Высокочастотное магнетронное распыление,

Параметр

1

Название процесса

2

Назначение процесса

3

Физико-химическая природа процесса

4

Способ активации процесса

5

Структурно-топологические характеристики процесса

6

Возможность группового процесса

Да/ нет

7

Требования к подложке/ нижележащему слою, ограничения

8

Требуется предварительная очистка поверхности

Да/ нет

9

Материал осаждаемого/ стравливаемого слоя

10

Чистота осаждаемого вещества

11

Получение стехиометрического состава

Да/ нет

12

Принцип управления составом слоя

13

Состав газовой атмосферы в рабочем объёме

14

Структура осаждаемого слоя

15

Морфология поверхности

16

Толщина слоя/ глубина травления

17

Способы улучшения адгезии

18

Параметры процесса

19

Глубина вакуума

20

Температура процесса

21

Скорость осаждения/ травления

22

Влияние параметров процесса на скорость

23

Возможные дефекты и причины их появления

24

Сложность и стоимость оборудования

25

Эскиз установки

Параметр

1

Название процесса

2

Назначение процесса

3

Физико-химическая природа процесса

4

Способ активации процесса

5

Структурно-топологические характеристики процесса

6

Возможность группового процесса

Да/ нет

7

Требования к подложке/ нижележащему слою, ограничения

8

Требуется предварительная очистка поверхности

Да/ нет

9

Материал осаждаемого/ стравливаемого слоя

10

Чистота осаждаемого вещества

11

Получение стехиометрического состава

Да/ нет

12

Принцип управления составом слоя

13

Состав газовой атмосферы в рабочем объёме

14

Структура осаждаемого слоя

15

Морфология поверхности

16

Толщина слоя/ глубина травления

17

Способы улучшения адгезии

18

Параметры процесса

19

Глубина вакуума

20

Температура процесса

21

Скорость осаждения/ травления

22

Влияние параметров процесса на скорость

23

Возможные дефекты и причины их появления

24

Сложность и стоимость оборудования

25

Эскиз установки