Типы импланторов (по дозе):

Ф = j·t = mqQ

малые: j < 10 мкА/см2, применяют для легирования каналов МДП структур;

средние: j ~ 100 мкА/см2, назначение - загонка примесей;

большие: j ~ 1 мА/см2, используют для изготовления подложек кремния на изоляторе.

Достоинства метода ионной имплантации:

возможность получения двух максимумов на профиле распределения примеси;

возможность ввести в твердое тело количество примеси, превышающее предельную растворимость;

происходит при более низких температурах, чем диффузия, но в дальнейшем процесс может управляться постимплантационным отжигом;

высокая чистота процесса;

высокая управляемость глубиной проникновения примесей (Uуск → Еион → Rp);

высокая точность контроля количества вводимой примеси.

Преимущества перед диффузией

Строгое задание количества примеси, определяемого током ионов во время внедрения;

Воспроизводимость и однородность распределения примеси;

Возможность внедрения через тонкие слои диэлектриков и резистивных материалов;

Пониженная в сравнении с диффузией температура процесса.

Послеимплантационный отжиг

термический; отжиг ИК-лампами (фотоотжиг); лазерный; электронно-лучевой;

отжиг перемещающимися над поверхностью «сфокусированными» источниками тепла, например раскаленной нитью.