
- •1. Подготовка подложки 56
- •6. Травление 57
- •Классификация процессов микротехнологии
- •1. Процессы формирования слоёв
- •Чистота и микроклимат производственных помещений.
- •2. Микроклимат производственных помещений
- •3. Оборудование для контроля чистоты и микроклимата
- •4. Значение чистоты и микроклимата
- •Классы чистоты материалов и веществ. Примеры.
- •1. Классы чистоты воздуха (iso 14644)
- •2. Классы чистоты материалов
- •3. Классы чистоты материалов и веществ
- •Способы очистки поверхности пластин в микроэлектронном производстве.
- •1. Мокрая химическая очистка
- •2. Сухая очистка
- •Базовые операции планарной технологии.
- •1. Подготовка подложек
- •2. Формирование тонких плёнок
- •3. Литография
- •4. Удаление вещества
- •5. Легирование
- •6. Формирование контактов
- •7. Пассивация
- •8. Соединение и сборка
- •Базовые операции изопланарной технологии.I
- •1. Подготовка подложки
- •2. Формирование изолирующих слоёв
- •Технология «кремний на изоляторе».
- •Уровни вакуума. Способы получения вакуума.
- •Форвакуумные насосы:
- •Приборы для измерения уровня вакуума.
- •Форвакуумные насосы.
- •1. Пластинчато-роторные насосы
- •2. Мембранные насосы
- •3. Поршневые насосы
- •4. Винтовые насосы
- •5. Водокольцевые насосы
- •Насосы для получения высокого и сверхвысокого вакуума.
- •3. Криогенные насосы
- •4. Сорбционные насосы
- •5. Геттерные насосы
- •Термическое вакуумное нанесение.
- •Методы осаждения вещества из газовой фазы.
- •Газофазная эпитаксия кремния: пиролиз, восстановление водородом.
- •Подготовка подложки:
- •1. Пиролиз
- •2. Восстановление водородом
- •Газовая эпитаксия соединений аiii bv.
- •Газофазное осаждение окислов и нитридов.
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •Магнетронное нанесение металлических слоёв.
- •Литографический процесс. Оценка качества и разрешения.
- •Подготовка подложки:
- •Травление:
- •Литографический процесс. Негативный и позитивный резисты.
- •Фотошаблоны. Совмещение.
- •1. Фотошаблоны
- •2. Совмещение (Aligment)
- •Последовательность операций стандартного фотолитографического процесса.
- •1. Подготовка подложки
- •2. Нанесение фоторезиста
- •3. Экспонирование
- •4. Проявление
- •5. Постобработка резиста
- •6. Травление
- •7. Удаление резиста
- •8. Контроль качества
- •Методы нанесения резистов. Адгезия.
- •1. Центрифугирование (спин-костинг, spin-coating)
- •2. Нанесение методом погружения (дип-костинг, dip-coating)
- •3. Напыление (спрей-костинг, spray-coating)
- •4. Литьё (casting)
- •5. Нанесение методом распыления центрифугой
- •Ультразвуковая очистка.
- •Фотолитография. Способы экспонирования. Разрешающая способность.
- •1. Основы фотолитографии
- •4. Применение фотолитографии
- •Виды дефектов при проведении литографии.
- •1. Виды дефектов в литографии
- •1.1. Дефекты, возникающие на этапе нанесения фоторезиста
- •1.2. Дефекты, возникающие на этапе экспонирования
- •1.3. Дефекты, возникающие на этапе проявления
- •1.4. Дефекты, возникающие на этапе травления
- •2. Типы литографических дефектов по механизму их возникновения
- •2.1. Геометрические дефекты
- •2.2. Дефекты из-за взаимодействия с окружающей средой
- •2.3. Дефекты, связанные с оптическими эффектами
- •3. Способы борьбы с дефектами литографии
- •Методы термического окисления кремния. Способы реализации и особенности.
