- •1. Подготовка подложки 56
- •6. Травление 57
- •Классификация процессов микротехнологии
- •1. Процессы формирования слоёв
- •Чистота и микроклимат производственных помещений.
- •2. Микроклимат производственных помещений
- •3. Оборудование для контроля чистоты и микроклимата
- •4. Значение чистоты и микроклимата
- •Классы чистоты материалов и веществ. Примеры.
- •1. Классы чистоты воздуха (iso 14644)
- •2. Классы чистоты материалов
- •3. Классы чистоты материалов и веществ
- •Способы очистки поверхности пластин в микроэлектронном производстве.
- •1. Мокрая химическая очистка
- •2. Сухая очистка
- •Базовые операции планарной технологии.
- •1. Подготовка подложек
- •2. Формирование тонких плёнок
- •3. Литография
- •4. Удаление вещества
- •5. Легирование
- •6. Формирование контактов
- •7. Пассивация
- •8. Соединение и сборка
- •Базовые операции изопланарной технологии.I
- •1. Подготовка подложки
- •2. Формирование изолирующих слоёв
- •Технология «кремний на изоляторе».
- •Уровни вакуума. Способы получения вакуума.
- •Форвакуумные насосы:
- •Приборы для измерения уровня вакуума.
- •Форвакуумные насосы.
- •1. Пластинчато-роторные насосы
- •2. Мембранные насосы
- •3. Поршневые насосы
- •4. Винтовые насосы
- •5. Водокольцевые насосы
- •Насосы для получения высокого и сверхвысокого вакуума.
- •3. Криогенные насосы
- •4. Сорбционные насосы
- •5. Геттерные насосы
- •Термическое вакуумное нанесение.
- •Методы осаждения вещества из газовой фазы.
- •Газофазная эпитаксия кремния: пиролиз, восстановление водородом.
- •Подготовка подложки:
- •1. Пиролиз
- •2. Восстановление водородом
- •Газовая эпитаксия соединений аiii bv.
- •Газофазное осаждение окислов и нитридов.
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •Магнетронное нанесение металлических слоёв.
- •Литографический процесс. Оценка качества и разрешения.
- •Подготовка подложки:
- •Травление:
- •Литографический процесс. Негативный и позитивный резисты.
- •Фотошаблоны. Совмещение.
- •1. Фотошаблоны
- •2. Совмещение (Aligment)
- •Последовательность операций стандартного фотолитографического процесса.
- •1. Подготовка подложки
- •2. Нанесение фоторезиста
- •3. Экспонирование
- •4. Проявление
- •5. Постобработка резиста
- •6. Травление
- •7. Удаление резиста
- •8. Контроль качества
- •Методы нанесения резистов. Адгезия.
- •1. Центрифугирование (спин-костинг, spin-coating)
- •2. Нанесение методом погружения (дип-костинг, dip-coating)
- •3. Напыление (спрей-костинг, spray-coating)
- •4. Литьё (casting)
- •5. Нанесение методом распыления центрифугой
- •Ультразвуковая очистка.
- •Фотолитография. Способы экспонирования. Разрешающая способность.
- •1. Основы фотолитографии
- •4. Применение фотолитографии
- •Виды дефектов при проведении литографии.
- •1. Виды дефектов в литографии
- •1.1. Дефекты, возникающие на этапе нанесения фоторезиста
- •1.2. Дефекты, возникающие на этапе экспонирования
- •1.3. Дефекты, возникающие на этапе проявления
- •1.4. Дефекты, возникающие на этапе травления
- •2. Типы литографических дефектов по механизму их возникновения
- •2.1. Геометрические дефекты
- •2.2. Дефекты из-за взаимодействия с окружающей средой
- •2.3. Дефекты, связанные с оптическими эффектами
- •3. Способы борьбы с дефектами литографии
- •Методы термического окисления кремния. Способы реализации и особенности.
- •1. Принципы термического окисления
- •2. Методы термического окисления
- •2.1. Сухое окисление
- •2.2. Мокрое окисление
- •2.3. Комбинированное (двухэтапное) окисление
- •3. Способы реализации процесса термического окисления
- •3.1. Печи для термического окисления
- •3.2. Локальное окисление (locos)
- •3.3. Быстрое термическое окисление (rto)
- •3.4. Плазмохимическое окисление
- •4. Особенности термического окисления
- •5. Применение термического окисления
- •Распределение примесей при термическом окислении
- •1. Принципы распределения примесей
- •6. Методы контроля распределения примесей
- •Физика диффузионных процессов. Двухстадийная диффузия.
- •Математическое описание диффузионных процессов в твёрдых телах. Законы диффузии.
- •1. Основные законы диффузии
- •1.1. Первый закон Фика (статический)
- •5. Влияние температуры на диффузию
- •6. Примеры диффузионных процессов
- •Распределение примесей при диффузии. Стадия «загонки» (введение примесей).
- •1. Основные этапы процесса диффузии
- •1.1. Стадия загонки (введение примесей)
- •Распределение примесей при диффузии. Стадия «разгонки» (перераспределение примесей).
