
- •Исследование характеристик базовых элементов электроники Методические указания к лабораторным работам
- •Лабораторная работа №1.«Применение пассивных элементов электроники»
- •Основные теоретические положения
- •Резистор
- •Основные параметры резисторов
- •Конденсатор
- •Основные функции конденсаторов
- •Основные параметры конденсаторов
- •Фильтры высоких и низких частот
- •Мост Вина
- •Катушка индуктивности
- •Применение катушек индуктивности
- •Основные параметры катушек индуктивности
- •Порядок выполнения эксперимента
- •Исследование работы фнч
- •Исследование работы фвч
- •Мост Вина
- •Полосовой фильтр
- •Режекторный фильтр
- •Лабораторная работа №2 «Полупроводниковые приборы»
- •Основные теоретические положения
- •Основные параметры диода
- •Стабилитроны
- •Основные параметры стабилитрона
- •Светодиоды
- •Порядок выполнения эксперимента
- •Лабораторная работа №3.«Применение полупроводниковых диодов»
- •Основные теоретические положения
- •Нелинейная обработка аналоговых сигналов
- •Логические цепи
- •Порядок выполнения эксперимента
- •Параметрический стабилизатор
- •Лабораторная работа №4. «Исследование диода с переменной ёмкостью (варикапа)»
- •Основные теоретические положения
- •Порядок выполнения эксперимента
- •Лабораторная работа №5. «Исследование вольт - амперных характеристик тиристоров»
- •Основные теоретические положения
- •Порядок выполнения эксперимента
- •Вопросы для допуска к выполнению и защиты лабораторной работы
- •Лабораторная работа №6 «Снятие статических характеристик транзистора на постоянном токе»
- •Основные теоретические положения
- •Режимы работы транзистора
- •Транзистор как линейный четырехполюсник
- •Основные параметры биполярных транзисторов:
- •Порядок выполнения экспериментов
- •Лабораторная работа № 7. «Сравнительное исследование одиночных усилительных каскадов на биполярных транзисторах»
- •Основные теоретические положения
- •Рабочая точка
- •Порядок выполнения экспериментов
- •Лабораторная работа № 8 «Исследование статических характеристик полевых транзисторов и одиночных усилительных каскадов»
- •Основные теоретические положения
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •Основные параметры полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом
- •Основные параметры мдп-транзисторов
- •Схемы включения полевых транзисторов
- •Порядок выполнения экспериментов
- •Исследование усилительных свойств каскадов на базе полевых транзисторов
- •Лабораторная работа №10 «Исследование двухтактного усилителя мощности на биполярных транзисторах»
- •Основные теоретические положения
- •Режим класса а
- •Режим класса в
- •Режим класса ав
- •Режим класса с
- •Режим класса d
- •Порядок выполнения экспериментов
- •Требования к оформлению отчета
Порядок выполнения эксперимента
Параметрический стабилизатор
Соберите цепь параметрического стабилизатора, R=100 Ом, согласно принципиальной схеме (рисунок 4.1) сначала не включая в неё сопротивление нагрузки.
Рисунок 4.1
Включите генератор напряжений и, изменяя постоянное напряжение на входе стабилизатора от 0 до максимального значения 13…14 В, снимите зависимость выходного напряжения от входного на холостом ходу (ХХ) и при различных сопротивлениях нагрузки Rн1= 33 Ом; Rн2=100 Ом; Rн3= 150 Ом. Результаты записывайте в таблицу 4.1.
Таблица 4.1
-
UВХ, В
0
2
4
6
8
10
12
UВЫХхх, В
UВЫХ1, В
UВЫХ2, В
UВЫХ3, В
Измените схему согласно рисунку 4.2.
Установите максимальное напряжение на входе (крайнее правое положение) и, включая различные сопротивления нагрузки, согласно таблице 4.2, снимите зависимость выходного напряжения стабилизатора от тока нагрузки.
Рисунок 4.2
Таблица 4.2
RН Ом |
∞ |
150 |
100 |
47+22 |
47+10 |
47 |
33+10 |
33 |
IН, мА |
0 (х.х.) |
|
|
|
|
|
|
|
UВЫХ, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
В отчете постройте графики UВЫХ (UВХ) и UВЫХ (IН).
Исследование характеристик диодов на переменном токе
Для исследования характеристик диодов на переменном токе соберите на наборном поле цепь параллельного диодного ограничителя по минимуму согласно принципиальной схеме рисунок 4.3. Измерительные приборы в схему не включайте, так как они могут создать дополнительные паразитные ёмкости.
Не забудьте включить инвертирование сигнала по каналу II, чтобы отклонение луча вверх соответствовало прямому току через диод.
Рисунок 4.3
Включите в цепь выпрямительный диод, подайте на вход синусоидальное напряжение частотой 1 кГц, установите ручку регулятора амплитуды примерно в среднее положение (4…6 В). R1 = 330 Ом. В данной лабораторной работе используется выпрямительный диод КД226. Первый канал осциллографа подключается в точку А, второй канал в точку В. Значения входного напряжения, частоты и номинал резистора оставьте такими же.
Перерисуйте осциллограмму на рисунок 4.4 и укажите коэффициент отклонения и коэффициент развертки.
Рисунок 4.4
Для того чтобы получить схему параллельного диодного ограничителя по максимуму нужно изменить схему согласно рисунку 4.5. Перерисуйте полученную осциллограмму.
Рисунок 4.5
Поменяйте местами резистор R1 и диод D1 согласно рисунку 4.6, такая схема называется последовательный диодный ограничитель по максимуму. Перерисуйте полученную осциллограмму.
Рисунок 4.6
Для получения схемы последовательного диодного ограничителя по минимуму диод D1 необходимо подключить в прямом направлении. Перерисуйте полученную осциллограмму.
Рисунок 4.7
Для ограничения сигналов сверху и снизу используются двухсторонние ограничители, которые чаще всего состоят из двух односторонних ограничителей. Перерисуйте полученную осциллограмму.
Рисунок 4.8
Соберите схему двухстороннего ограничители параллельного типа, который представляют собой последовательно соединенные параллельные ограничители по минимуму и по максимуму. Перерисуйте полученную осциллограмму.
Рисунок 4.9
Основные понятия: выпрямители, стабилизаторы, ограничители, коммутаторы, логические цепи.
Вопросы для допуска к выполнению и защиты лабораторной работы:
Назовите схемы, в которых используются различные диоды.
Изобразите схему параметрического стабилизатора.
Изобразите схемы различных ограничителей.
Каковы отличия в режимах передачи сигналов со входа на выход в схемах последовательных и параллельных диодных ограничителей.