ОПТ_ИДЗ_вар48
.docxМИНОБРНАУКИ РОССИИ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Кафедра микро- и наноэлектроники |
||||||
отчет по практическому заданию № 1 по дисциплине «Основы планарной технологии» Вариант №48
|
||||||
|
||||||
Санкт-Петербург 2024 |
При диффузии легирующей примеси в кремнии на глубине xj сформирован слой сопротивлением Rs. Как изменятся параметры слоя после отжига при Θотж за время tотж. При проектировании целесообразно использовать кривые Ирвина.
Материал |
Вид примеси |
xj, мкм |
Rs, Ом |
Θотж, С |
tотж, мин |
1А6 КЭФ 4,0/0,1 |
B |
3,3 |
310 |
1190 |
60 |
Выбрать энергию имплантированных ионов и дозу для формирования в кремнии с исходной концентрацией Nисх легированного заглубленного слоя n (или p) типа, так чтобы на глубине xmax концентрация имплантированной примеси равнялась Nmax. Рассчитать также результирующую поверхностную концентрацию примесей.
Тип структуры |
Вид примеси |
Nисх, см-3 |
Nmax, см-3 |
xmax, мкм |
n-n+-n |
As |
8∙1015 |
1,0∙1017 |
0,30 |
