Министерство цифрового развития, связи и массовых коммуникаций Российской Федерации

Ордена Трудового Красного Знамени Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский технический университет связи и информатики» (МТУСИ)

Кафедра: Электроника

Дисциплина: Основы конструирования и технологии производства ЭС

Лабораторная работа №1к

Исследование параметров пассивных элементов гибридных интегральных микросхем

Выполнил:

студент группы

Проверила: Каравашкина.В.Н

Москва 2024

Содержание

Постановка задачи 3

Постановка задачи

Цель работы:

Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и параметрами пленочных элементов гибридных интегральных микросхем (ИС).

Задание:

1. По вариантам, начертить топологию элементов. Рассчитать основные параметры элементов: размеры, номинальное значение, число квадратов, относительную погрешность.

2. Получить задание на расчет топологии пленочных элементов;

3. Выбрать материалы пленок. Рассчитать топологию элементов. Результаты расчетов оформить в виде таблицы.

4. Начертить топологию ИС в масштабе 20:1, 10:1 или 5:1, разместив

элементы так, чтобы они по возможности занимали минимальную площадь.

5. Размеры навесных элементов принять равными 1x1 мм2. Размеры контактных площадок 500x500 мкм2.

Вариант 7

Расчет

1.Выбор материала

2. допустимая погрешность числа квадратов:

3. Определим число квадратов резистора и выберем его форму

При n≤10 – прямоугольный резистор (рис. 2а); при n≥10 – составной или «меандр»

4. Если n ≥ 1, определим параметры прямоугольного резистора:

минимально допустимую ширину резистора, обусловленную его точностью

минимально допустимую ширину резистора, ограниченную мощностью рассеяния:

где ρ – заданная мощность рассеяния, мВт;

ρ0 – удельная мощность рассеяния пленки, мВт/мм2;

Расчетное значение ширины должно быть не менее наибольшей величины из полученных трех: , где 100мкм

Расчетное значение длины прямоугольного резистора

Расчет составного резистора:

Расчет составных резисторов заключается в расчете ширины и длины резистора выборе числа (К) последовательно соединенных участков и длины этих участков b=l/K.

Расчет конденсатора:

1. выбор материала диэлектрика.

2. Определяем минимальную толщину диэлектрика, исходя из заданного рабочего напряжения

где Up - рабочее напряжение, В;

Епр - пробивная напряженность электрического поля, В/см;

Кз = 4 – коэффициент запаса электрической прочности;

Толщина диэлектрика должна быть в пределах 0,1-1 мкм. Требование выполнено.

3. Определяем удельную емкость конденсатора:

4. Рассчитывают площадь верхней обкладки конденсатора:

При площади S > 5 выбираем квадратную форму конденсатора

5. Определяем размеры верхней обкладки конденсатора:

6. Определяем размеры нижней обкладки конденсатора:

q – допуск на совмещение обкладок. Для серийной технологии можно принять q=0,2 мм