- •1. Подготовка подложки 56
- •6. Травление 57
- •Классификация процессов микротехнологии
- •1. Процессы формирования слоёв
- •Чистота и микроклимат производственных помещений.
- •2. Микроклимат производственных помещений
- •3. Оборудование для контроля чистоты и микроклимата
- •4. Значение чистоты и микроклимата
- •Классы чистоты материалов и веществ. Примеры.
- •1. Классы чистоты воздуха (iso 14644)
- •2. Классы чистоты материалов
- •3. Классы чистоты материалов и веществ
- •Способы очистки поверхности пластин в микроэлектронном производстве.
- •1. Мокрая химическая очистка
- •2. Сухая очистка
- •Базовые операции планарной технологии.
- •1. Подготовка подложек
- •2. Формирование тонких плёнок
- •3. Литография
- •4. Удаление вещества
- •5. Легирование
- •6. Формирование контактов
- •7. Пассивация
- •8. Соединение и сборка
- •Базовые операции изопланарной технологии.I
- •1. Подготовка подложки
- •2. Формирование изолирующих слоёв
- •Технология «кремний на изоляторе».
- •Уровни вакуума. Способы получения вакуума.
- •Форвакуумные насосы:
- •Приборы для измерения уровня вакуума.
- •Форвакуумные насосы.
- •1. Пластинчато-роторные насосы
- •2. Мембранные насосы
- •3. Поршневые насосы
- •4. Винтовые насосы
- •5. Водокольцевые насосы
- •Насосы для получения высокого и сверхвысокого вакуума.
- •3. Криогенные насосы
- •4. Сорбционные насосы
- •5. Геттерные насосы
- •Термическое вакуумное нанесение.
- •Методы осаждения вещества из газовой фазы.
- •Газофазная эпитаксия кремния: пиролиз, восстановление водородом.
- •Подготовка подложки:
- •1. Пиролиз
- •2. Восстановление водородом
- •Газовая эпитаксия соединений аiii bv.
- •Газофазное осаждение окислов и нитридов.
- •Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •Магнетронное нанесение металлических слоёв.
- •Литографический процесс. Оценка качества и разрешения.
- •Подготовка подложки:
- •Травление:
- •Литографический процесс. Негативный и позитивный резисты.
- •Фотошаблоны. Совмещение.
- •1. Фотошаблоны
- •2. Совмещение (Aligment)
- •Последовательность операций стандартного фотолитографического процесса.
- •1. Подготовка подложки
- •2. Нанесение фоторезиста
- •3. Экспонирование
- •4. Проявление
- •5. Постобработка резиста
- •6. Травление
- •7. Удаление резиста
- •8. Контроль качества
- •Методы нанесения резистов. Адгезия.
- •1. Центрифугирование (спин-костинг, spin-coating)
- •2. Нанесение методом погружения (дип-костинг, dip-coating)
- •3. Напыление (спрей-костинг, spray-coating)
- •4. Литьё (casting)
- •5. Нанесение методом распыления центрифугой
- •Ультразвуковая очистка.
- •Фотолитография. Способы экспонирования. Разрешающая способность.
- •1. Основы фотолитографии
- •4. Применение фотолитографии
- •Виды дефектов при проведении литографии.
- •1. Виды дефектов в литографии
- •1.1. Дефекты, возникающие на этапе нанесения фоторезиста
- •1.2. Дефекты, возникающие на этапе экспонирования
- •1.3. Дефекты, возникающие на этапе проявления
- •1.4. Дефекты, возникающие на этапе травления
- •2. Типы литографических дефектов по механизму их возникновения
- •2.1. Геометрические дефекты
- •2.2. Дефекты из-за взаимодействия с окружающей средой
- •2.3. Дефекты, связанные с оптическими эффектами
- •3. Способы борьбы с дефектами литографии
- •Методы термического окисления кремния. Способы реализации и особенности.
