МИНОБРНАУКИ РОССИИ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Кафедра микро- и наноэлектроники

КУРСОВАЯ РАБОТА по дисциплине «Основы планарной технологии» Тема: Разработка технологии изготовления элементов интегральной схемы

Студент гр. 1283 ____________________ Григорьева В.В. Преподаватель __________________________ Кривошеева А.Н.

Санкт-Петербург 2024

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ)

Кафедра микро- и наноэлектроники

Задание на курсовой проект

Студента Григорьевой Виктории Вячеславовной

Группы 1283 курс 4, факультет ФЭЛ

1.Тема проекта: «Разработка технологии изготовления элементов интегральной схемы»

2. Исходные данные к проекту:

2.1. Тип транзистора: биполярный __ p-n-p _

2.2. Концентрация примесей в исходной пластине (N_исх): _5∙10¹⁵_ см^-3

2.3. Поверхностная концентрация базовой примеси (N_sб): _6,5∙10¹⁷__ см^-3

2.4. Глубина залегания коллекторного перехода (x_к): 3,7_ мкм

2.5. Поверхностная концентрация эмиттерной примеси (N_sэ): _5∙10¹⁹_ см^-3

2.6. Глубина залегания эмиттерного перехода (х_э): 2,2_ мкм

2.7. Номинал резистора: _320_ Ом

2.8. Размеры резистора: длина _80_ мкм, ширина _10_ мкм, глубина залегания p-n-перехода _2,6_ мкм

2.9. Средняя подвижность носителей в слое резистора: ___360___ см²/(В·с)

Загонку примесей для формирования резистора проводить ионной имплантацией.

Учесть, что отжиг всех структур ИС проводится совместно.

3.Содержание пояснительной записки:

3.1. Техническое задание на проектирование.

3.2 Выбор и расчёт режимов (температура, время, энергия и доза примеси) проведения технологических операций диффузии и ионной имплантации, обоснование сделанного выбора (в случае ионной имплантации)

3.3 Расчёт сопротивления базового и эмиттерного слоёв.

Результаты расчётов представить в виде таблицы (включая промежуточные результаты)

4.Перечень графического материала

4.1. Чертеж кристалла (поперечное сечение с указанием толщины слоев.)

4.2 Эскиз (перечень) основных этапов формирования элементов интегральной схемы.

4.3. Графики распределения концентрации примеси в структуре транзистора и резистора.

Пояснительная записка и графический материал должны быть выполнены в соответствии с ГОСТ.

5. Рекомендуемая литература:

5.1 Зятьков И.И., Юрченко Е.П. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур: Учеб. Пособие. СПбГЭТУ.-1994

5.2 Зятьков И.И., Юрченко Е.П. Моделирование технологии формирования элементов интегральных схем: Учеб. Пособие. СПбГЭТУ.-1995

5.3 Технология СБИС: в 2 кн./под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986

5.4 Зятьков И.И., Кривошеева А.Н. Базовые процессы планарной технологии: учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2018. 63 с.

Дата выдачи задания: 14.11.2024 г.

Дата защиты курсового проекта: 24.12.2024 г.

Руководитель __________________________________ /Кривошеева А.Н./

Студент ___________________________________/_____________/

Аннотация

В курсовой работе производится разработка технологии изготовления фрагмента интегральной схемы, включающая в себя выбор и расчёт параметров отдельных технологических операций, а также построение сечения кристалла и основных этапов формирования интегральной схемы. Интегральная схема состоит из транзистора p-n-p -типа и резистора.

SUMMARY

In the course work, the technology of manufacturing an integrated circuit fragment is developed, which includes the selection and calculation of parameters of individual technological operations, as well as the construction of a crystal cross section and the main stages of the integrated circuit formation. The integrated circuit consists of a p-n-p -type transistor and a resistor.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 5

1. ВЫБОР И РАСЧЁТ РЕЖИМОВ ПРОВЕДЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ ДИФФУЗИИ И ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ 6

. Формирование базы 6

Формирование резистора 9

Формирование эмиттера 11

Расчёт разгонок базы и резистора 12

1. ПОСТРОЕНИЕ ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ 14

. РАСЧЁТ СОПРОТИВЛЕНИЯ БАЗОВОГО И ЭМИТТЕРНОГО СЛОЁВ 16

ЗАКЛЮЧЕНИЕ 20

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 21