5. Контрольные вопросы
1. В чём заключаются отличия n-p-n и p-n-p БТ?
2. Как используются активный режим, режимы отсечки и насыщения БТ? Почему не используется инверсный режим?
3. Изобразите схему модели Эберса-Молла и поясните назначение её элементов.
4. В каком применении БТ важно иметь минимальное сопротивление открытого состояния?
5. Назовите основные рекомендации для изготовления БТ с хорошими частотными и импульсными свойствами.
Параметры полупроводников при T = 300 К
Параметры |
Германий Ge |
Кремний Si |
Арсенид Галлия GaAs |
Относительная диэлектрическая
проницаемость
|
16 |
12 |
13 |
Поле пробоя Екр, В·см-1 |
105 |
3·105 |
4·105 |
Ширина запрещённой зоны
|
0,66 |
1,12 |
1,424 |
Эффективная плотность состояний в
зоне проводимости
|
1019 |
2,8·1019 |
4,7·1017 |
Эффективная плотность состояний в
валентной зоне
|
6·1018 |
1019 |
7·1017 |
Собственная концентрация ni см-3 |
2,4·1013 |
1,45·1010 |
1,79·106 |
Коэффициент диффузии электронов Dn, см2·с-1 |
100 |
36 |
290 |
Коэффициент диффузии дырок Dp, см2·с-1 |
45 |
13 |
12 |
Подвижность электронов,
|
3900 |
1500 |
8500 |
Подвижность дырок,
|
1900 |
450 |
400 |
Аn,
|
60 |
110 |
60 |
Ар, |
18 |
30 |
33 |
,
эВ
,
см-3
,
см-3
,
,
1 Работой выхода называется работа по удалению электрона из данного вещества в бесконечность, где потенциал электрического поля = 0. За исходное значение энергии электрона принимается энергия уровня Ферми данного вещества.