- •1. Характеристики стадии «разгонки»
- •2. Модели перераспределения примесей
- •2.1. Диффузия с неограниченным источником
- •2.2. Диффузия с ограниченным источником
- •3. Основные параметры распределения
- •4. Факторы, влияющие на перераспределение примесей
- •5. Применение стадии разгонки
- •6. Пример: Диффузия бора в кремнии
- •Методы осуществления процесса диффузии. Источники и способы введения примесей. Оборудование для диффузии.
- •5. Применение процесса диффузии
- •Математическое описание процесса ионной имплантации.
- •1. Прямолинейное распределение (наивная модель)
- •2. Гауссово распределение ионов
- •3. Влияние каналирования
- •Физика процесса ионной имплантации. Эффекты разупорядочивания и каналирования.
- •Ионная имплантация. Процессы дефектообразования. Отжиг дефектов.
- •Применение методов ионной имплантации в микротехнологии. Легирование, окисление, нитрирование, протонизация.
- •1. Легирование полупроводников
- •2. Окисление ионной имплантацией
- •3. Нитрирование ионной имплантацией
- •4. Протонизация
- •Аппаратурная реализация процессов ионной имплантации.
- •Форвакуумные насосы.
- •Жидкостное химическое травление. Травители, стадии процесса, управление скоростью процесса.
- •Изотропное жидкостное травление кремния.
- •Подготовка подложки:
- •Травление:
- •Ориентационно-чувствительное анизотропное травление.
- •Плазменное и ионное травление.
- •1. Плазменное травление
- •2. Ионное травление
- •Свойства материалов, необходимые для создания проводящих и изолирующих слоёв интегральных микросхем.
- •2. Изолирующие материалы
- •Ионно-химическое осаждение слоёв.
- •Ионно-химическое травление.
1.4. Дефекты, возникающие на этапе травления
Эти дефекты связаны с неравномерным или неполным удалением материала из-за травления, что приводит к неправильной геометрии паттернов на подложке.
Перетравление: Это дефект, при котором материал на подложке удаляется избыточно, что приводит к разрушению желаемого паттерна.
Недотравление: Этот дефект возникает, когда травление не удаляет достаточное количество материала, и остаются нежелательные участки, которые могут создавать ошибки в дальнейшем процессе.
Реманентные следы: Эти дефекты происходят, когда остатки материала (например, окислов или загрязнений) остаются на подложке после травления, что может повлиять на характеристики устройства.
2. Типы литографических дефектов по механизму их возникновения
2.1. Геометрические дефекты
Скосы и искажения: Происходят из-за несовершенства фокусировки или движения фотошаблона, приводящего к искажению паттерна.
Неравномерность размеров: Некоторые участки паттерна могут быть больше или меньше, чем задано, из-за ошибок в экспонировании или проявлении.
Нарушение симметрии: Это дефект, когда симметричные элементы паттерна становятся асимметричными, что может быть связано с неправильным выравниванием или неправильным экспонированием.
2.2. Дефекты из-за взаимодействия с окружающей средой
Контаминация: Загрязнение фоторезиста или подложки частицами, пылью или другими загрязнителями может привести к образованию неожиданных дефектов.
Температурные колебания: Изменения температуры могут вызвать расширение или сжатие материалов, что приводит к возникновению трещин или неправильной геометрии паттерна.
2.3. Дефекты, связанные с оптическими эффектами
Подогрев или переохлаждение фоторезиста: Недостаточная или избыточная температура во время экспозиции может повлиять на реакцию фоторезиста, приводя к дефектам в результате его неравномерной обработки.
Эффект стоячей волны: При неправильной фокусировке или проектировании литографического оборудования могут возникать стоячие волны, которые могут создавать непредсказуемые искажения на поверхности материала.
3. Способы борьбы с дефектами литографии
Использование высокого качества фоторезистов: Это позволяет избежать многих дефектов, таких как плохое покрытие или неправильное проявление.
Контроль параметров экспозиции: Точная настройка времени экспозиции, фокусировки и дозы света помогает избежать дефектов, связанных с под- или переэкспозицией.
Использование методов улучшения разрешения: Включение различных методик, таких как использование более коротких волн света (EUV), облучение несколькими импульсами, или улучшение NA (апертурного числа), позволяет уменьшить дифракционные дефекты.
Оптимизация процесса травления: Важно тщательно контролировать условия травления, чтобы избежать недотравления или перетравления.
Автоматизация контроля качества: Использование современных методов анализа дефектов, таких как электронные микроскопы и системы контроля качества, помогает быстрее выявлять и устранять дефекты.
Заключение
Дефекты, возникающие при проведении литографии, могут существенно повлиять на качество микросхем и других микроэлектронных устройств. Тщательный контроль на каждом этапе процесса, от нанесения фоторезиста до травления, позволяет минимизировать риски возникновения дефектов и обеспечивать высокое качество конечной продукции.
