эбэл 3.2 анисимов бтс

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра БТС

отчет

по лабораторной работе №3.2

по дисциплине «Элементная база электроники»

Тема: Исследование проводимости транзисторов различного типа

Студенты гр. 3501	________________	Рябов Я.Р.
	________________	Копачев Д.А.
Преподаватели	________________	Подоксенов А.А.
	________________	Касьянова Я.С. Анисимов А.А.

Санкт-Петербург

2025

Лабораторная работа № 3 часть 2

Исследование проводимости транзисторов полевого типа

Цель работы: Изучение проводимости канала полевого транзистора в зависимости от величины управляющего сигнала.

Используемое оборудование: NI ELVIS Digital Multimeter (DMM), макетная плата NI ELVIS, полевые транзисторы, Variable Power Supplies.

Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом.

Обработка экспериментальных данных

JFET

Таблица 1: Полевой N-канальный транзистор (JCJ111)

№	Напряжение на затворе, В	Ток стока, мА
1	0	94
2	-0.5	77.3
3	-1	70.6
4	-1.5	64.5
5	-2	57
6	-2.5	51
7	-3	45
8	-3.5	37.7
9	-4	32.3
10	-4.5	26.2
11	-5	20
12	-5.5	14.1
13	-6	8
14	-6.5	4.6
15	-7	0.12

Рисунок 1 – Собранная на NI Elvis схема с JCJ111-112

Рисунок 2 – График ВАХ для JCJ 111

Рисунок 3 – Принципиальная схема с NPN транзистором

Рисунок 4 - График ВАХ для JCJ 111 в MicroCap

Таблица 2: Полевой N-канальный транзистор (JCJ112)

№	Напряжение на затворе, В	Ток стока, мА
1	0	48
2	-0.25	40
3	-0.5	32.7
4	-0.75	28.6
5	-1	23
6	-1.25	18.6
7	-1.5	16
8	-1.75	13.3
9	-2	11.3
10	-2.25	10.3
11	-2.5	8.4
12	-2.75	3.1
13	-3	0.8
14	-3.25	-0.7

Рисунок 5 – График ВАХ для JCJ 112

Рисунок 6 – Принципиальная схема для JCJ 112

Рисунок 7 – График ВАХ для JCJ 112 в MicroCap

MOSFET

R_S = 47 Ω – сопротивление истока

Таблица 3: Полевой P-канальный МОП транзистор (IRF-9510)

№	Напряжение на затворе, В	Ток стока, мА
1	-2.5	0.4
2	-2.55	0.6
3	-2.6	0.7
4	-2.65	1.2
5	-2.7	1.24
6	-2.75	2.5
7	-2.8	2.51
8	-2.85	5
9	-2.9	5
10	-2.95	8.9
11	-3	9.4
12	-3.05	15
13	-3.1	16
14	-3.15	24
15	-3.2	25
16	-3.25	36
17	-3.3	50.8
18	-3.35	52
19	-3.4	66
20	-3.45	68
21	-3.5	85
22	-3.55	86
23	-3.6	107
24	-3.65	108
25	-3.7	129
26	-3.75	134
27	-3.8	162
28	-3.85	164
29	-3.9	193
30	-3.95	195
31	-4	226

Рисунок 8 – Собранная схема с IRF-9510 на NI ELVIS

Рисунок 9 - График ВАХ для P-канального транзистора IRF-9510

Рисунок 9 - Принципиальная схема для P-канального MOSFET

Рисунок 9 – График ВАХ для IRF-9510

R_S = 47 Ω – сопротивление истока

Таблица 4: Полевой N-канальный МОП транзистор (IRF-510)

№	Напряжение на затворе, В	Ток стока, мА
1	3	-1
2	3.05	0.5
3	3.1	0.8
4	3.15	1.4
5	3.2	3.5
6	3.25	3.6
7	3.3	6.6
8	3.35	6.6
9	3.4	11.5
10	3.45	11.6
11	3.5	18.5
12	3.55	19
13	3.6	28.7
14	3.65	28.8
15	3.7	43.1
16	3.75	44.3
17	3.8	65.6
18	3.85	68.7
19	3.9	79.8
20	3.95	89
21	4	125
22	4.05	150
23	4.1	155
24	4.15	166
25	4.2	170
26	4.25	215
27	4.3	250

Рисунок 10 – Собранная схема с IRF-510 на NI ELVIS

Рисунок 11 – График ВАХ для N-канального транзистора IRF-510

Рисунок 12 – Принципиальная схема для N-канального MOSFET

Рисунок 13 – График ВАХ для IRF-510

Вывод:

В проведенной лабораторной работе были исследованы основные принципы работы полевых транзисторов: JFET и MOSFET. JCJ111-112 являются N-канальными JFET транзисторами, следовательно, они находятся в режиме насыщения при нулевом напряжении у затвора, далее при повышении отрицательного напряжения, а именно до -7 и -3 вольтах для JCJ111 и JCJ112 соответственно. IRF-9510, являясь P-канальным транзистором, переходит в активный режим при отрицательном напряжении, а именно с -2.5 Вольта, а насыщения при -4-х и ниже. В то время как N-канальный транзистор IRF-510, напротив открывается положительным напряжением, переходит в активный режим при 3.05 вольта и достигает режима насыщения при 4 Вольтах.