ОПТЛР4

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МНЭ

отчет

по лабораторной работе № 4

по дисциплине «Основы планарной технологии»

Тема: Получение топологии слоев металлов методами фотолитографии и жидкостного травления

Студенты гр.1205 __________________ Дюкарев Д.А.

__________________ Атуев И.З.

__________________ Новицкий А.Н.

Преподаватель __________________ Мазинг Д.С.

Санкт-Петербург

2024

1. Основные операции фотолитографии в порядке их проведения:

Подготовка поверхности пластины.

Нанесение фоторезиста.

Первая сушка фоторезиста.

Совмещение и экспонирование.

Проявление изображения.

Задубливание.

Травление через фоторезистивную маску.

Удаление фоторезиста.

2. Основные требования, предъявляемые к фоторезистам:

Высокая разрешающая способность.

Стойкость к травителям.

Однородность слоя и минимальное количество дефектов.

Хорошая адгезия к поверхности подложки.

3. От чего зависит качество передачи элементов рисунка фотошаблона на слой фоторезиста: Качество передачи рисунка зависит от оптической плотности и резкости границ элементов фотошаблона, коэффициента отражения металлизированных участков, правильного подбора времени экспонирования, толщины фоторезиста, а также от его светочувствительности.

4. Смысл операции предэкспозиционной сушки и операции задубливания:

Предэкспозиционная сушка обеспечивает однородность пленки фоторезиста и улучшает его адгезию к подложке за счет удаления остатков растворителя, что положительно влияет на результаты экспонирования.

Задубливание (вторая сушка) проводится при более высокой температуре для повышения стойкости фоторезиста к травителям и улучшения адгезии, что также устраняет дефекты и делает слой более прочным.

5. Основные технологические параметры, оказывающие влияние на процесс жидкостного травления:

• Тип и концентрация травителя.

• Температура раствора.

• Время травления.

• Толщина материала и качество фоторезистивной маски.