- •1. Принципы термического окисления
- •2. Методы термического окисления
- •2.1. Сухое окисление
- •2.2. Мокрое окисление
- •2.3. Комбинированное (двухэтапное) окисление
- •3. Способы реализации процесса термического окисления
- •3.1. Печи для термического окисления
- •3.2. Локальное окисление (locos)
- •3.3. Быстрое термическое окисление (rto)
- •3.4. Плазмохимическое окисление
- •4. Особенности термического окисления
- •5. Применение термического окисления
- •Распределение примесей при термическом окислении
- •1. Принципы распределения примесей
- •6. Методы контроля распределения примесей
- •Физика диффузионных процессов. Двухстадийная диффузия.
- •Математическое описание диффузионных процессов в твёрдых телах. Законы диффузии.
- •1. Основные законы диффузии
- •1.1. Первый закон Фика (статический)
- •5. Влияние температуры на диффузию
- •6. Примеры диффузионных процессов
- •Распределение примесей при диффузии. Стадия «загонки» (введение примесей).
- •1. Основные этапы процесса диффузии
- •1.1. Стадия загонки (введение примесей)
- •Распределение примесей при диффузии. Стадия «разгонки» (перераспределение примесей).
- •1. Характеристики стадии «разгонки»
- •2. Модели перераспределения примесей
- •2.1. Диффузия с неограниченным источником
- •2.2. Диффузия с ограниченным источником
- •3. Основные параметры распределения
- •4. Факторы, влияющие на перераспределение примесей
- •5. Применение стадии разгонки
- •6. Пример: Диффузия бора в кремнии
- •Методы осуществления процесса диффузии. Источники и способы введения примесей. Оборудование для диффузии.
- •5. Применение процесса диффузии
- •Математическое описание процесса ионной имплантации.
- •1. Прямолинейное распределение (наивная модель)
- •2. Гауссово распределение ионов
- •3. Влияние каналирования
- •Физика процесса ионной имплантации. Эффекты разупорядочивания и каналирования.
- •Ионная имплантация. Процессы дефектообразования. Отжиг дефектов.
- •Применение методов ионной имплантации в микротехнологии. Легирование, окисление, нитрирование, протонизация.
- •1. Легирование полупроводников
- •2. Окисление ионной имплантацией
- •3. Нитрирование ионной имплантацией
- •4. Протонизация
- •Аппаратурная реализация процессов ионной имплантации.
- •Форвакуумные насосы.
- •Жидкостное химическое травление. Травители, стадии процесса, управление скоростью процесса.
- •Изотропное жидкостное травление кремния.
- •Подготовка подложки:
- •Травление:
- •Ориентационно-чувствительное анизотропное травление.
- •Плазменное и ионное травление.
- •1. Плазменное травление
- •2. Ионное травление
- •Свойства материалов, необходимые для создания проводящих и изолирующих слоёв интегральных микросхем.
- •2. Изолирующие материалы
- •Ионно-химическое осаждение слоёв.
- •Ионно-химическое травление.
Фотошаблоны. Совмещение.
Фотошаблоны и совмещение — это ключевые элементы процесса фотолитографии, используемого в микроэлектронике для создания микро- и наноструктур. Эти процессы играют важную роль в производстве интегральных схем (ИС), микроэлектронных устройств и других технологий, требующих точного и высокоскоростного формирования паттернов на подложках.
1. Фотошаблоны
Фотошаблон — это маска, используемая в процессе фотолитографии для создания изображений на подложке. Он представляет собой слой материала (чаще всего фоточувствительного), который при воздействии света или другого излучения изменяет свои свойства.
Основные компоненты фотошаблона:
Подложка: Обычно это прозрачный материал, например, кварц или стекло.
Фотослой: Это тонкий слой фоточувствительного материала (например, фотоresist), который реагирует на свет или ультрафиолетовое излучение.
