ИДЗ_ОПТ_вар55
.docxМИНОБРНАУКИ РОССИИ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Кафедра микро- и наноэлектроники |
||||||
отчет по практическому заданию № 1 по дисциплине «Основы планарной технологии» Вариант №55
|
||||||
|
||||||
Санкт-Петербург 2024 |
1. При диффузии легирующей примеси в кремний на глубине xj сформирован p-n-переход. Поверхностная концентрация примеси - Ns. Определить среднюю концентрацию примеси в слое Nср, учитывая, что структура после формирования p-n-перехода была дополнительно подвергнута отжигу при Θотж в течение времени tотж.
Материал |
Вид примеси |
xj, мкм |
Ns, см-3 |
Θотж, С |
tотж, мин |
1А3 КЭФ 7,0/0,1 |
B |
6,2 |
8∙1017 |
1175 |
40 |
2. Разработать технологический процесс ионной имплантации для формирования резистора интегральной микросхемы с номиналом R в кремнии с исходной концентрацией примеси Nисх.
Размеры резистора: длина – l, ширина – b, глубина залегания слоя – xj. Среднюю подвижность в слое принять равной µ.
Тип электропро- водности слоя |
Nисх, см-3 |
R, Ом |
l, мкм |
b, мкм |
xj, мкм |
µ, см2/(В∙с) |
n+ |
1,0∙1015 |
3000 |
15 |
5 |
0,5 |
120 |
