
1К Бригада 4 Вариант 2 Группа 2 / Lab1k
.docxМИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное
бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«Московский технический университет связи и информатики»
(МТУСИ)
Кафедра Электроника
ЧИТАЙТЕ МЕТОДУ
Лабораторная работа №1к
по дисциплине «Основы конструирования и технологии производства электронных средств»
по теме:
«Исследование параметров пассивных элементов гибридных интегральных элементов»
Бригада 4 Вариант 2
Выполнил: студент группы Б……2
Проверил:
Ассистент каф. Электроника
Аринин Олег Вячеславович
Москва 2024
1. Цель работы.
Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и параметрами пленочных элементов гибридных интегральных микросхем (ИС).
2. Расчеты топологии и результаты параметров элементов
Исходные данные: R1 = 260 кОм; ɣR1 = 25%
R2 = 10 кОм; ɣR2 = 8%
R3 = 8 кОм; ɣR3 = 12%
R4 = 20 кОм; ɣR4 = 15%
C1 = 500 пф; ɣC1 = 15%
ΔT = 70°C; Uраб = 6 В; Fраб = 5·106
P1 = 0.2 мВт; P2 = 5 мВт; P3 = 4 мВт; P4 = 12 мВт;
tan(δ) = 8·10-2; Δb = 10 мкм; b = 100 мкм Найдем материал для резистивной пленки, n ≥ 1
Кермет (ps = 5000)
ρs = 5000, Ом/мм
n = R3/5000 = 1.6
Характеристики сплава
ps = 5000 Ом/□; TKR = -4·10-4 1/град; ɣCT = 0.3; p0 = 20 мВт/мм2; ɣps = 1; Δl = 10 мкм; ɣRT = ΔT·TKR·100= -2.8%
Расчет числа квадратов
ɣnдоп1 = ɣR1 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 20.9% ɣnдоп2 = ɣR2 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 3.9% ɣnдоп3 = ɣR3 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 7.9% ɣnдоп4 = ɣR4 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 10.9%
n1 = R1/ps = 52 - составной резистор
n2 = R2/ps = 2 - прямоугольный резистор
n3 = R3/ps = 1.6 - прямоугольный резистор
n4 = R4/ps = 4 - прямоугольный резистор
bточн1 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп1⋅100 = 48.767 мкм
bточн2 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп2⋅100 = 384.615 мкм
bточн3 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп3⋅100 = 205.696 мкм
bточн4 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп4⋅100 = 114.679 мкм
bp1
=
13.868 мкм
bp2
=
353.553 мкм
bp3
=
353.553 мкм
bp4
=
387.298 мкм
bmin = 100 мкм
Расчитаем ширину с округлением
b1расч = max(bточн1, bp1, bmin) = 100 мкм
b2расч = max(bточн2, bp2, bmin) = 390 мкм
b3расч = max(bточн3, bp3, bmin) = 360 мкм
b4расч = max(bточн4, bp4, bmin) = 390 мкм
Рассчитаем длину с округлением
lрасч1
= n1
bрасч1
= 5200
мкм;
lрасч2 = n2 bрасч2 = 780 мкм
lрасч3 = n3 bрасч3 = 580 мкм;
lрасч4 = n4 bрасч4 = 1560 мкм
Мы выбрали для диэлектрика конденсатора материал GeO
K3 = 4; ε = 11; tan1(δ) = 1·10-3; Eпр = 1·106 В/см;
C0 = (0.0885·ε)/5·10-5 = 9.735·103 пф;
dm = (К3·Uраб)/Епр = 2.4·10-5 см = 0.24 мкм; q = 0.2;
S = C/(C0) = 0.51 см2;
AB = √S = 2.266 мм = 2.270 мкм;
Aн = AB + 2·q = 2.666 мм = 2670 мкм
3.Чертёж топологии см. в Приложении 1
4. Таблица с размерами топологии элементов.
Резисторы
-
R
b
l
R1
100 мкм
5200 мкм
R2
390 мкм
780 мкм
R3
360 мкм
580 мкм
R4
390 мкм
1560 мкм
Конденсатор
-
S
0.51 см2
A и B
2270 мкм
Aн
2670 мкм