- •1. Процессы формирования слоев
- •2. Микроклимат производственных помещений
- •3. Оборудование для контроля чистоты и микроклимата
- •4. Значение чистоты и микроклимата
- •1. Классы чистоты воздуха (iso 14644)
- •2. Классы чистоты материалов
- •3. Классы чистоты веществ
- •1. Мокрая химическая очистка
- •2. Сухая очистка
- •1. Подготовка подложек
- •1. Механические вакуумметры
- •2. Тепловые вакуумметры
- •3. Ионизационные вакуумметры
- •1. Пластинчато-роторные насосы
- •2. Мембранные насосы
- •3. Поршневые насосы
- •4. Винтовые насосы
- •5. Водокольцевые насосы
- •4. Сорбционные насосы
- •5. Геттерные насосы
- •1. Пиролиз
- •2. Восстановление водородом
- •1. Подготовка подложки
- •2. Нанесение фоторезиста
- •3. Экспонирование
- •4. Проявление
- •5. Постобработка резиста
- •6. Травление
- •7. Удаление резиста
- •8. Контроль качества
- •1. Центрифугирование (спин-костинг, spin-coating)
- •2. Нанесение методом погружения (дип-костинг, dip-coating)
- •3. Напыление (спрей-костинг, spray-coating)
- •4. Литьё (casting)
- •5. Нанесение методом распыления центрифугой
- •1. Прямолинейное распределение (наивная модель)
- •2. Гауссово распределение ионов
- •3. Влияние каналирования
2. Микроклимат производственных помещений
Под микроклиматом понимаются параметры окружающей среды, такие как температура, влажность, давление и воздушные потоки.
Ключевые параметры микроклимата
Температура:
Обычно поддерживается в диапазоне 20±1°C20 \pm 1°C20±1°C.
Стабильная температура необходима для предотвращения деформаций подложек и нарушения работы оборудования.
Влажность:
Контролируется в диапазоне 30–50% для предотвращения накопления статического электричества и роста органических загрязнений.
Давление:
В чистых помещениях часто создается избыточное давление, чтобы исключить попадание загрязнений извне.
Скорость и направление воздушных потоков:
Воздух в чистых помещениях движется вертикально сверху вниз, обеспечивая удаление частиц и предотвращение их оседания на рабочих поверхностях.
3. Оборудование для контроля чистоты и микроклимата
Фильтры HEPA/ULPA: Для удаления мельчайших частиц из воздуха.
Мониторы частиц: Постоянный контроль концентрации загрязнений.
Климат-контроль: Для управления температурой и влажностью.
Антистатические системы: Для предотвращения накопления статического электричества.
4. Значение чистоты и микроклимата
Качество продукции: Загрязнения могут привести к дефектам в структурах и отказам.
Повышение выхода годной продукции: Стабильные условия уменьшают количество брака.
Увеличение надежности устройств: Изделия, изготовленные в чистых условиях, имеют более высокую долговечность и стабильность параметров.
Классы чистоты материалов и веществ. Примеры.
Классы чистоты материалов и веществ
Классы чистоты материалов и веществ определяют допустимое содержание примесей, загрязнений или посторонних частиц. Они стандартизированы в зависимости от области применения (например, микроэлектроника, фармацевтика, оптика) и обеспечивают высокое качество продукции.
1. Классы чистоты воздуха (iso 14644)
Классификация определяет допустимое количество частиц на кубический метр воздуха.
Класс чистоты (ISO) |
Размер частиц (микрометры) |
Максимальное число частиц в 1 м³ |
ISO 1 |
≥0,1 |
10 |
ISO 2 |
≥0,1 |
100 |
ISO 5 |
≥0,5 |
3 520 |
ISO 7 |
≥0,5 |
352 000 |
ISO 9 |
≥0,5 |
35 200 000 |
Пример:
ISO 1–3: Производство полупроводников.
ISO 5: Микроэлектроника, литография.
ISO 7–8: Общая сборка микросистем.
2. Классы чистоты материалов
Материалы классифицируются по содержанию примесей (например, металлических, органических, частиц).
Полупроводники
Кремний:
Электронный кремний: Содержание примесей менее 101010^{10}1010 атомов/см³.
Чистый кремний (CZ): Примеси, такие как кислород и углерод, не превышают 101610^{16}1016 атомов/см³.
Сверхчистый кремний (FZ): Используется для высокочувствительных компонентов МЭМС.
Металлы
Алюминий высокой чистоты:
Для проводников требуется чистота >99,99%>99,99\%>99,99%.
Золото и платина:
Используются в контактах, чистота >99,999%.
Диэлектрики
Оксид кремния (SiO₂):
Чистота зависит от области применения (оптика или электроника).
Нитрид кремния (Si₃N₄):
Применяется в пассивирующих слоях, требует минимального содержания кислорода.
Газы
Газы для процесса травления, эпитаксии или осаждения:
Аргон, кислород, водород: Чистота >99,999% (5N).
Фтороводород (HF): Чистота >99,995% для травления.
