Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ОКиТПЭС_6к_Carla

.docx
Скачиваний:
1
Добавлен:
03.02.2025
Размер:
328.06 Кб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

«Московский технический университет связи и информатики»

Факультет Сети и системы связи

Кафедра Электроника

Лабораторная работа № 6к

по дисциплине «Основы конструирования и технологии производства ЭС»:

  

«Исследование разброса параметров радиоэлементов больших гибридных интегральных микросхем»

Подготовил:

студент 3-го курса, гр. BMW2222

Проверил:

Аринин О. В.

Марковский А. В.

Москва

2024

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ

1. Изучение причин и закономерностей отклонений параметров

радиоэлементов.

2. Изучение статистических характеристик распределения отклонения

параметров.

3. Определение законов распределения параметров радиоэлементов на

основе результатов их измерений и числовых характеристик

статистического распределения разброса параметров.

4. Оценка точности полученного результата и стационарности

технологического процесса.

Выполнение

  1. Найдем числовые характеристики выборки из первых 100 значений и 20 выборочных значений сопротивлений:

Рис 1. Числовые характеристики выборки

  1. Построим гистограмму:

Рис 2. Гистограмма распределения

  1. Построим функцию распределения:

Рис 3. Функция распределения

  1. Доверительные интервалы для нормального распределения и для распределения Стьюдента.

Рис 4. Доверительный интервал нормального распределения

Рис 5. Доверительный интервал распределения Стьюдента

  1. Построим гистограмму по 20:

  1. Построим функцию распределения по 20:

  1. Проведем проверку на стационарность.

Используем критерий Стьюдента:

Используем критерий Фишера:

- отношение большей дисперсии к меньшей

Вывод: для проверки процесса на стационарность было произведено сравнение среднеквадратических значений резистивных элементов. На основании ранее найденных выборочных дисперсий 𝐷100 и 𝐷20 провели оценку значимости различий дисперсий. При незначительном различии этих величин мы могли был принять гипотезу о стационарности.

Так как и , то гипотезы о равенстве средних не принимаются.

, гипотеза о равенстве дисперсий не принимается.

, гипотеза о равенстве средних принимается. Процесс стационарен.

Соседние файлы в предмете Основы конструирования и технологии производства электронных схем