Заключение
В курсовой работе по заданным исходным
данным выбраны и рассчитаны режимы
проведения технологических операций
диффузии и ионной имплантации (температура,
время, энергия и доза вводимой примеси),
приведено обоснование сделанного
выбора.
Также проведён расчёт значений
сопротивления базового и эмиттерного
слоёв. По полученным данным построены
профили распределения примесей в
структуре.
Приведено сечение полученной транзисторной
структуры с указанием толщины слоёв и
их нумерацией в спецификации. Также
представлены этапы формирования
рассчитываемой в ходе курсовой работы
транзисторной структуры. Все чертежи
выполнены в соответствии с ГОСТ.
Список литературы
И.И. Зятьков, А.Н. Кривошеева. Базовые
процессы планарной технологии: учеб.
пособие // СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
2018. – 63 с.
Кривошеева А.Н. Процессы планарной
технологии: Учебно-методическое пособие
для выполнения курсового проекта по
дисциплине «Процессы планарной
технологии» СПб, СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, 2017.
41 с.
