
- •1. Подготовка подложки 56
- •6. Травление 57
- •Классификация процессов микротехнологии
- •1. Процессы формирования слоёв
- •Чистота и микроклимат производственных помещений.
- •2. Микроклимат производственных помещений
- •3. Оборудование для контроля чистоты и микроклимата
- •4. Значение чистоты и микроклимата
- •Классы чистоты материалов и веществ. Примеры.
- •1. Классы чистоты воздуха (iso 14644)
- •2. Классы чистоты материалов
- •3. Классы чистоты материалов и веществ
- •Способы очистки поверхности пластин в микроэлектронном производстве.
- •1. Мокрая химическая очистка
- •2. Сухая очистка
- •Базовые операции планарной технологии.
- •1. Подготовка подложек
- •2. Формирование тонких плёнок
- •3. Литография
- •4. Удаление вещества
- •5. Легирование
- •6. Формирование контактов
- •7. Пассивация
- •8. Соединение и сборка
- •Базовые операции изопланарной технологии.I
- •1. Подготовка подложки
- •2. Формирование изолирующих слоёв
- •Технология «кремний на изоляторе».
- •Уровни вакуума. Способы получения вакуума.
- •Форвакуумные насосы:
- •Приборы для измерения уровня вакуума.
- •Форвакуумные насосы.
- •1. Пластинчато-роторные насосы
- •2. Мембранные насосы
- •3. Поршневые насосы
- •4. Винтовые насосы
- •5. Водокольцевые насосы
- •Насосы для получения высокого и сверхвысокого вакуума.
- •3. Криогенные насосы
- •4. Сорбционные насосы
- •5. Геттерные насосы
- •Термическое вакуумное нанесение.
- •Методы осаждения вещества из газовой фазы.
- •Газофазная эпитаксия кремния: пиролиз, восстановление водородом.
- •Подготовка подложки:
- •1. Пиролиз
- •2. Восстановление водородом
- •Газовая эпитаксия соединений аiii bv.
- •Газофазное осаждение окислов и нитридов.
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •Магнетронное нанесение металлических слоёв.
- •Литографический процесс. Оценка качества и разрешения.
- •Подготовка подложки:
- •Травление:
- •Литографический процесс. Негативный и позитивный резисты.
- •Фотошаблоны. Совмещение.
- •1. Фотошаблоны
- •2. Совмещение (Aligment)
- •Последовательность операций стандартного фотолитографического процесса.
- •1. Подготовка подложки
- •2. Нанесение фоторезиста
- •3. Экспонирование
- •4. Проявление
- •5. Постобработка резиста
- •6. Травление
- •7. Удаление резиста
- •8. Контроль качества
- •Методы нанесения резистов. Адгезия.
- •1. Центрифугирование (спин-костинг, spin-coating)
- •2. Нанесение методом погружения (дип-костинг, dip-coating)
- •3. Напыление (спрей-костинг, spray-coating)
- •4. Литьё (casting)
- •5. Нанесение методом распыления центрифугой
- •Ультразвуковая очистка.
- •Фотолитография. Способы экспонирования. Разрешающая способность.
- •1. Основы фотолитографии
- •4. Применение фотолитографии
- •Виды дефектов при проведении литографии.
- •1. Виды дефектов в литографии
- •1.1. Дефекты, возникающие на этапе нанесения фоторезиста
- •1.2. Дефекты, возникающие на этапе экспонирования
- •1.3. Дефекты, возникающие на этапе проявления
- •1.4. Дефекты, возникающие на этапе травления
- •2. Типы литографических дефектов по механизму их возникновения
- •2.1. Геометрические дефекты
- •2.2. Дефекты из-за взаимодействия с окружающей средой
- •2.3. Дефекты, связанные с оптическими эффектами
- •3. Способы борьбы с дефектами литографии
- •Методы термического окисления кремния. Способы реализации и особенности.
- •1. Принципы термического окисления
- •2. Методы термического окисления
- •2.1. Сухое окисление
- •2.2. Мокрое окисление
- •2.3. Комбинированное (двухэтапное) окисление
- •3. Способы реализации процесса термического окисления
- •3.1. Печи для термического окисления
- •3.2. Локальное окисление (locos)
- •3.3. Быстрое термическое окисление (rto)
- •3.4. Плазмохимическое окисление
- •4. Особенности термического окисления
- •5. Применение термического окисления
- •Распределение примесей при термическом окислении
- •1. Принципы распределения примесей
- •6. Методы контроля распределения примесей
- •Физика диффузионных процессов. Двухстадийная диффузия.
- •Математическое описание диффузионных процессов в твёрдых телах. Законы диффузии.
- •1. Основные законы диффузии
- •1.1. Первый закон Фика (статический)
- •5. Влияние температуры на диффузию
- •6. Примеры диффузионных процессов
- •Распределение примесей при диффузии. Стадия «загонки» (введение примесей).
- •1. Основные этапы процесса диффузии
- •1.1. Стадия загонки (введение примесей)
- •Распределение примесей при диффузии. Стадия «разгонки» (перераспределение примесей).
- •1. Характеристики стадии «разгонки»
- •2. Модели перераспределения примесей
- •2.1. Диффузия с неограниченным источником
- •2.2. Диффузия с ограниченным источником
- •3. Основные параметры распределения
- •4. Факторы, влияющие на перераспределение примесей
- •5. Применение стадии разгонки
- •6. Пример: Диффузия бора в кремнии
- •Методы осуществления процесса диффузии. Источники и способы введения примесей. Оборудование для диффузии.
