1К Бригада 2 Вариант 2 Группа 1 / Лабораторная работа 1к

МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное

государственное бюджетное образовательное

учреждение высшего образования

«Московский технический университет

связи и информатики»

────────────────────────────────────

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2

по дисциплине «ОКиТПЭС»

на тему:

«Исследование параметров пассивных элементов

гибридных интегральных микросхем»

Выполнил: студ. гр. Б1

Проверил: ст. преподаватель

Аринин О. В.

Москва 2024

1. Цель, исходные данные и принципиальная схема для работы

1.1. Цель работы и вариант

Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и параметрами пленочных элементов гибридных интегральных микросхем (ИС).

Бригада 2, Вариант 2

1.2. Исходные данные

Таблица 1 – исходные данные

	R кОм, С пФ	R, C	P	Uраб
	N студ. в бригаде
	1	Отн. ед. (%)	мВт	В
R1	120	0.2 (20%)	0,1
R2	2.5	0.08 (8%)	25
R3	2.5	0.15 (15%)	50
R4	2.5	0.08 (8%)	25
R5	120	0.2 (20%)	0,1
C1	150	0.25 (25%)		15
Диапазон температур
Шаг коорд. сетки 0.01 мм

1.3. Принципиальная электрическая схема

Риc. 1 - принципиальная электрическая схема

2. Расчетная часть

Дано:

Найдем материал для резистивной пленки, n ≥ 1

Сплав РС-3710 (ps = 2000)

n = R4/2000 = 1

Характеристики сплава

ps = 2000 Ом/□; TKR = -0.6·10^-4 1/град; ɣCT = 1; p0 = 40 мВт/мм2; ɣps = 1; Δl = 10 мкм; ɣRT = ΔT·TKR·100= -0.36%

Расчет числа квадратов

ɣnдоп1 = ɣR1 - ɣps - |ɣRT|- ɣСT = 17.52% ɣnдоп2 = ɣR2 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 5.52% ɣnдоп3 = ɣR3 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 12.52% ɣnдоп4 = ɣR4 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 5.52%

ɣnдоп5 = ɣR5 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 17.52%

n1 = R1/ps = 60 - составной резистор

n2 = R2/ps = 1.25 - прямоугольный резистор

n3 = R3/ps = 1.25 - прямоугольный резистор

n4 = R4/ps = 1.25 - прямоугольный резистор

n5 = R5/ps = 60 - составной резистор

bточн1 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп1⋅100 = 58мкм

bточн2 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп2⋅100 = 326мкм

bточн3 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп3⋅100 = 143мкм

bточн4 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп4⋅100 = 326мкм

bточн5 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп5⋅100 = 58мкм

bp1 = 6 мкм

bp2 = 710 мкм

bp3 = 1000 мкм

bp4 = 710 мкм

bp5 = 6 мкм

bmin = 100 мкм

Расчитаем ширину с округлением

b1расч = max(bточн1, bp1, bmin) = 100 мкм

b2расч = max(bточн2, bp2, bmin) = 710 мкм

b3расч = max(bточн3, bp3, bmin) = 1000 мкм

b4расч = max(bточн4, bp4, bmin) = 710 мкм

b5расч = max(bточн5, bp5, bmin) = 100 мкм

Рассчитаем длину с округлением

lрасч1 = n1 bрасч1 = 6000 мкм;

lрасч2 = n2 bрасч2 = 890 мкм

lрасч3 = n3 bрасч3 = 1250 мкм;

lрасч4 = n4 bрасч4 = 890 мкм

lрасч5 = n5 bрасч5 = 6000 мкм;

Мы выбрали для диэлектрика конденсатора материал GeO

K3 = 4; ε = 11; tan1(δ) = 1·10^-3; Eпр = 1·10⁶ В/см;

C0 = (0.0885·ε)/35·10^-5 = 2.781·10³ пф;

dm = (К3·Uраб)/Епр = 6·10^-5 см = 0.6 мкм; q = 0.2 мм;

S = C/(C0) = 0.054 см²;

AB = 10 √S = 2.322 мм;

Aн = AB + 2·q = 2.722 мм

3.Чертёж топологии см. в Приложении 1

4. Таблица с размерами топологии элементов.

Резисторы

R	b	l
R1	100 мкм	6000 мкм
R2	710 мкм	890 мкм
R3	1000 мкм	1250 мкм
R4	710 мкм	890 мкм
R5	100 мкм	6000 мкм

Конденсатор

S	5.4 мм2
A и B	2330 мкм
Aн	2730 мкм