Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Инструкция КР+лекции_1231178

.pdf
Скачиваний:
12
Добавлен:
22.04.2025
Размер:
3 Мб
Скачать

1. Критерии оценивания компетенций

Оценка «отлично» выставляется студенту, если студент грамотно оформил работу и правильно решил задачи в расчетно-графической работе, показал взаимосвязь всех вопросов продемонстрировал умение работать с научной литературой, делать теоретические и практические выводы.

Оценка «хорошо» выставляется студенту, если студент, обстоятельно владеет материалом,

однако допускает несущественные ошибки в расчетах, однако в целом свободно владеет

материалом.

Оценка «удовлетворительно» выставляется студенту, если студент, в основном владеет материалом, однако допускает существенные неточности в расчетах.

Оценка «неудовлетворительно» выставляется студенту, если студент, неправильно решил

задачи и не может ответить на поставленные вопросы.

При проверке контрольной оцениваются также рациональность, математический и физический уровень решения задачи

2. Описание шкалы оценивания

Максимально возможный балл за весь текущий контроль устанавливается равным 55.

Текущее контрольное мероприятие считается сданным, если студент получил за него не менее 60% от установленного для этого контроля максимального балла. Рейтинговый балл,

выставляемый студенту за текущее контрольное мероприятие, сданное студентом в установленные графиком контрольных мероприятий сроки, определяется следующим образом:

 

Рейтинговый балл (в % от максимального

Уровень выполнения контрольного задания

балла за контрольное задание)

 

 

Отличный

100

 

 

Хороший

80

 

 

Удовлетворительный

60

 

 

Неудовлетворительный

0

 

 

3. Перечень основной и дополнительной литературы, необходимой для освоения

дисциплины

3.1 Перечень основной литературы

1. Вагин, Г. Я. Электромагнитная совместимость в электроэнергетике : учебник для студентов вузов, обучающихся по направлению подготовки "Электроэнергетика" / Г. Я. Вагин, А. Б.

Лоскутов, А. А. Севостьянов. – Москва : Академия, 2010. – 223, [1] с. : ил., табл. ; 22. – (Высшее профессиональное образование. Энергетика). – Библиогр.: с. 221-222. – ISBN 978-5-7695-6539- 7

2. Пудовкин, А. П. Электромагнитная совместимость и помехозащищённость РЭС Электронный ресурс : Учебное пособие / А. П. Пудовкин, Ю. Н. Панасюк, Т. И. Чернышова. –

Тамбов : Тамбовский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2013. – 92 с. –

Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS. – ISBN 978-5-8265-1194-7

3. Жежеленко, И. В. Электромагнитная совместимость в электрических сетях Электронный ресурс : Учебное пособие / И. В. Жежеленко, М. А. Короткевич. – Электромагнитная совместимость в электрических сетях,2020-02-24. – Минск : Вышэйшая школа, 2012. – 197 с. –

Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS. – ISBN 978-985-06-2184-9

3.2 Перечень дополнительной литературы

4. Методические указания по определению электромагнитных обстановки и совместимости на электрических станциях и подстанциях Электронный ресурс : практическое пособие. - Москва

: Издательский дом ЭНЕРГИЯ, 2014. - 76 c. - Книга находится в базовой версии ЭБС IPRbooks.

- ISBN 978-5-98908-239-1

5. Овсянников, А. Г. Электромагнитная совместимость в электроэнергетике : Учебник /

Овсянников А. Г. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет,

2013. - 194 с. - Книга находится в базовой версии ЭБС IPRbooks. - ISBN 978-5-7782-2199-4

6. Ефанов, В. И. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и систем Электронный ресурс : Учебное пособие / В. И. Ефанов, А. А. Тихомиров. – Томск : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012. – 228 с. – Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS. – ISBN 5-86889-188-0

Составитель ________________________ Ларионов Ю.А.

(подпись)

«____»__________________2017 г.

Задание 1

1. УРОВНЬ ПОМЕХ И КОЭФФИЦИЕНТ ЭКРАНИРОВАНИЯ Для количественной оценки электромагнитной совместимости пользуются

логарифмическими масштабами электрических и магнитных величин. Различают логарифм отношения уровней и степени передачи помехи.

Применяя десятичный логарифм, определим в децибелах напряжение, ток,

напряженность полей, мощность, принимая базовыми величинами,

соответственно U0 1 мкВ, I0 1 мкА,

E0 1мкВ/м, H0 1 мкА/м, P0 1 пВт:

 

 

 

U X

 

 

 

 

I X

 

 

 

EX

 

 

H X

 

u 20 lg

 

,

i

20 lg

 

,

e 20 lg

,

H 20 lg

,

 

 

 

U0

 

 

 

I0

 

 

E0

 

H0

 

PX

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P 20 lg

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Применяя натуральный логарифм, можно принимая те же базовые значения определить аналогичным образом отношение величин в неперах (1 Нп=8,686 дБ).

