(FГ) при СФ = 10 мкФ и RН = 500 Ом
Таблица 3
FГ, гЦ |
400 |
500 |
600 |
700 |
800 |
900 |
1000 |
UПУЛ, В |
0,9 |
0,7 |
0,6 |
0,5 |
0,45 |
0,4 |
0,37 |
Задание 5
В результате модулирования схемы:
Задание 6
В результате модулирования схемы:
При изменении сопротивления активной нагрузки заполним таблицу 4 и построим нагрузочную характеристику выпрямителя.
UО = f (IО)
Таблица 4
RН |
400 |
500 |
600 |
700 |
800 |
Ом |
UО |
7,5 |
7,6 |
7,7 |
7,8 |
7,9 |
В |
IО |
18,7 |
15,3 |
13 |
11,2 |
9,9 |
мА |
Задание 7
Определим внутреннее сопротивление
Задание 8
qТаблица 5
СФ, мкФ |
10 |
20 |
50 |
100 |
150 |
500 |
UПУЛ, В |
0,16 |
0,08 |
0,03 |
0,025 |
0,017 |
0,015 |
UО, В |
7,625 |
7,647 |
7,647 |
7,615 |
7,647 |
7,59 |
РПУЛ, % |
2,15 |
1 |
0,41 |
0,33 |
0,22 |
0,19 |
Заполнить таблицу 6 и построить зависимость величины пульсирующего напряжения (Uпул) от частоты выпрямляющего напряжения.
UПУЛ = f(FГ) при СФ = 10 мкФ и RН = 500 Ом
Таблица 6
FГ, гЦ |
400 |
500 |
600 |
700 |
800 |
900 |
1000 |
UПУЛ, В |
0,4 |
0,32 |
0,27 |
0,24 |
0,21 |
0,18 |
0,16 |
Вывод
В результате сделанной лабораторной работы был изучен мультисим и некоторые характеристики полупроводникового диода.