1. Построение профилей распределения примесей

На рисунке 2 представим профили распределения базовой и эмиттерной примесей в транзисторной структуре, которые задаются выражениями (16) и (17), а также эффективный профиль распределения примеси, учитывающий обе концентрации вводимых примесей, а также исходную концентрацию – выражение (18).

	(16)
	(17)
	(18)

Рисунок 2 – Профили распределения примесей в структуре транзистора

Определим распределение примесей при ионной имплантации с отжигом по формуле:

где - коэффициент диффузии примесей при температуре отжига , - время отжига.

На глубине p-n-перехода , проецированный пробег ионов и дисперсия пробега зависимые от энергии при которой Выбрали энергию 300 кэВ. Данному значению энергии соответствуют значения длины свободного пробега в 3851 и дисперсии пробега 1032 .

Рисунок 4 – Профиль распределения концентрации примесей в структуре резистора

1. Расчёт сопротивления базового и эмиттерного слоёв

Используя соотношение (19) для определения подвижностей носителей заряда в активном слое базы и эмиттерном слое, проведём расчёт сопротивления эмиттерного слоя и активного слоя базы.

(19)

где – концентрация примеси в слое , – подвижность носителей заряда, зависящая от концентрации примесей и от координаты. определяется соотношением донорной и акцепторной примесей.

Для эмиттерного слоя эта концентрация определяется как (20), а для базового – (21).

(20)

(21)

Подвижность носителей заряда для электронов и дырок определяются выражениями выражением (22) и (23) соответственно.

(22)

(23)

Проведём расчёт:

Расчёты представлены на рисунке 3.

Рисунок 3 – Расчёты сопротивления эмиттера и базы в среде Mathcad

В таблицах 3 и 4 представим результаты выбранных условий протекания процессов.

Таблица 3 – Параметры технологического процесса при формировании транзисторной структуры (эмиттер и база)

Операция
Параметры процесса	Диффузия фосфора до введения бора (база)					Диффузия бора (эмиттер)
	Процесс
	Загонка	Разгонка (До загонки резистора)	Разгонка (При первой разгонке резистора)	Разгонка т(При загонке эмиттера)	Разгонка т(При разгонке эмиттера)		Загонка	Разгонка
	–	1250	1100	1100	1215		1100	1215
	–	24,859	30,477	5,247	22,745		5,247	22,745
	–
	–
	–	–	–	–	3,7		–	2,2
	220	–	–	–	–		–	–
	2814	–	–	–	–		–	–
	836	–	–	–	–		–	–

Таблица 4 – Параметры технологического процесса при формировании транзисторной структуры (резистор)

	Операция
Параметры процесса	Диффузия фосфора (резистор)
	Процесс
	Загонка	Разгонка (До загонки эмиттера)	Разгонка (При загонке эмиттера)	Разгонка (При разгонке эмиттера)
	–	1100	1100	1215
	–	30,477	5,247	22,745
	–
	–
	–	–	–	2,6
	100	–	–	–
	1238	–	–	–
	457	–	–	–

Время, через которое необходимо начать загонку резистора, после начала разгонки базы: Δt_р = 38,371 – 24,859 = 13,512 минут