1К Бригада 5 Вариант 2 Группа 1 / 1k
.docxМИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Ордена Трудового Красного Знамени федеральное
государственное бюджетное образовательное
учреждение высшего образования
«Московский технический университет
связи и информатики»
────────────────────────────────────
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2
по дисциплине «ОКиТПЭС»
на тему:
«Исследование параметров пассивных элементов
гибридных интегральных микросхем»
Выполнил: студ. гр. Б
Проверил: ст. преподаватель
Аринин О. В.
(Осенний семестр)
Москва 2024
1. Цель, исходные данные и принципиальная схема для работы
1.1. Цель работы и вариант
Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и параметрами пленочных элементов гибридных интегральных микросхем (ИС).
Бригада 5, Вариант 2
1.2. Исходные данные
Таблица 1 – исходные данные
|
R кОм, С пФ |
|
P |
Uраб |
N студ. в бригаде |
||||
2 |
Отн. ед. (%) |
мВт |
В |
|
R1 |
23 |
0.18 (18%) |
3,5 |
|
R2 |
2.6 |
0.13 (13%) |
8 |
|
R3 |
1,3 |
0.08 (8%) |
15 |
|
R4 |
0.3 |
0.1 (10%) |
2 |
|
C1 |
50 |
0.3 (30%) |
|
8 |
Диапазон
температур
|
||||
Шаг коорд. сетки 0.01 мм |
||||
R,
C
1.3. Принципиальная электрическая схема
Риc. 1 - принципиальная электрическая схема
2. Расчетная часть
Пусть материалом для резистивной плёнки будет Сплав РС-3710
Характеристики сплава
=
2000
;
TKR = -0.6·10-4 1/град;
ɣCT
= 1; p0
= 40
;
ɣps = 1; Δl = 10 мкм;
ɣRT = ΔT·TKR·100= -0.48%
Расчет числа квадратов
ɣnдоп1 = ɣR1 - ɣps -|ɣRT| - ɣСT = 15.52% ɣnдоп2 = ɣR2 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 10.52% ɣnдоп3 = ɣR3 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 5.52% ɣnдоп4 = ɣR4 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 7.52%
n1
=
= 11.5 - составной резистор
n2
=
= 1.3 - прямоугольный резистор
n3
=
=
0.65 - прямоугольный резистор
n4
=
=
0.15 - прямоугольный резистор
bточн1
= (Δb+
)/ɣnдоп1⋅100
= 68мкм
bточн2
= (Δb+
)/ɣnдоп2⋅100
= 168.178
мкм
lточн3 = (Δl+Δb·n3)/ɣnдоп3⋅100 = 298.913 мкм
lточн4 = (Δl+Δb·n4)/ɣnдоп4⋅100 = 152.926 мкм
bp1
=
87.228
мкм
bp2
=
392.232
мкм
lp3
=
493.71
мкм
lp4
=
86.603
мкм
bmin = 100 мкм
Раcсчитаем ширину с округлением
b1расч = max(bточн1, bp1, bmin) = 100 мкм
b2расч = max(bточн2, bp2, bmin) = 400 мкм
l3расч = max(lточн3, lp3, lmin) = 500 мкм
l4расч = max(lточн4, lp4, lmin) = 160 мкм
Рассчитаем длину(1,2) и ширину(3,4) с округлением
lрасч1
= n1
bрасч1
= 1150
мкм;
lрасч2 = n2 bрасч2 = 510 мкм
bрасч3
=
= 760 мкм;
bрасч4
=
= 1020 мкм
Выберем для диэлектрика конденсатора боросиликатное стекло.
K3 = 4; ε = 11; tan1(δ) = 1·10-3; Eпр = 1·106 В/см;
C0 = (0.0885·ε)/6·10-5 = 983.333 пф;
dm = (К3·Uраб)/Епр = 1.067·10-5 см = 0.1 мкм; q = 0.2 мм;
S = C/(C0) = 5.085 мм2;
AB = 10 √S =2.26 мм;
Aн = AB + 2·q = 2.660 мм
3.Чертёж топологии см. в Приложении 1
4. Таблица с размерами топологии элементов.
Резисторы
-
R
b
l
R1
100 мкм
1150 мкм
R2
400 мкм
510 мкм
R3
760 мкм
500 мкм
R4
1020 мкм
160 мкм
Конденсатор
-
S
5.633 мм2
A и B
2.26 мм
Aн
2.66 мм