1к / ОКиТППЭС Лаба №3

Министерство цифрового развития, связи и массовых коммуникаций Российской Федерации

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ

(МТУСИ)

Факультет "Радио и телевидение"

Кафедра "Электроника"

ОТЧЁТ

по дисциплине "Основы конструирования и технологии производства электронных средств"

на тему:

"Лабораторная работа №1к.

Исследование параметров пассивных элементов гибридных интегральных микросхем"

Выполнил

Студент гр. БРВ 2202

Стецкий Н.С.

Проверила

Каравашкина В.Н.

Лабораторная работа №1к

“ Исследование параметров пассивных элементов гибридных интегральных микросхем”

Бригада 3. Вариант 2.

1. Цель работы

Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и

параметрами пленочных элементов гибридных интегральных микросхем (ИС).

2. Выполнение работы

   1. Данные по варианту:

Диапазон температур

Шаг координатной сетки = 0.01 мм

Москва 2024