Послеимплантационный отжиг
Послеимплантационный
отжиг применяется для восстановления
структуры твердого тела после ионной
имплантации и для активации примесей.
Основные виды
отжига:
термический;
отжиг ИК-лампами
(фотоотжиг);
лазерный;
электронно-лучевой;
отжиг перемещающимися
над поверхностью «сфокусированными»
источниками тепла, например раскаленной
нитью.
Продолжительность
отжига может колебаться от долей секунд
до часов.
Наиболее широко
применяется отжиг лампами и лазерный
отжиг как селективные, низкоинерционные
процессы, позволяющие локализовать
достаточно большие плотности мощности.
Лазерное излучение фокусируется на
определенной глубине, остальные уровни
не затрагиваются.
Температура отжига
– 700 – 800 ºС.