- •5. Применение процесса диффузии
- •Математическое описание процесса ионной имплантации.
- •1. Прямолинейное распределение (наивная модель)
- •2. Гауссово распределение ионов
- •3. Влияние каналирования
- •Физика процесса ионной имплантации. Эффекты разупорядочивания и каналирования.
- •Ионная имплантация. Процессы дефектообразования. Отжиг дефектов.
- •Применение методов ионной имплантации в микротехнологии. Легирование, окисление, нитрирование, протонизация.
- •1. Легирование полупроводников
- •2. Окисление ионной имплантацией
- •3. Нитрирование ионной имплантацией
- •4. Протонизация
- •Аппаратурная реализация процессов ионной имплантации.
- •Форвакуумные насосы.
- •Жидкостное химическое травление. Травители, стадии процесса, управление скоростью процесса.
- •Изотропное жидкостное травление кремния.
- •Подготовка подложки:
- •Травление:
- •Ориентационно-чувствительное анизотропное травление.
- •Плазменное и ионное травление.
- •1. Плазменное травление
- •2. Ионное травление
- •Свойства материалов, необходимые для создания проводящих и изолирующих слоёв интегральных микросхем.
- •2. Изолирующие материалы
- •Ионно-химическое осаждение слоёв.
- •Ионно-химическое травление.
Чистота и микроклимат производственных помещений.
1. Чистота производственных помещений
Чистота помещений определяется количеством и размером частиц пыли в воздухе, а также уровнем загрязняющих веществ (например, химических паров).
Классы чистоты
Чистота помещений классифицируется по международным стандартам, таким как ISO 14644 или Федеральный стандарт США 209E.
Например:
ISO 1–ISO 9: Чем меньше номер класса, тем выше чистота.
Чистое помещение класса ISO 5 соответствует не более 3 520 частиц размером ≥ 0,5 мкм на кубический метр воздуха.
Источники загрязнений
Пыль и частицы с одежды персонала.
Химические пары из оборудования и материалов.
Органические вещества и микроорганизмы.
Остатки материалов при производственных процессах (например, травление, литография).
Меры обеспечения чистоты
Установка систем фильтрации воздуха (HEPA и ULPA-фильтры).
Создание ламинарных потоков воздуха для исключения накопления загрязнений.
Использование антистатической одежды, перчаток, масок, обуви.
Минимизация количества персонала и оборудования в чистых зонах.
2. Микроклимат производственных помещений
Под микроклиматом понимаются параметры окружающей среды, такие как температура, влажность, давление и воздушные потоки.
Ключевые параметры микроклимата
Температура:
Обычно поддерживается в диапазоне 20±1°C20 \pm 1°C20±1°C.
Стабильная температура необходима для предотвращения деформаций подложек и нарушения работы оборудования.
Влажность:
Контролируется в диапазоне 30–50% для предотвращения накопления статического электричества и роста органических загрязнений.
Давление:
В чистых помещениях часто создаётся избыточное давление, чтобы исключить попадание загрязнений извне.
Скорость и направление воздушных потоков:
Воздух в чистых помещениях движется вертикально сверху вниз, обеспечивая удаление частиц и предотвращение их оседания на рабочих поверхностях.
3. Оборудование для контроля чистоты и микроклимата
Фильтры HEPA/ULPA: Для удаления мельчайших частиц из воздуха.
Мониторы частиц: Постоянный контроль концентрации загрязнений.
Климат-контроль: Для управления температурой и влажностью.
Антистатические системы: Для предотвращения накопления статического электричества.
4. Значение чистоты и микроклимата
Качество продукции: Загрязнения могут привести к дефектам в структурах и отказам.
Повышение выхода годной продукции: Стабильные условия уменьшают количество брака.
Увеличение надёжности устройств: Изделия, изготовленные в чистых условиях, имеют более высокую долговечность и стабильность параметров.
Чем выше класс чистоты помещений, тем выше степень интеграции элементов. Например, для помещения класса чистоты 10000 можно расположить 102-103элементов на квадратный миллиметр, а при классе чистоты 10 степень интеграции уже составляет 108 элементов/мм2.
Также от класса чистоты помещения зависит технологический процесс, который можно в нем делать. Так, травление и сборку можно выполнять в помещении класса 1000,а нанесение слоёв, эпитаксию, имплантацию, диффузию и фотолитографию в помещении класса чистоты 10.
Загрязнения могут испортить каждый из основных операций микротехнологии. Если при нанесении вещества пыль осядет на металлизацию, то появится мостик, который значительно уменьшит параметры системы. Поэтому данную операцию делают в помещениях высокой чистоты, где минимальный размер частиц, подвергаемых контролю, составляет 0,1мкм. Например, Частица размером около 0,5 мкм может чрезвычайно затруднять адгезию покрытия на пластине.
Если произойдёт окисление алюминия, то он будет уже не полупроводником, а изолятором. Поскольку его сопротивление увеличится.
При недостаточной очистке реактивных газов примесь попадёт в рабочий материал. Получится вкрапление щелочного металла в материале.
Чтобы обеспечить выход годного материала на высоком уровне нужно следить за выполнением всех норм при работе.