
- •Методы модифицирования поверхности твердого тела. Диффузия.
- •Диффузия
- •Механизм диффузии в реальных кристаллах
- •Источники примесей для проведения диффузии
- •Реакции при внедрении примесей
- •Законы диффузии
- •Распределение примесей при диффузии. Диффузия из источника бесконечной мощности
- •Предельная растворимость легирующих примесей в кремнии
- •Диффузия из источника ограниченной мощности
- •Технологический процесс изготовления биполярного транзистора
- •Структура транзистора ИМС
- •Профиль распределения примеси при диффузии
- •Определение положения p-n-перехода
- •Преимущества двухстадийной диффузии
- •Техника проведения процессов диффузии.
- •Диффузионная установка "СДОМ-3/100М"
- •Многофункциональная диффузионная печь
- •Сопротивление диффузионных слоев
- •Кривые Ирвина 1
- •Кривые Ирвина 2
- •Диффузия при высокой поверхностной концентрации примесей (для фосфора)
- •Учет перераспределения примеси в структуре в процессе окисления
- •Сегрегация примеси
- •Профили распределения примесей при разгонке с окислением
- •Легирование при диффузии из оксида

Методы модифицирования поверхности твердого тела. Диффузия.

Диффузия
Диффузионные модели развивались с позиций двух основных приближений:
-Теории сплошных сред с использованием уравнений диффузии Фика. Модель, исходя из диффузионного уравнения Фика и соответственно коэффициента диффузии, определяется экспериментально путем измерения поверхностной концентрации.
- Атомистическая теория, которая принимает во внимание взаимодействие между точечными дефектами (вакансии и междоузлия) с одной стороны и примесными атомами с другой.

Механизм диффузии в реальных кристаллах
атомы могут обмениваться местами – обменный механизм;
атом может покинуть свое обычное положение в узле решетки и двигаться по междоузлиям, пока не попадет в вакантный узел, покинутый другим диффундирующим атомом – межузельный механизм;
атомы могут диффундировать посредством параллельных перескоков по вакантным узлам
– вакансионный механизм. Диффундирующий атом может
вытеснить атом основного вещества, заняв его место – механизм замещения

Источники примесей для проведения диффузии

Реакции при внедрении примесей
(2х+y)P2O5 + хSi → 4хР + (SiO2)х·( P2O5)y + 4хO2,
4PH3 + 5O2 → 2P2O5 + 6H2, В потоке газа:
B2H6 → 2B + 3H2;
4B + 3O2 → 2B2O3;
на поверхности кремния: Si + O2 → SiO2;
2B2O3 + 3Si → 4B + 3 SiO2; xSiO2 + yB2O3 → (SiO2)х·( B2O3)y.

Законы диффузии
F D gradN
N |
|
|
N |
|
t |
|
|
D |
|
|
||||
|
x |
x |
D D0 |
|
|
E |
exp |
|
||
|
|
|
kT |
|
3,425эВ |
||
DБ |
0,544exp |
|
|
кТ |
|||
|
|
F(x) D dNdx
N D 2 Nt x2
D l f
2
|
3,66эВ |
||
DФ 3,85exp |
|
|
|
кТ |
|||
|
|

Распределение примесей при диффузии. Диффузия из источника бесконечной мощности
N(x, t) = 0 при t = 0; N(0, t) = Ns1 при t > 0 и x = 0.
N1 x,t NS1 erfc 2 xD1t1

Предельная растворимость легирующих примесей в кремнии

Диффузия из источника ограниченной мощности
при t = 0 и x > 0 |
|
N(x,t) = 0; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
при x = 0 и 0 < t < ∞ |
dN/dx = 0; |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
при 0 < t < ∞ |
|
|
N x,t dx Q |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
0 2 |
|
|
|
|
Q |
|
|
|
x |
2 |
|
|
N2 x,t NS 2 |
|
|
x |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
exp |
|
|
|
|
|
|
|
exp |
|
|
|
|
D2t2 >> D1t1 |
||
|
|
|
4D2t2 |
|
D2t2 |
|
|
|
4D2t2 |
|
x j |
x j |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
x |
|
|
|
|
|
D1t1 |
|
|||||
Q N x dx NS1 |
erfc |
|
2NS1 |
|
|
||||||||||
2 |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
D1t1 |
|
|||||||||||||
0 |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
D1t1 |
|
|
|
|
|
Q1 = Q2, |
Q NS 2 D2t2 2NS1 |
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|

Технологический процесс изготовления биполярного транзистора
Dt эфф D2t2 D3t3 D4t4