1К Бригада 8 Вариант 1 Группа 2 / Lab1k
.docxМИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное
бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«Московский технический университет связи и информатики»
(МТУСИ)
Кафедра Электроника
Лабораторная работа №1к
по дисциплине «Основы конструирования и технологии производства электронных средств»
по теме:
«Исследование параметров пассивных элементов гибридных интегральных элементов»
Бригада 8 Вариант 1
Выполнил: студент группы Б2
Проверил:
Аринин О. В.
Москва 2024
1. Цель работы.
Ознакомление
с конструктивно-технологическими
особенностями и параметрами пленочных
элементов гибридных интегральных
микросхем (ИС).
2. Расчеты топологии и результаты параметров элементов
Исходные данные: R1 = 20 кОм; ɣR1 = 15%
R2 = 80 кОм; ɣR2 = 20%
R3 = 3 кОм; ɣR3 = 15%
R4 = 20 кОм; ɣR4 = 15%
C1 = 80 пф; ɣC1 = 16%
ΔT = 75°C; Uраб = 10 В; Fраб = 5·106
P1 = 5 мВт; P2 = 1,2 мВт; P3 = 1,2 мВт; P4 = 5 мВт;
tan(δ) = 8·10-2; Δb = 10 мкм; b = 100 мкм
Кермет (ps =3000)
ρs = 3000 Ом/мм
n = R3/3000 = 1
Характеристики сплава
ps = 3000 Ом/□; TKR = 3·10-4 1/град; ɣCT = 0.3; p0 = 20 мВт/мм2; ɣps = 1; Δl = 10 мкм; ɣRT = ΔT·TKR·100= 2.25%
Расчет числа квадратов
ɣnдоп1 = ɣR1 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 11.45% ɣnдоп2 = ɣR2 - ɣps - |ɣRT|- ɣСT = 16.45% ɣnдоп3 = ɣR3 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 11.45% ɣnдоп4 = ɣR4 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 11.45%
n1 = R1/ps = 6.667 - прямоугольный резистор
n2 = R2/ps = 26.667- составной резистор
n3 = R3/ps = 1 - прямоугольный резистор
n4 = R4/ps = 6.667 - прямоугольный резистор
bточн1 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп1⋅100 = 100.437мкм
bточн2 = (Δb+Δl/n2)/ɣnдоп2⋅100 = 63.07мкм
lточн3 = (Δb+Δl⋅n3)/ɣnдоп3⋅100 = 174.672мкм
bточн4 = (Δb+Δl/n4)/ɣnдоп4⋅100 = 100.437мкм
bp1
=
193.649
мкм
bp2
=
47.434
мкм
bp3
=
244.949мкм
bp4
=
193.649мкм
bmin = 100 мкм
Расчитаем ширину с округлением
b1расч = max(bточн1, bp1, bmin) = 200 мкм
b2расч = max(bточн2, bp2, bmin) = 100 мкм
b3расч = max(bточн3, bp3, bmin) = 250 мкм
b4расч = max(bточн4, bp4, bmin) = 200 мкм
Рассчитаем длину с округлением
lрасч1
= n1
bрасч1
= 1340
мкм;
lрасч2 = n2 bрасч2 = 2670 мкм
lрасч2 = n2 bрасч2 = 250 мкм
lрасч4 = n4 bрасч4 = 1340 мкм
Мы выбрали для диэлектрика конденсатора боросиликатное стекло
K3 = 4; ε = 4; tan1(δ) = 1·10-3; Eпр = 3·106 В/см;
C0 = (0.0885·ε)/2·10-4 = 1.77·103 пф;
dm = (К3·Uраб)/Епр = 1.333·10-5 см = 0.133 мкм; q = 0.2;
S = C/(C0) = 0.056 см2;
AB = √S = 2.37 мм = 2370 мкм;
Aн = AB + 2·q = 2.77 мм = 2770 мкм
3.Чертёж топологии см. в Приложении 1
4. Таблица с размерами топологии элементов.
Резисторы
-
R
b
l
R1
200 мкм
1340 мкм
R2
100 мкм
2670 мкм
R3
250 мкм
250 мкм
R4
200 мкм
1340 мкм
Конденсатор
-
S
0.056 см2
A и B
2370 мкм
Aн
2770 мкм