ЭБНЭ_full
.pdf
диффузия
1. Предварительное осаждение (для контроля дозы). На этом этапе требуемые атомы легирующей примеси регулируемо вводятся в
мишень с помощью таких методов, как диффузия газовой фазы и диффузия твердой фазы.
2. Управление профилем.
На этом этапе вводимые легирующие вещества загоняются глубже в подложку без введения дополнительных атомов легирующих веществ.
Особенности диффузии
Тонкий оксид затвора выращивается на поверхности путем термического окисления
CVD - Химическое осаждение из газовой фазы
легирование
Температура осаждения, 600 – 650 °C
Atomic Layer Deposition (ALD)
Atomic Layer Deposition (ALD)
составляет 200÷400 °C.
1 атомарный слой
Имплантация
Преимущества ионной имплантации включают точный контроль дозы и глубины профиля/имплантации. Это низкотемпературный процесс, широкий выбор материалов и отличную равномерность боковой дозы.
Основное различие между ионной имплантацией и диффузией заключается в том, что ионная имплантация является изотропной и очень направленной
0,8 мкм самосовмещающиеся polySi затворы.
