1Ф Вариант Л / окитпэс 1ф (1)
.docxёМИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждения высшего образования
МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ
Кафедра Электроники Отчет по лабораторной работе №1ф По дисциплине «Основы Конструирования и Технологии Производства Электронных средств»
На тему:
«Устройства функциональной электроники поверхностных акустических волнах»
Выполнил студент группы Б2:
Проверил: Аринин О.В.
Москва, 2024
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучения влияния конструкторско-топологических параметров устройства на поверхностных акустических волнах (ПАВ) на его электрические характеристики:
Выбор материала подложки;
Выбор геометрии (топологии) тонкопленочных элементов частотно-избирательных фильтров и согласованных фильтров сложных сигналов.
Освоение методики проектирования пленочных элементов устройств на ПАВ при использовании технологии изготовления интегральных микросхем.
ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ
Записать в отчете название и цель работы.
Изучить теоретическую часть описания лабораторной работы.
Произвести расчет, необходимый для проектирования частотно-избирательного фильтра (ЧИФ).
Начертить топологию ЧИФ.
ХОД РАБОТЫ
Значение по номеру варианта
-
1-ая буква фамилии
Л
10
2,4
50
50
Расчет частотно избирательного фильтра
Определяем относительную полосу пропускания:
Из табл. 3 находим, что оптимальным материалом является ниобат лития имеющий скорость
;
;
.
Определим
:
Период решетки:
Ширина электродов:
Определим длину электродов:
Количество пар электродов во входном ВШП:
Расстояние между входным и выходным ВШП:
Ширина суммирующих шин:
Рассчитать СФ для ФНм СлС с
,
то есть в СФ необходимо иметь 50 отводов
электродов с теми же размерами, что и
в п. 6.
Длительность элементарного импульса ФМн СлС:
=
0,42 мкс
Расстояние между отводами электродов согласованного фильтра:
Общая длина всех отводов электродов ВШП:
ВЫВОД:
В ходе выполненной работы были изучены влияния конструкторско-топологических параметров устройства на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Были рассчитаны параметры ЧИФ, освоена топология проектирования частотно-избирательного фильтра.