
lab5
.docxФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ
Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение
Высшего профессионального образования
«Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций
им. проф. М. А. Бонч-Бруевича
Лабораторная работа №5
“Исследование резонансного усилителя на биполярном транзисторе”
Выполнили:
студенты группы РТ-2x
Проверил:
Сопов Дмитрий Александрович
Санкт-Петербург
2024
Схема резонансного усилителя с общим эмиттером на биполярном транзисторе. Расчёт Lк и Cк.
n=3
Cк
=
Рис. 1 Схема резонансного усилителя с общим эмиттером на биполярном транзисторе
Получить с помощью моделирования амплитудно-частотную характеристику (АЧХ) резонансного усилителя. Рекомендуется использовать линейный масштаб по частотной оси и небольшой диапазон анализируемых частот вблизи резонансной частоты.
Рис. 2 АЧХ резонансного усилителя
fр1
13,2
МГц
Рис. 3 АЧХ резонансного усилителя с измерением частот по уровню 0,707
Добротности примерно сходятся.
Заменить транзистор 2N5089 в схеме усилителя на идеальный транзистор. Получить с помощью ЭВМ амплитудно-частотную характеристику (АЧХ) резонансного усилителя с идеальным транзистором. Определить новую резонансную частоту fР2 усилителя. Проверить соответствие резонансных частот fР1 и fР2 исследуемого усилителя, полученных с реальным и идеальным транзисторами.
Рис. 4 АЧХ резонансного усилителя с идеальным транзистором
fр2=13.49 МГц
Резонансные частоты примерно сходятся.
Добротности сходятся.