- •1. Принципы термического окисления
- •2. Методы термического окисления
- •2.1. Сухое окисление
- •2.2. Мокрое окисление
- •2.3. Комбинированное (двухэтапное) окисление
- •3. Способы реализации процесса термического окисления
- •3.1. Печи для термического окисления
- •3.2. Локальное окисление (locos)
- •3.3. Быстрое термическое окисление (rto)
- •3.4. Плазмохимическое окисление
- •4. Особенности термического окисления
- •5. Применение термического окисления
- •Распределение примесей при термическом окислении
- •1. Принципы распределения примесей
- •6. Методы контроля распределения примесей
- •Физика диффузионных процессов. Двухстадийная диффузия.
- •Математическое описание диффузионных процессов в твёрдых телах. Законы диффузии.
- •1. Основные законы диффузии
- •1.1. Первый закон Фика (статический)
- •5. Влияние температуры на диффузию
- •6. Примеры диффузионных процессов
- •Распределение примесей при диффузии. Стадия «загонки» (введение примесей).
- •1. Основные этапы процесса диффузии
- •1.1. Стадия загонки (введение примесей)
- •Распределение примесей при диффузии. Стадия «разгонки» (перераспределение примесей).
- •1. Характеристики стадии «разгонки»
- •2. Модели перераспределения примесей
- •2.1. Диффузия с неограниченным источником
- •2.2. Диффузия с ограниченным источником
- •3. Основные параметры распределения
- •4. Факторы, влияющие на перераспределение примесей
- •5. Применение стадии разгонки
- •6. Пример: Диффузия бора в кремнии
- •Методы осуществления процесса диффузии. Источники и способы введения примесей. Оборудование для диффузии.
- •5. Применение процесса диффузии
- •Математическое описание процесса ионной имплантации.
- •1. Прямолинейное распределение (наивная модель)
- •2. Гауссово распределение ионов
- •3. Влияние каналирования
- •Физика процесса ионной имплантации. Эффекты разупорядочивания и каналирования.
- •Ионная имплантация. Процессы дефектообразования. Отжиг дефектов.
- •Применение методов ионной имплантации в микротехнологии. Легирование, окисление, нитрирование, протонизация.
- •1. Легирование полупроводников
- •2. Окисление ионной имплантацией
- •3. Нитрирование ионной имплантацией
- •4. Протонизация
- •Аппаратурная реализация процессов ионной имплантации.
- •Форвакуумные насосы.
- •Жидкостное химическое травление. Травители, стадии процесса, управление скоростью процесса.
- •Изотропное жидкостное травление кремния.
- •Подготовка подложки:
- •Травление:
- •Ориентационно-чувствительное анизотропное травление.
- •Плазменное и ионное травление.
- •1. Плазменное травление
- •2. Ионное травление
- •Свойства материалов, необходимые для создания проводящих и изолирующих слоёв интегральных микросхем.
- •2. Изолирующие материалы
- •Ионно-химическое осаждение слоёв.
- •Ионно-химическое травление.
Уровни вакуума. Способы получения вакуума.
Уровни вакуума
Вакуум — это состояние среды, где давление газа ниже атмосферного. Уровни вакуума классифицируются в зависимости от остаточного давления, измеряемого в торрах (Торр), паскалях (Па) или других единицах давления.
Классификация уровней вакуума:
Уровни вакуума:
средний вакуум: от 133,3 Па до 0,1333 Па;
высокий вакуум: от 0,1 Па до 10-5 Па;
сверхвысокий вакуум: от 10-5 Па.
Низкий вакуум (грубый вакуум):
Диапазон давления: 10^5 – 10^2 Па.
Характеристики:
Достигается простыми насосами.
Используется в упаковке, холодильных установках, вакуумной формовке.
Пример: вакуум в пылесосах.
Средний вакуум:
Диапазон давления: 10^2 – 10^{-1} Па.
Характеристики:
Требует более сложных насосов.
Используется в металлургии, при пайке и сварке.
Пример: вакуум в лампах накаливания.
Высокий вакуум:
Диапазон давления: 10^{-1} – 10^{-5} Па.
Характеристики:
Потребность в сложных насосах и чистых условиях.
