1К Бригада 3 Вариант 3 Группа 1 / Lab1

МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное

бюджетное образовательное учреждение

высшего образования

«Московский технический университет связи и информатики»

(МТУСИ)

Кафедра Электроника

Лабораторная работа №1к

по дисциплине «Основы конструирования и технологии производства электронных средств»

по теме:

«Исследование параметров пассивных элементов гибридных интегральных элементов»

Бригада 3 Вариант 3

Выполнил: студент группы

Проверил:

Ассистент каф. Электроника

Аринин Олег Вячеславович

Москва 2024

1. Цель работы.

Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и параметрами пленочных элементов гибридных интегральных микросхем (ИС).

2. Расчеты топологии и результаты параметров элементов

Исходные данные: R1 = 120 кОм; ɣR1 = 20%

R2 = 1.8 кОм; ɣR2 = 10%

R3 = 3.6 кОм; ɣR3 = 7%

C1 = 800 пф; ɣC1 = 11%

ΔT = 90°C; Uраб = 20 В; Fраб = 5·10⁶

P1 = 1 мВт; P2 = 20 мВт; P3 = 60 мВт;

tan(δ) = 8·10^-2; Δb = 10 мкм; b = 100 мкм Найдем материал для резистивной пленки, n ≥ 1

РС-3001 (ps = 1000)

ρs = 1000, Ом/мм

n = R2/1000 = 1.8

Характеристики сплава

ps = 1000 Ом/□; TKR = -0.2·10^-4 1/град; ɣCT = 0.1; p0 = 20 мВт/мм2; ɣps = 1; Δl = 10 мкм; ɣRT = ΔT·TKR·100%= -0.18%

Расчет числа квадратов

ɣnдоп1 = ɣR1 - ɣps + ɣRT - ɣСT = 18.72% ɣnдоп2 = ɣR2 - ɣps + ɣRT - ɣСT = 8.72% ɣnдоп3 = ɣR3 - ɣps + ɣRT - ɣСT = 5.72%

n1 = R1/ps = 120 - составной резистор

n2 = R2/ps = 1.8 - прямоугольный резистор

n3 = R3/ps = 3.6 - прямоугольный резистор

bточн1 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп1⋅100 = 53.864 мкм

bточн2 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп2⋅100 = 178.389 мкм

bточн3 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп3⋅100 = 223.388 мкм

bp1 = 20.412 мкм

bp2 = 745.356 мкм

bp3 = 912.871 мкм

bmin = 100 мкм

Расчитаем ширину с округлением

b1расч = max(bточн1, bp1, bmin) = 100 мкм

b2расч = max(bточн2, bp2, bmin) = 750 мкм

b3расч = max(bточн3, bp3, bmin) = 920 мкм

Рассчитаем длину с округлением

lрасч1 = n1 bрасч1 = 12000 мкм;

lрасч2 = n2 bрасч2 = 1350 мкм

lрасч3 = n3 bрасч3 = 3320 мкм;

Мы выбрали для диэлектрика конденсатора материал GeO

K3 = 4; ε = 11; tan1(δ) = 1·10^-3; Eпр = 1·10⁶ В/см;

C0 = (0.0885·ε)/5·10^-5 = 1.947·10⁴ пф;

dm = (К3·Uраб)/Епр = 8·10^-5 см; q = 0.2;

S = C/(C0) = 0.041 см²;

AB = 10√S = 2.03 мм = 2030 мкм;

Aн = AB + 2·q = 2.43 мм = 2430 мкм

3.Чертёж топологии см. в Приложении 1

4. Таблица с размерами топологии элементов.

Резисторы

R	B	l
R1	100 мкм	12000 мкм
R2	750 мкм	1350 мкм
R3	920 мкм	3320 мкм

Конденсатор

S	0.041 см2
A и B	2030 мкм
Aн	2430 мкм