1К Бригада 7 Вариант 1 Группа 1 / 1k

МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное

бюджетное образовательное учреждение

высшего образования

«Московский технический университет связи и информатики»

(МТУСИ)

Кафедра Электроника

Лабораторная работа №1к

по дисциплине «Основы конструирования и технологии производства электронных средств»

по теме:

«Исследование параметров пассивных элементов гибридных интегральных элементов»

Бригада 7 Вариант 1

Выполнил: студент группы Б1

Проверил:

Аринин Олег Вячеславович

Москва 2024

1. Цель работы.

Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и параметрами пленочных элементов гибридных интегральных микросхем (ИС).

2. Расчеты топологии и результаты параметров элементов

Исходные данные: R1 = 50 кОм; ɣR1 = 22%

R2 = 8 кОм; ɣR2 = 13%

R3 = 5 кОм; ɣR3 = 11%

R4 = 2 кОм; ɣR4 = 8%

C1 = 2000 пф; ɣC1 = 15%

ΔT = 60°C; Uраб = 9 В; Fраб = 5·10⁶

P1 = 0.1 мВт; P2 = 2.5 мВт; P3 = 0.2 мВт; P4 = 10 мВт;

tan(δ) = 8·10^-2; Δb = 10 мкм; b = 100 мкм Найдем материал для резистивной пленки, n ≥ 1

Сплав РС-3710 (ps =2000)

ρs = 2000, Ом/мм

n = R4/2000 = 1

Характеристики сплава

ps = 2000 Ом/□; TKR = -0.6·10^-4 1/град; ɣCT = 1; p0 = 40 мВт/мм2; ɣps = 1; Δl = 10 мкм; ɣRT = ΔT·TKR·100= -0.36%

Расчет числа квадратов

ɣnдоп1 = ɣR1 - ɣps + ɣRT - ɣСT = 19.94% ɣnдоп2 = ɣR2 - ɣps + ɣRT - ɣСT = 10.64% ɣnдоп3 = ɣR3 - ɣps + ɣRT - ɣСT = 8.64% ɣnдоп4 = ɣR4 - ɣps + ɣRT - ɣСT = 5.64%

n1 = R1/ps = 25 - составной резистор

n2 = R2/ps = 4 - прямоугольный резистор

n3 = R3/ps = 2.5 - прямоугольный резистор

n4 = R4/ps = 1 - прямоугольный резистор

bточн1 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп1⋅100 = 52.953 мкм

bточн2 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп2⋅100 = 117.481 мкм

bточн3 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп3⋅100 = 167.037 мкм

bточн4 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп4⋅100 = 354.61 мкм

bp1 = 10 мкм

bp2 = 125 мкм

bp3 = 44.721 мкм

bp4 = 500 мкм

bmin = 100 мкм

Расчитаем ширину с округлением

b1расч = max(bточн1, bp1, bmin) = 100 мкм

b2расч = max(bточн2, bp2, bmin) = 130 мкм

b3расч = max(bточн3, bp3, bmin) = 160 мкм

b4расч = max(bточн4, bp4, bmin) = 500 мкм

Рассчитаем длину с округлением

lрасч1 = n1 bрасч1 = 2500 мкм;

lрасч2 = n2 bрасч2 = 520 мкм

lрасч3 = n3 bрасч3 = 400 мкм;

lрасч4 = n4 bрасч4 = 500 мкм

Мы выбрали для диэлектрика конденсатора материал GeO

K3 = 4; ε = 11; tan1(δ) = 1·10^-3; Eпр = 1·10⁶ В/см;

C0 = (0.0885·ε)/5·10^-5 = 1.947·10⁴ пф;

dm = (К3·Uраб)/Епр = 3.6·10^-5 см = 0.36 мкм; q = 0.2;

S = C/(C0) = 0.103 см²;

AB = √S = 3.200 мм = 3200 мкм;

Aн = AB + 2·q = 3.6 мм = 3600 мкм

4. Таблица с размерами топологии элементов.

Резисторы

R	b	l
R1	100 мкм	2500 мкм
R2	130 мкм	520 мкм
R3	160 мкм	400 мкм
R4	500 мкм	500 мкм

Конденсатор

S	0.103 см2
A и B	3200 мкм
Aн	3600 мкм