Используется в микроэлектронике, вакуумных печах.
Пример: вакуум в электронных микроскопах.
Ультравысокий вакуум:
Диапазон давления: 10^{-5} – 10^{-10} Па.
Характеристики:
Требует сложных методов откачки и специальных материалов для предотвращения дегазации.
Применяется в ускорителях частиц, физике плазмы.
Пример: вакуум в установках для исследования поверхности материалов.
Экстремально высокий вакуум:
Диапазон давления: < 10^{-10} Па.
Характеристики:
Требует самых современных технологий.
Используется для научных экспериментов, например, в исследованиях гравитации.
Способы получения вакуума
Для достижения различных уровней вакуума применяются разнообразные методы и насосы.
Создание вакуума:
В основу получения вакуума могут быть положены два принципа первый — удаление газа из откачиваемого сосуда за пределы вакуумной системы, второй — связывание газа в вакуумной системе.
Первый принцип реализуется в вакуумных насосах, где происходит перемещение газа за счёт приложения к нему механических сил в некотором месте вакуумной системы, откуда газ выталкивается. При этом перемещение массы газа можно производить периодически, отдельными порциями, и непрерывно.
На втором принципе основан способ связывания газа путём сорбции, химических реакций или конденсации обычно в замкнутой вакуумной системе.
Создание высокого вакуума:
откачка вакуумными насосами;
адсорбция газов;
вымораживание газов
Механические методы
Вихревые и ротационные насосы:
Используются для получения низкого вакуума.
Принцип работы: перекачивание газа через механические элементы.
Пример: пластинчато-роторные насосы.
Форвакуумные насосы:
Используются для достижения среднего вакуума.
Часто применяются в комбинации с другими насосами.
Пример: мембранные или поршневые насосы.
Физико-химические методы
Диффузионные насосы:
Применяются для получения высокого вакуума.
Принцип работы: использование потока горячего пара масла для захвата молекул газа.
Требуют системы охлаждения.
Турбомолекулярные насосы:
Используются для достижения высокого и ультравысокого вакуума.
Принцип работы: ротор с высокой скоростью сталкивается с молекулами газа, перемещая их к выходу.
Криогенные насосы:
Применяются для ультравысокого вакуума.
Принцип работы: замораживание молекул газа на холодных поверхностях.
Ионные насосы:
Достигают ультравысокого вакуума.
Принцип работы: использование электрического поля для захвата и ионизации молекул газа.
Сорбционные насосы:
Используются для откачки газа через адсорбцию на поверхности специальных материалов (например, углеродных адсорбентов).
Комбинированные системы
Для достижения высокого и ультравысокого вакуума часто используют комбинацию насосов, например:
Форвакуумный насос + диффузионный насос.
Турбомолекулярный насос + криогенный насос.
Факторы, влияющие на создание вакуума
Герметичность системы:
Утечки ухудшают качество вакуума.
Дегазация:
Выделение молекул газа из материалов внутри вакуумной камеры.
Скорость откачки:
Зависит от характеристик используемых насосов.
Применение вакуума
Микроэлектроника и нанотехнологии.
Сварка, пайка, и металлургические процессы.
Исследования космоса и физики.
Производство вакуумной упаковки.
Во-первых, если вакуум не достаточно высокий, заметная часть частиц, летящих из источника потока, встречает молекулы остаточного газа и в результате столкновения с ними рассеивается, т.е. теряет первоначальное направление своего движения и не попадает на подложку. Это существенно снижает скорость нанесения плёнки на подложку.
Во-вторых, остаточные газы в рабочей камере, поглощаемые растущей на подложке плёнке в процессе ее роста, вступают в химические реакции с наносимым веществом, что ухудшает электрофизические параметры плёнки (повышается ее сопротивление, уменьшается адгезия, возникают внутренние напряжения и др.).
Таким образом, чем ниже вакуум и чем больше в остаточной атмосфере вакуумной камеры примеси активных газов, тем сильнее их отрицательное влияние на качество наносимых плёнок, а также на производительность процесса. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники.