Рисунок: На фотошаблоне находится микроскопический рисунок (маска), который должен быть передан на подложку. Этот рисунок может быть создан с помощью фотолитографии или электронного литографического оборудования.
Принцип работы фотошаблона:
Экспозиция: Фотошаблон подвергается воздействию света через объектив, и свет проходит через маску, проецируя изображение на фоточувствительный слой на подложке.
Процесс проявления: После экспозиции подложка подвергается процессу проявления, в ходе которого фоточувствительный слой, изменивший свои свойства, удаляется с некоторых участков, оставляя на подложке нужный рисунок.
Фотошаблоны используются для формирования тонких слоёв и микро- или наноструктур на поверхности материалов, например, в полупроводниковых устройствах.
2. Совмещение (Aligment)
Совмещение — это процесс точной ориентации и выравнивания фотошаблона и подложки для корректной передачи паттерна. Этот этап является критически важным в фотолитографии, особенно для многослойных микросхем, где необходимо точно разместить слои друг относительно друга.
Принцип совмещения:
Позиционирование фотошаблона: Во время экспозиции фотошаблон должен быть точно выровнен с уже существующими слоями на подложке.
Маркировка: Для обеспечения точного совмещения на подложке и фотошаблоне часто наносят метки или ориентиры (alignment marks), которые используются для корректировки положения. Эти метки могут быть в виде маленьких фигур, таких как кресты или точки, которые легко обнаруживаются при помощи оптической системы.
Процесс совмещения: С помощью высокоточных механических и оптических систем фотошаблон накладывается на подложку таким образом, чтобы ориентиры на обоих объектах совпали, гарантируя точность переноса изображения.
Методы совмещения:
Оптическое совмещение:
Используется система камер и микроскопов для обнаружения меток на подложке и фотошаблоне.
Совмещение производится с высокой точностью, обычно в пределах нескольких микрометров.
Механическое совмещение:
Совмещение осуществляется при помощи высокоточных механических устройств, которые позволяют подложке и шаблону двигаться и выравниваться относительно друг друга.
Система автоматического совмещения:
В современных литографических установках используются автоматизированные системы совмещения, которые используют камеры и лазеры для точного выравнивания, что ускоряет процесс и повышает точность.
Значение совмещения:
Точность: Совмещение позволяет достичь высокой точности при многослойной фотолитографии, что критично для производства сложных полупроводниковых устройств, таких как процессоры или память.
Минимизация ошибок: Недостаточная точность совмещения может привести к ошибкам в структуре устройства, таким как перекрытие слоёв или нарушение работы микросхемы.
Подготовка многослойных структур: В процессе производства сложных устройств важно обеспечить точное совмещение слоёв для создания многоуровневых структур с правильно расположенными контактами и проводниками.
Применение фотошаблонов и совмещения в микроэлектронике:
Производство интегральных схем (ИС):
Многослойная фотолитография с точным совмещением позволяет создавать сложные микросхемы с множеством слоёв проводников, диэлектриков и активных элементов.
Нанофабрикация:
В нанотехнологиях для создания наноразмерных структур и устройств необходимы высокоточные фотошаблоны и системы совмещения, чтобы обеспечить соответствие на уровне нанометров.
Формирование сложных паттернов:
Совмещение играет важную роль в создании сложных паттернов для фотомасок, которые необходимы для создания сложных оптических устройств, сенсоров и других высокотехнологичных компонентов.
Производство фотомасок для литографических систем:
Фотошаблоны используются для создания фотомасок, которые затем используются в различных литографических процессах для формирования паттернов на полупроводниковых подложках.
Заключение
Фотошаблоны и процесс совмещения являются неотъемлемыми частями фотолитографического процесса, играющего ключевую роль в производстве микроэлектронных устройств. Высокоточные фотошаблоны и эффективные методы совмещения позволяют создавать сложные, многослойные структуры с высокой точностью, что необходимо для разработки современных интегральных схем, датчиков и других высокотехнологичных устройств.