АнСхТ ЛР3
.docxМИНОБРНАУКИ РОССИИ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Кафедра микро- и наноэлектроники |
||||||
ОТЧЁТ по лабораторной работе № 3 по дисциплине «Аналоговая схемотехника» Тема: Маломощные транзисторные усилители
|
||||||
|
||||||
Санкт-Петербург 2024 |
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3
МАЛОМОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
ЦЕЛЬ: освоение способа установки рабочей точки транзисторного усилителя, оценка термостабильности рабочей точки, измерение коэффициента усиления по напряжению двух распространённых схем усилительных каскадов на транзисторах в режиме усиления малых сигналов.
ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ
Транзисторный усилитель с общим эмиттером и балластным резистором в цепи базы.
|
(1) |
|
(2) |
|
(3) |
Таблица 1 – Измерение и расчет параметров усилителя с балластным резистором в цепи базы
Эксперимент |
Измеряемый или вычисленный параметр |
Результат |
Исходная рабочая точка |
Напряжение
питания
|
12 |
Напряжение
на коллекторе
|
6,46 |
|
Напряжение
на
|
5,54 |
|
Ток
коллектора
|
5,54 |
|
Падение
напряжения на
|
2,22 |
|
Ток
базы
|
22,2 |
|
Коэффициент
усиления транзистора по току
|
249,55 |
|
Зависимость напряжения рабочей точки от температуры |
|
6,427 |
|
6,427 |
|
после нагрева, В |
6,288 |
|
после нагрева, мА |
6,288 |
|
Режим усиления входного сигнала |
Амплитуда
входного сигнала
|
136 |
Амплитуда
выходного сигнала
|
2,64 |
|
Коэффициент
усиления схемы
|
51,51 |
до
нагрева, В
до
нагрева, мА
Приведём расчёт:
Исследование транзисторного усилителя с делителем в цепи базы и эмиттерным резистором
RК = 4,7кОм
RЭ = 100 Ом
|
(4) |
|
(5) |
Таблица 2 – Измерение и расчет параметров усилителя с делителем в цепи базы и эмиттерным резистором
Эксперимент |
Измеряемый или вычисленный параметр |
Результат |
Исходная рабочая точка |
Напряжение питания |
12 |
Напряжение на коллекторе |
6,74 |
|
Напряжение
на базе
|
0,755 |
|
Напряжение
на эмиттере
|
0,111 |
|
Падение напряжения на базо-эмиттерном переходе UБ-Э |
0,644 |
|
Ток коллектора |
1,434 |
|
Ток
эмиттера
|
1,11 |
|
Температурная стабильность схемы |
до нагрева, В |
6,88 |
до нагрева, мА |
1,464 |
|
после нагрева, В |
6,95 |
|
после нагрева, мА |
1,479 |
|
Режим усиления входного сигнала |
Амплитуда
входного сигнала
|
244 |
Амплитуда выходного сигнала |
6,64 |
|
Экспериментально полученный коэффициент усиления схемы по напряжению kuэксп |
27,213 |
|
Теоретически рассчитанный коэффициент усиления схемы по напряжению kuтеор |
47 |
Приведём расчёт:
ВЫВОД:
При исследовании транзисторного усилителя с общим эмиттером и балластным резистором в цепи базы напряжение на коллекторе меньше подаваемого практически в 2 раза. Получается, что сигнал практически не будет искажён. Коэффициент усиление транзистора по току оказался равным 249,55. От нагрева напряжение на коллекторе уменьшилось. Коэффициент усиления схемы получился равным 51,51.
При исследовании транзисторного усилителя с делителем в цепи базы и эмиттерным резистором напряжение на коллекторе меньше подаваемого практически в 2 раза. Получается, что сигнал также практически не будет искажён. Коэффициент усиление транзистора по току оказался равным 249,55. От нагрева напряжение на коллекторе увеличилось. Коэффициент усиления схемы по напряжению ku, полученные экспериментально и теоретически, оказались одного порядка, но не равны: 27,2 и 47 соответственно, что может быть связано с потерями.