Добавил:
2202 2050 2250 3772 Сб Песня посвящается героическим защитникам курсовой по ЦСП в апреле 2025 года Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
6
Добавлен:
08.01.2025
Размер:
20.47 Кб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное

бюджетное образовательное учреждение

высшего образования

«Московский технический университет связи и информатики»

(МТУСИ)

Кафедра Электроника

ЧИТАЙТЕ МЕТОДУ

Лабораторная работа №1к

по дисциплине «Основы конструирования и технологии производства электронных средств»

по теме:

«Исследование параметров пассивных элементов гибридных интегральных элементов»

Бригада 4 Вариант 2

Выполнил: студент группы Б……2

Проверил:

Ассистент каф. Электроника

Аринин Олег Вячеславович

Москва 2024

1. Цель работы.

Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и параметрами пленочных элементов гибридных интегральных микросхем (ИС).

2. Расчеты топологии и результаты параметров элементов

Исходные данные: R1 = 260 кОм; ɣR1 = 25%

R2 = 10 кОм; ɣR2 = 8%

R3 = 8 кОм; ɣR3 = 12%

R4 = 20 кОм; ɣR4 = 15%

C1 = 500 пф; ɣC1 = 15%

ΔT = 70°C; Uраб = 6 В; Fраб = 5·106

P1 = 0.2 мВт; P2 = 5 мВт; P3 = 4 мВт; P4 = 12 мВт;

tan(δ) = 8·10-2; Δb = 10 мкм; b = 100 мкм Найдем материал для резистивной пленки, n ≥ 1

Кермет (ps = 5000)

ρs = 5000, Ом/мм

n = R3/5000 = 1.6

Характеристики сплава

ps = 5000 Ом/□; TKR = -4·10-4 1/град; ɣCT = 0.3; p0 = 20 мВт/мм2; ɣps = 1; Δl = 10 мкм; ɣRT = ΔT·TKR·100= -2.8%

Расчет числа квадратов

ɣnдоп1 = ɣR1 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 20.9% ɣnдоп2 = ɣR2 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 3.9% ɣnдоп3 = ɣR3 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 7.9% ɣnдоп4 = ɣR4 - ɣps - |ɣRT| - ɣСT = 10.9%

n1 = R1/ps = 52 - составной резистор

n2 = R2/ps = 2 - прямоугольный резистор

n3 = R3/ps = 1.6 - прямоугольный резистор

n4 = R4/ps = 4 - прямоугольный резистор

bточн1 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп1⋅100 = 48.767 мкм

bточн2 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп2⋅100 = 384.615 мкм

bточн3 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп3⋅100 = 205.696 мкм

bточн4 = (Δb+Δl/n1)/ɣnдоп4⋅100 = 114.679 мкм

bp1 = 13.868 мкм

bp2 = 353.553 мкм

bp3 = 353.553 мкм

bp4 = 387.298 мкм

bmin = 100 мкм

Расчитаем ширину с округлением

b1расч = max(bточн1, bp1, bmin) = 100 мкм

b2расч = max(bточн2, bp2, bmin) = 390 мкм

b3расч = max(bточн3, bp3, bmin) = 360 мкм

b4расч = max(bточн4, bp4, bmin) = 390 мкм

Рассчитаем длину с округлением

lрасч1 = n1 bрасч1 = 5200 мкм;

lрасч2 = n2 bрасч2 = 780 мкм

lрасч3 = n3 bрасч3 = 580 мкм;

lрасч4 = n4 bрасч4 = 1560 мкм

Мы выбрали для диэлектрика конденсатора материал GeO

K3 = 4; ε = 11; tan1(δ) = 1·10-3; Eпр = 1·106 В/см;

C0 = (0.0885·ε)/5·10-5 = 9.735·103 пф;

dm = (К3·Uраб)/Епр = 2.4·10-5 см = 0.24 мкм; q = 0.2;

S = C/(C0) = 0.51 см2;

AB = √S = 2.266 мм = 2.270 мкм;

Aн = AB + 2·q = 2.666 мм = 2670 мкм

3.Чертёж топологии см. в Приложении 1

4. Таблица с размерами топологии элементов.

Резисторы

R

b

l

R1

100 мкм

5200 мкм

R2

390 мкм

780 мкм

R3

360 мкм

580 мкм

R4

390 мкм

1560 мкм

Конденсатор

S

0.51 см2

A и B

2270 мкм

2670 мкм

Соседние файлы в папке 1К Бригада 4 Вариант 2 Группа 2
  • #
    08.01.2025459.98 Кб52 лаба (1).xmcd
  • #
    08.01.202520.47 Кб6Lab1k.docx
  • #
    08.01.202584.11 Кб21Чертеж.cdw