ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

Московский технический университет связи и информатики

Кафедра электроники

ПРАКТИКУМ

по курсу

ЭЛЕКТРОНИКА

Москва 2017

План УМД на 2016/2017 уч.г.

Практикум

по курсу

ЭЛЕКТРОНИКА

Составители: В.П.Власов, к.т.н., доцент

В.Н.Каравашкина, к.т.н., доцент

Издание утверждено советом факультета Р и Т. Протокол № от г.

Рецензент Т.Б. Асеева

ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ

Настоящий практикум выполняется на персональных компьютерах в компьютерных классах лаборатории кафедры «Электроника» МТУСИ. Основой программного обеспечения при этом являются разработанная на кафедре программа (лабораторная работа №5) пакет схемотехнического анализа «Microcap 10 evaluation», т.е. свободно распространяемая версия семейства программ «Microcap» [1]. Несмотря на отсутствие в ней многих функций и неполноту библиотек параметров элементов, данная программа является современным и мощным программным средством, успешно используемым в учебном процессе.

Хотя программа «Microcap 10 evaluation» может использоваться без ограничений, связанных с защитой авторских прав, в целом настоящий лабораторный практикум состоит из оригинальных лабораторных работ с описаниями, разработанными в МТУСИ. Поэтому лабораторный практикум может использоваться только с разрешения МТУСИ.

Лабораторные работы сопровождаются подробными методическими указаниями по выполнению и не требуют изучения программы. Однако некоторые её особенности должны постоянно учитываться:

1. В программе используются следующие буквенные обозначения множителей для численных значений:

10-15	10-12	10-9	10-6	10-3	103	106	109	1012
фемто	пико	нано	микро	милли	кило	мега	гига	тера
F (f)	P (p)	N (n)	U (u)	M (m)	K (k)	MEG (meg)	G (g)	T (t)

2. Если численное значение не имеет буквенного множителя – то это значение в основных единицах – Ампер, Вольт, Ом и т.д.

3. Целая часть чисел отделяется от дробной не запятой, а точкой.

Например, 1.3К. Или, в показательной форме, 1.3Е3.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 5

ИЗУЧЕНИЕ ПЛАНАРНО-ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ

1. Цель работы

Изучение основных технологических операций и в целом технологии изготовления интегральных схем (ИС) на примере полупроводниковых ИС на МДП и биполярных транзисторах.

2. Домашнее задание

Изучить раздел «Краткие теоретические сведения». К выполнению работы допускаются студенты, способные объяснить назначение основных технологических операций изготовления ИС, назначение фотошаблона, фоторезиста.

3. Задание

В режиме «обучение», предусмотренном в выполняемой лабораторной работе, изучить последовательность применения основных технологических операций при изготовлении ИС на биполярных транзисторах. В режиме «зачет» ответить на десять вопросов по технологии изготовления. Удовлетворительным результатом можно считать не более 1 ошибки при времени выполнения задания не более нескольких минут.

Результат выполнения задания представляется преподавателю.