Лабораторная работа №5 / подготовка

Биполярный транзистор

Здесь изображён БТ со структурой [2] n+–р–n, хотя возможна, но менее распространена p+–n–p структура.

n+ – эмиттер (область, “испускающая” носители); р – база и n – коллектор (область собирающая носители)

Важнейшими особенностями конструкции являются:

1) малая толщина базы, не более 0,5 мкм;

2) малая концентрация примеси в базе, порядка 10¹⁶ см-3;

3) большая концентрация примеси в эмиттере, до 10²⁰ см-3.

режимы БТ:

1) ЭП открыт, КП закрыт – активный.

2) ЭП закрыт, КП закрыт – режим отсечки.

3) ЭП открыт, КП открыт – режим насыщения.

4) ЭП закрыт, КП открыт – инверсный режим.

Биполярный транзистор в схеме с общей базой:

Инжекция – диффузионный ток свободных электронов в базу из эмиттерного перехода

Коэфициент инжекции:

Экстракция – когда неосновные носители извлекаются из база в коллектор

Основные уравнения БТ в схеме с общей базой:

Важнейший параметр БТ – α, коэффициент передачи эмиттерного тока транзистора в схеме включения с общей базой

Дрейфовый биполярный транзистор

Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером

основные уравнения схемы с общим эмиттером:

Связь β и α

Входные характеристики (ВАХ эмиттерного перехода) БТ в схеме с общей базой	Выходные характеристики (ВАХ коллекторного перехода) БТ в схеме с общей базой

Входные характеристики БТ в схеме с общим эмиттером	Выходные характеристики БТ в схеме с общим эмиттеромы