Уровнем помех называют относительное значение помехи, при этом предел

еедопустимых уровней определяют в стандартах DIN/VDE, ГОСТ, ОСТ.

2.ОПИСАНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВЛИЯНИЙ

Описание электромагнитных влияний осуществляют в частотных и временных областях. Поскольку передаточные свойства путей связи и средств помехоподавления удобно представлять в частотной области, то для перехода из временной в частотную используют ряды и интегралы Фурье.

Для быстрой практической реализации преобразования Фурье используют ЭМС-номограмму. Она позволяет построить огибающую плотности распределения амплитуд, синтезировать импульс, эквивалентный помехе, учесть частотнозависимые свойства пути передачи и средства защиты.

Рассмотрим трапециевидный импульс, для которого плотность распределения амплитуд определяется выражением

 

U f 2Um

sin f sin f k

(1.1)

 

f

 

f k

 

 

 

 

 

При k

0 трапециевидный импульс преобразуется в прямоугольный, при

0 в треугольный. Таким образом, трапециевидный

импульс включает

большую часть встречающихся в практике импульсов.

ЭМС-номограмма базируется на аппроксимации огибающей плотности

распределения амплитудной плотности тремя отрезками прямой.

Для низкочастотного диапазона f fH ( fH 1 ) огибающая параллельна

оси абсцисс, так как синус приблизительно равен своему аргументу:

 

U f 2Um const

(1.2)

Плотность распределения амплитуд гармоник (в дБ) зависит исключительно от площади импульса:

U f

 

 

2U

 

 

 

20lg

m

, где A0

1

мкВ∙с.

Дб

 

 

 

A0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для среднечастотного диапазона 1 f 1 k :

U f

2Um

 

2Um

,

f

 

 

 

f

то есть спад амплитуды с частотой составляет 20 дБ/декаду:

U f

 

 

2U

m

 

 

20lg

 

.

 

fA

 

Дб

 

 

 

 

 

 

0

 

В высокочастотном диапазоне f fВ ( fH 1 k )

(1.3)

(1.4)

(1.5)

U f 2U

 

1

1

 

 

 

,

(1.6)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f

 

 

 

 

m f

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U f

 

20lg

 

2Um

 

 

 

 

,

(1.7)

Дб

 

2 f 2

k

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

то есть спад с ростом частоты составляет 40 дБ/декаду.

Для перехода из частотной во временную область необходимо найти

площадь импульса

 

 

 

1

 

 

U f дБ

 

 

 

 

Um

 

10

 

 

20

 

 

мкВ∙с,

(1.8)

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

плотность распределения амплитуд импульса

 

 

fH

 

 

 

 

U f дБ

 

U

10

 

 

20

 

 

мкВ,

(1.9)

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

крутизну фронта нарастания импульса

 

Um K

2 f

2

 

 

 

U f дБ2

(1.10)

 

 

 

 

 

 

 

 

2

B 10

 

20 мкВ/с.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Длительность импульса определится из соотношения

 

 

 

 

1

fH

.

 

(1.11)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Время нарастания импульса

 

 

 

 

 

 

 

 

K

 

 

1

 

 

 

.

 

(1.12)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

fB

 

Рисунок - 1- Трапецивидный импульс.

Рисунок 2 – Огибающая «физической» плотности распределения амплитуд трапецевидного импульса (линейная аппроксимация).

1.2.1. Логарифмические относительные характеристики. Уровни помех.

С применением десятичного логарифма определяются следующие уровни помех, измеряемые в децибелах:

Напряжение:

Кроме десятичных логарифмов используются также и натуральные логарифмы. При этом уровень помех измеряется в неперах:

Напряжение: , где u0 = 1мкВ;

Таким образом, при обоих представлениях уровень помехи увеличивается на одну и ту же величину с каждым последующим порядком.

Обозначения дБ и Нп указывают исключительно на вид использованной функции логарифма (lg или ln). Данные обозначения не являются единицами, но

часто используются как таковые.

1.2.2. Степень передачи. Помехоподавление Одним из понятий, характеризующих степень передачи системы, является

понятие «помехоподавление». Понятие «помехоподавление» служит для характеристики защитного воздействия средств защиты от помех. Как правило,

степень помехоподавления зависит от частоты. В качестве одной из количественных характеристик степени помехоподавления на той или иной частоте служит логарифм отношения напряжений на входе U1 и на выходе U2

фильтра, который называется коэффициент затухания aФ , или напряженности поля в точках пространства перед экраном H0 и за ним Hвт коэффициент экранирования aЭ :

a 20lg

U1

; a 20lg

H0

.

Ф

U2

Э

Hвт

 

 

Задача .

