2.2 Входные характеристики

Схема измерения входных характеристик в программе В2 Spice представлена на рисунке 2.2. Рассчитанные входные статические характеристики транзистора П306 в программе представлены на рисунке 2.3. Расчетные данные представлены в таблицах 2.2, 2.3.

Экспериментальные входные характеристики транзистора приведены на рисунке 2.4. Таблицы с экспериментальными данными 2.4, 2.5.

Рисунок 2.2 – Схема измерения входных статических характеристик транзистора по схеме с общим эмиттером в программе В2

Таблица 2.2 – Расчетные данные в программе В2 Spice при

, В	0	-0.2	-0.4	-0.5	-0.6	-0.7	-0.8	-0.9
, мА	0	0	-0.007	-0.183	-0.623	-1.358	-2.368	-3.650

Таблица 2.3 – Расчетные данные в программе В2 Spice при

, В	0	-0.2	-0.4	-0.5	-0.6	-0.7	-0.8	-0.9
, мА	0	0	-0.018	-0.074	-0.334	-0.871	-1.698	-2.825

Рисунок 2.3 – Входные характеристики транзистора в программе В2 Spice

Таблица 2.4 – Экспериментальные входные характеристики при

, В	0	-0.4	-0.45	-0.5	-0.52	-0.55	-0.58	-0.6	-0.63
, мА	0	0	-0.2	-0.3	-0.5	-1	-2	-5	-10

Таблица 2.5 – Экспериментальные входные характеристики при

, В	0	-0.5	-0.55	-0.6	-0.65	-0.7	-0.8	-0.89
, мА	0	0	-0.2	-0.4	-0.5	-1	-2	-3

Рисунок 2.4 – Экспериментальные входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

2.3 Выходные характеристики

Схема измерения выходных характеристик в программе В2 Spice представлена на рисунке 2.5. Рассчитанные выходные статические характеристики транзистора П306 в программе представлены на рисунке 2.6. Расчетные данные представлены в таблицах 2.6, 2.7, 2.8.

Экспериментальные выходные характеристики транзистора приведены на рисунке 2.7. Таблицы с экспериментальными данными 2.9, 2.10, 2.11.

Рисунок 2.5 – Схема измерения выходных статических характеристик

транзистора по схеме с общим эмиттером в программе В2

Таблица 2.6 – Расчетные выходные характеристики при

. В	0	-0.5	-1	-20
мА	0	0	-0.00003	-0.0001

Таблица 2.7 – Расчетные выходные характеристики при

В	0	-0.1	-0.2	-0.3	-2	-5	-7	-20
мА	-1.504	-2.664	-2.671	-2.672	-2.681	-2.693	-2.702	-2.761

Таблица 2.8 – Расчетные выходные характеристики при

В	0	-0.1	-0.12	-0.2	-0.4	-1	-3	-5	-20
мА	-2.908	-5.073	-5.078	-5.095	-5.098	-5.103	-5.117	-5.132	-5.424

Рисунок 2.6 – Выходные характеристики транзистора в программе В2 Spice

Таблица 2.9 – Экспериментальные выходные характеристики при

. В	0	-0.1	-0.15	-0.2
мА	0	-0.5	-1	-20

Таблица 2.10 – Экспериментальные выходные характеристики при

В	0	-0.1	-0.2	-0.3	-2	-5	-7	-20
мА	0	-6	-7	-7.5	-8.2	-8.7	-9	-10

Таблица 2.11 – Экспериментальные выходные характеристики при

В	0	-0.1	-0.12	-0.2	-0.4	-1	-3	-5	-20
мА	0	-8	-10	-13	-13.8	-14	-14.8	-15	-17

Рисунок 2.7 – Выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Сравнивая экспериментально полученные статические характеристики транзистора и рассчитанные в программе В2 Spice, можно сказать, что входные характеристики очень похожи, при заданном напряжении коллектор-эмиттер U_CE = -20 В, существенное возрастание тока базы происходит почти при одном и том же значении напряжения на прямосмещенном переходе база-эмиттер U_ВE = -0.6 В.

Выходные характеристики похожи качественно, однако ток коллектора насыщения для ветвей отличается.