1К Бригада 8 Вариант 2 Группа 1 / Lab1k
.docxМИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное
бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«Московский технический университет связи и информатики»
(МТУСИ)
Кафедра Электроника
Лабораторная работа №1к
по дисциплине «Основы конструирования и технологии производства электронных средств»
по теме:
«Исследование параметров пассивных элементов гибридных интегральных элементов»
Бригада 8 Вариант 2
Выполнил: студент группы БКК2201
Плотников Макар Михайлович
Проверил:
Аринин Олег Вячеславович
Москва 2024
1. Цель работы.
Ознакомление
с конструктивно-технологическими
особенностями и параметрами пленочных
элементов гибридных интегральных
микросхем (ИС).
2. Расчеты топологии и результаты параметров элементов
Исходные данные: R1 = 13 кОм; ɣR1 = 15%
R2 = 45 кОм; ɣR2 = 20%
R3 = 2 кОм; ɣR3 = 15%
R4 = 13 кОм; ɣR4 = 15%
C1 = 50 пф; ɣC1 = 16%
ΔT = 75°C; Uраб = 10 В; Fраб = 5·106
P1 = 5 мВт; P2 = 1,2 мВт; P3 = 1,2 мВт; P4 = 5 мВт;
tan(δ) = 8·10-2; Δb = 10 мкм; b = 100 мкм Найдем материал для резистивной пленки, n ≥ 1
Сплав РС-3710 (ps =2000)
ρs = 2000 Ом/мм
n = R3/2000 = 1
Характеристики сплава
ps = 2000 Ом/□; TKR = -0.6·10-4 1/град; ɣCT = 1; p0 = 40 мВт/мм2; ɣps = 1; Δl = 10 мкм; ɣRT = ΔT·TKR·100= -0.42%
Расчет числа квадратов
ɣnдоп1 = ɣR1 - ɣps + ɣRT - ɣСT = 12.58% ɣnдоп2 = ɣR2 - ɣps + ɣRT - ɣСT = 17.58% ɣnдоп3 = ɣR3 - ɣps + ɣRT - ɣСT = 12.58% ɣnдоп4 = ɣR4 - ɣps + ɣRT - ɣСT = 12.58%
n1 = R1/ps = 6.5 - прямоугольный резистор
n2 = R2/ps = 22.5 - составной резистор
n3 = R3/ps = 1 - прямоугольный резистор
n4 = R4/ps = 6.5 - прямоугольный резистор
bточн1 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп1⋅100 = 91.721 мкм
bточн2 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп2⋅100 = 59.411 мкм
bточн3 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп3⋅100 = 158.983 мкм
bточн4 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп4⋅100 = 91.721 мкм
bp1
=
138.675
мкм
bp2
=
36.515
мкм
bp3
=
173.205
мкм
bp4
=
138.675
мкм
bmin = 100 мкм
Расчитаем ширину с округлением
b1расч = max(bточн1, bp1, bmin) = 140 мкм
b2расч = max(bточн2, bp2, bmin) = 100 мкм
b3расч = max(bточн3, bp3, bmin) = 180 мкм
b4расч = max(bточн4, bp4, bmin) = 140 мкм
Рассчитаем длину с округлением
lрасч1
= n1
bрасч1
= 910
мкм;
lрасч2 = n2 bрасч2 = 2250 мкм
lрасч3 = n3 bрасч3 = 180 мкм;
lрасч4 = n4 bрасч4 = 910 мкм
Мы выбрали для диэлектрика конденсатора боросиликатное стекло
K3 = 4; ε = 4; tan1(δ) = 1·10-3; Eпр = 3·106 В/см;
C0 = (0.0885·ε)/10·10-5 = 3.54·103 пф;
dm = (К3·Uраб)/Епр = 1.333·10-5 см = 0.133 мкм; q = 0.2;
S = C/(C0) = 0.014 см2;
AB = √S = 1.190 мм = 1190 мкм;
Aн = AB + 2·q = 1.590 мм = 1590 мкм
3.Чертёж топологии см. в Приложении 1
4. Таблица с размерами топологии элементов.
Резисторы
-
R
b
l
R1
140 мкм
910 мкм
R2
100 мкм
2250 мкм
R3
180 мкм
180 мкм
R4
140 мкм
910 мкм
Конденсатор
-
S
0.014 см2
A и B
1190 мкм
Aн
1590 мкм