
- •1. Процессы формирования слоев
- •2. Микроклимат производственных помещений
- •3. Оборудование для контроля чистоты и микроклимата
- •4. Значение чистоты и микроклимата
- •1. Классы чистоты воздуха (iso 14644)
- •2. Классы чистоты материалов
- •3. Классы чистоты веществ
- •1. Мокрая химическая очистка
- •2. Сухая очистка
- •1. Подготовка подложек
- •1. Механические вакуумметры
- •2. Тепловые вакуумметры
- •3. Ионизационные вакуумметры
- •1. Пластинчато-роторные насосы
- •2. Мембранные насосы
- •3. Поршневые насосы
- •4. Винтовые насосы
- •5. Водокольцевые насосы
- •4. Сорбционные насосы
- •5. Геттерные насосы
- •1. Пиролиз
- •2. Восстановление водородом
- •1. Подготовка подложки
- •2. Нанесение фоторезиста
- •3. Экспонирование
- •4. Проявление
- •5. Постобработка резиста
- •6. Травление
- •7. Удаление резиста
- •8. Контроль качества
- •1. Центрифугирование (спин-костинг, spin-coating)
- •2. Нанесение методом погружения (дип-костинг, dip-coating)
- •3. Напыление (спрей-костинг, spray-coating)
- •4. Литьё (casting)
- •5. Нанесение методом распыления центрифугой
- •1. Прямолинейное распределение (наивная модель)
- •2. Гауссово распределение ионов
- •3. Влияние каналирования
Вопросы для подготовки к экзамену по курсу
«Основы планарной технологии»
Классификация процессов микротехнологии
1. Процессы формирования слоев
Эти процессы используются для создания тонких пленок и слоев материалов на подложке.
Химическое осаждение:
Химическое осаждение из газовой фазы (CVD).
Плазмохимическое осаждение (PECVD).
Электрохимическое осаждение (гальваника).
Физическое осаждение:
Магнетронное распыление.
Напыление в вакууме (PVD).
Испарение материалов.
Термическое окисление:
Формирование оксида кремния (SiO₂) на поверхности кремния.
Эпитаксия:
Осаждение слоев кристаллического кремния на подложке.
2. Процессы травления
Используются для удаления материала с подложки или тонких слоев, создавая заданные структуры.
Мокрое травление:
Химическое травление в жидкостях (KOH, HF).
Сухое травление:
Реактивное ионное травление (RIE).
Анизотропное глубокое травление (DRIE).
Плазменное травление.
3. Литографические процессы
Используются для создания масок и узоров на подложке.
Фотолитография:
Экспонирование слоев через маску с использованием ультрафиолетового света.
Электронно-лучевая литография:
Высокоточная техника, использующая электронные лучи.
Нанолитография:
Применение зондовых технологий для создания нанометровых узоров.
4. Процессы легирования
Используются для изменения электрических свойств полупроводникового материала.
Диффузия:
Введение примесей в материал под воздействием температуры.
Ионная имплантация:
Имплантация ионов примесей под действием ускоренного ионного пучка.
5. Процессы соединения и сборки
Применяются для объединения отдельных частей или завершения структуры.
Сварка и пайка:
Соединение металлических компонентов.
Бондинг:
Анодный бондинг (например, стекло-кремний).
Термо-компрессионный бондинг.
Монтаж микросистем:
Установление электрических и механических соединений.
6. Процессы микрообработки
Позволяют формировать сложные 3D-структуры.
Обработка объемного материала:
Анизотропное мокрое травление (KOH, EDP).
Поверхностная микрообработка:
Формирование структур из тонких пленок с использованием травления и литографии.
Лазерная обработка:
Применение лазеров для резки, сверления и модификации поверхности.
7. Процессы модификации поверхности
Используются для улучшения адгезии, функционализации или изменения свойств поверхности.
Плазменная обработка:
Очищение, модификация поверхности.
Покрытия:
Нанесение гидрофобных, антиотражающих или проводящих слоев.
Чистота и микроклимат производственных помещений.
1. Чистота производственных помещений
Чистота помещений определяется количеством и размером частиц пыли в воздухе, а также уровнем загрязняющих веществ (например, химических паров).
Классы чистоты
Чистота помещений классифицируется по международным стандартам, таким как ISO 14644 или Федеральный стандарт США 209E.
Например:
ISO 1–ISO 9: Чем меньше номер класса, тем выше чистота.
Чистое помещение класса ISO 5 соответствует не более 3 520 частиц размером ≥ 0,5 мкм на кубический метр воздуха.
Источники загрязнений
Пыль и частицы с одежды персонала.
Химические пары из оборудования и материалов.
Органические вещества и микроорганизмы.
Остатки материалов при производственных процессах (например, травление, литография).
Меры обеспечения чистоты
Установка систем фильтрации воздуха (HEPA и ULPA-фильтры).
Создание ламинарных потоков воздуха для исключения накопления загрязнений.
Использование антистатической одежды, перчаток, масок, обуви.
Минимизация количества персонала и оборудования в чистых зонах.