ОКиТПЭС_2к_Carla

МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

«Московский технический университет связи и информатики»

Факультет Сети и системы связи

Кафедра Электроника

Лабораторная работа № 2к

по дисциплине «Основы конструирования и технологии производства ЭС»:

  

«Проектирование печатных плат блоков РЭА из интегральных микросхем с элементами САПР»

Подготовил:

студент 3-го курса, гр. BMW2222

Carla Rosson

Проверил:

Аринин О. В.

Марковский А. В.

Москва

2024

Цель работы:

Изучение принципов конструирования печатных плат для обеспечения заданных электрических и эксплуатационных характеристик на основе использования типовых материалов и компонентов, а также элементов САПР.

Выполнение работы:

Вариант 1

Генератор М-последовательности М2 4 с защитой от блокировки. Предназначен для работы в бортовой самолетной аппаратуре. Производство мелкосерийное. Габариты минимальные. Разъем ШТЫРЕВОЙ.

Построим принципиальную модель заданной электрической схемы в окне программы easyEDA, используя подходящие элементы из её библиотеки. Входы и выходы DD2 и DD3 подключаем в соответствии со спецификациями элементов SN7486 и SN7425 соответственно. Все неиспользованные ножки подтягиваем к земле.

Переведем полученную схему в модель печатной платы, оптимизировав расположение её элементов и контактов, выполним трассировку дорожек, с целью достижения более компактного размера и форм-фактора итогового устройства.

Создание медного полигона для земляной шины с двух сторон печатной платы:

Расчет максимальной паразитной емкости между двумя параллельно расположенными проводниками-дорожками:

C = e₀ * e * S/d,

где e₀ – диэлектрическая проницаемость воздуха = 8,85 *10^-12 Ф/м,

e = 6 – относительная диэлектрическая проницаемость материала подложки,

S - площадь перекрытия печатных дорожек (произведение длины перекрытия на его ширину),

d – расстояние между двумя печатными проводниками.

C_м = e₀ * e * S_м/d = 8,85 *10^-12 *6 * (0,254*117,839*10^-6)/(1,5*10^-3) = 1,027 пФ.

Полученная паразитная емкость не должна привести к сильному изменению частотной характеристики разработанной печатной платы, поэтому функциональность устройства не пострадает.

Чертёж конструкции ИС (DIP-14):