Дан импульс трапециевидной формы рисунок амплитудой Um

длительностью и временем нарастания K . Параметры импульса указаны в таблице.

Требуется:

а) аппроксимировать тремя отрезками прямых огибающую спектральной плотности распределения амплитуд;

б) найти эффективную ширину П полосы частот импульса;

в) определить огибающую спектральной плотности распределения амплитуд по прохождении импульса через канал передачи, имеющий амплитудно-

частотную характеристику A f дБ , представленную на рисунке, где a

коэффициент затухания в дБ;

г) найти амплитуду Um , длительность , время нарастания K , крутизну

фронта

Um

K

импульса по данным спектральной плотности распределения

 

 

 

 

 

 

амплитуд, полученной в пункте

в). Построить этот импульс в системе координат U, t.

Решение:

 

 

 

Таблица – Исходные данные

 

 

 

 

 

 

Um , В

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

, с

 

 

 

0,02

 

 

 

 

 

 

 

K , с

 

 

 

0,0001

 

 

 

 

 

 

 

Построим ЭМС-монограмму импульса с заданными параметрами – длительностью, крутизной фронта, амплитудой.

Определим сопрягающие частоты:

f H

 

 

1

 

 

 

1

 

15,915 Гц;

 

 

 

0,02

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f В

 

1

 

 

 

1

 

 

3183,099

Гц.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K

 

 

 

0,0001

 

По формулам (1.3), (1.5) и (1.7) определим уровни напряжений (в дБ) в

областях перехода частоты в диапазонах нижних, средних и высоких частот: f fH

U f

20 lg

2 4 0.02

104.082 дБ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

дБ

 

 

10 6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f f H

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U f дБ

 

 

 

2 4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20 lg

 

 

 

 

 

 

 

 

104.082

дБ

 

15,915 10

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f f В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U f дБ

 

 

 

 

2 4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20 lg

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

58,062 дБ

 

3183,099 10

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U f дБ

 

 

 

 

 

 

2 4

 

 

 

 

 

20 lg

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

58,062

дБ

 

2

 

 

 

 

2

0,0001 10

6

 

 

 

 

3183,099

 

 

 

 

f

f В

 

 

 

 

 

 

 

U f дБ

 

 

 

2 4

 

 

 

20 lg

 

2

2

6 10.217

дБ

 

 

 

 

 

50000 0,0001 10

 

 

 

Построим ЭМС-номограмму данного импульса и прошедшего через фильтр

с коэффициентом ослабления a

 

 

 

120

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

80

 

 

 

 

 

 

 

 

60

 

 

 

 

 

 

 

U(f)

 

 

 

 

 

 

 

 

U(f)-a

40

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

10

 

 

100

1000

10000

100000

Задание 2

Если приемник помехи находится в непосредственной близости от источника помехи, в так называемой ближней зоне, то он воспринимает квазистатическое поле. В частности, штыревая антенна создает в ближней зоне квазистатическое электрическое поле, а рамочная - квазистатическое магнитное поле. Расстояние R от источника до рассматриваемой точки, когда возможно считать поля квазистатическими, определяется выражением:

R

2

где сf - длина электромагнитной волны.

Общий коэффициент затухания электромагнитного экрана состоит из коэффициента затухания вследствие отражения на граничных плоскостях P,

коэффициента затухания из-за поглощения в стенке экрана Π (переход энергии

электромагнитного поля в тепло), корректирующего коэффициента B,

учитывающего многократные волны отражения внутри экрана:

Э Р П В Коэффициент затухания вследствие отражения. Этот коэффициент состоит

из двух составляющих, они обусловлены двумя граничными плоскостями -

снаружи и внутри экрана. При условии, что волновое сопротивление внешней области ZВШ значительно больше волнового сопротивления материала стенки экрана ZЭ большая часть энергии, приходящейся на граничную плоскость снаружи экрана отражается обратно к источнику. Отношение напряженностей электромагнитного поля падающей и прошедшей волн определяется формулой:

EВШ

 

(Z ВШ Z Э )

EЭВШ

2 Z Э

 

Аналогичным образом это отношение определится и на внутренней стенке экрана - на внутреннем пограничном слое. Суммарное влияние отражения можно получить из соотношения:

EВШ

 

ZВШ

ZЭ 2

 

 

E

ВН

4 Z

Э

Z

ВШ

 

 

 

 

 

 

 

 

Введя обозначение K ZВШ ZЭ эта формула принимает вид

EВШ

 

1 K 2

 

4 K

EВН

Переходя к логарифмическим характеристикам получаем выражение для коэффициента затухания вследствие отражения

1 K 2

PдБ 20 lg 4 K

для его определения необходимо знать волновые сопротивления.

Волновое сопротивление в пространстве источника помехи для дальней

зоны