Как называется величина, обратная Фп1? Какова её размерность?
Обнаружительную способность определяют расчётным путём
p-i-n фотодиоды. Принцип работы. Основные параметры и характеристики. Применение
1. Высокочастотные переключатели и аттенюаторы:
• СВЧ и радиочастотное оборудование: P-i-n диоды используются в качестве быстрых переключателей и аттенюаторов в радиолокационных системах, телекоммуникационных устройствах (например, в мобильных телефонах), и измерительной аппаратуре. Их способность быстро переключаться между состояниями с низким и высоким сопротивлением делает их идеальными для этих целей.
• Радиосвязь: Используются в радиопередатчиках и приемниках для модуляции и демодуляции сигнала, а также для защиты от перегрузок.
2. Фотодетекторы и датчики освещенности:
• Солнечные батареи: P-i-n диоды, особенно с использованием материалов на основе кремния, являются основой многих солнечных батарей. Их конструкция позволяет эффективно собирать свет и преобразовывать его в электричество.
• Фотодиоды: P-i-n диоды широко используются в качестве фотодиодов для обнаружения света в различных приложениях, например, в камерах, сканерах и оптических датчиках.
• Оптоволоконные коммуникации: Используются в качестве фотодетекторов на приемной стороне оптоволоконных линий связи для преобразования световых сигналов в электрические.
• Медицинская визуализация: Применяются в рентгеновских и других системах медицинской визуализации.
3. Силовая электроника:
• Выпрямители: В некоторых приложениях, где требуется высокая надежность и скорость, p-i-n диоды используются в качестве выпрямительных элементов в блоках питания и преобразователях.
• Защитные устройства: Используются в цепях защиты от перенапряжений и электростатических разрядов.
4. Другие области применения:
• Электролюминесцентные дисплеи: Используются в некоторых типах дисплеев для управления пикселями и генерации света.
• Детекторы ионизирующего излучения: Применяются в детекторах радиации, например, в дозиметрах.
• Датчики магнитного поля: В сочетании с другими элементами могут использоваться в датчиках магнитного поля.
• Лазерные диоды: В качестве активного элемента в некоторых типах лазеров.
Приведите формулу удельной обнаружительной способности пои.
Удельная обнаружительная способность (D*) характеризует возможность использования фотоприемника для обнаружения предельно малых сигналов. Чем больше она по абсолютной величине, тем лучшей чувствительностью обладает фотоприемник. Удельная обнаружительная способность является результирующим параметром, позволяющим сравнивать любые фоторезисторы для заданных условий измерений: температуры, величины телесного угла и частоты модуляции лучистого потока.
Приведите вид (примерный) энергетической характеристики пои.
Приведите основные характеристики пои.
Характеристика — это зависимость, описывающая изменение какого-либо параметра ПОИ при изменении внешних факторов. Характеристику можно выразить формулой, графиком или таблицей.
