Министерство образования и науки РФ
____________________________
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет "ЛЭТИ"
___________________________________________________
Желтым помечено то что он усердно проверяет
Моделирование биполярного транзистора при проектировании электронных схем
Пояснительная записка к курсовой работе по дисциплине "Твердотельная электроника"
Выполнил студент группы 300 |
Darkholm iVan |
Проверил: |
Иванов Б.В. |
Санкт-Петербург
2024
Факультет электроники
Кафедра: РТЭ
Направление: Электроника и микроэлектроника
Техническое задание
на выполнение курсовой работы по дисциплине “Твердотельная электроника”
Исполнитель: Darkholm Ivan
Руководитель: доцент каф РТЭ Б.В.Иванов
Наименование проекта: Моделирование биполярного транзистора при проектировании электронных схем
Цель работы, приобретаемые компетенции: знание методов теоретического и экспериментального исследования параметров полупроводниковых приборов и устройств; умение применять эти методы в практике проектирования приборов и устройств; владеть современными методами компьютерного проектирования приборов и устройств.
Исходные данные (технические требования): усилитель низкой частоты класса А
Коэффициент усиления в схеме ОС по току: 5
Напряжение питания, В:12
Ток коллектора в рабочей точке, мА: 9
Диапазон частот исследования усилителя: 50Гц - 800кГц
7. Содержание работы: измерение основных параметров биполярного транзистора (БТ) и формирование его моделей малого и большого сигнала; расчет схемы усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе методом малого сигнала, графоаналитическим мето дом, методом компьютерного моделирования; экспериментальное измерение параметров усилителя
8. Календарный план работ:
Наименование работ |
Срок окончания |
Измерение параметров транзистора |
01.04.2024 |
Проведение расчетов |
27.04.2024 |
Экспериментальное исследование усилителя |
27.05 2024 |
9. Вид отчётных материалов: пояснительная записка
Дата выдачи задания Дата представления работы к защите
"14" февраля 2024 г. май 2024 г.
Исполнитель: / /
Руководитель: / /
Аннотация
В курсовой работе исследован биполярный транзистор П306, рассчитаны его параметры, спроектированы его модели для малого и большого сигнала.
Рассчитана схема усилителя низкой частоты, графоаналитическим и малосигнальным методом, выбраны пассивные компоненты для задания режима работы схемы. В программе «B2 Spice», осуществлялось моделирование работы схемы, исследованы ее частотные свойства, и влияние обратной связи по току.
С учетом расчета и выбранных элементов работа схемы исследовалась экспериментально.
Summary
In the course work, the bipolar transistor П306 was studied, its parameters were calculated, and its models were designed for small and large signals.
The circuit of the low-frequency amplifier was calculated using graphic-analytical and small-signal methods, and passive components were selected to set the operating mode of the circuit.
In the “B2 Spice” program, the operation of the circuit was simulated, its frequency properties and the influence of current feedback were studied.
Taking into account the calculation and selected elements, the operation of the circuit was studied experimentally.