
ЛР5
.docx
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Кафедра МНЭ
отчет
по лабораторной работе №5
по дисциплине «Микро- и наноэлектроника»
Тема: Исследование свойств полевых транзисторов
Студент гр. |
|
|
Преподаватель |
|
|
Санкт-Петербург
2024
Ucи, В
1. Выходная характеристика полевого n-канального транзистора.
Соберём схему для исследования выходной хар-ки в программе PSpice.
Рисунок 1 – Схема для исследования выходной характеристики полевого n-канального транзистора
Построим выходные характеристики полевого n-канального транзистора:
Iс, мА
Ucи, В
Рисунок 2 – Выходная характеристика полевого n-канального транзистора
Iс, мА
Ucи, В
Рисунок 3 – Выходные хар-ки полевого n-канального транзистора различных Uз
Зелёная Uз=0 В; красная Uз=1 В; синяя Uз=2 В; розовая Uз=3В; жёлтая Uз=4 В.
2. Температурная зависимость выходной характеристики.
Iс, мА
Ucи, В
Рисунок 4 –Выходная хар-ка для различных T
Зелёная -60°C; красная 27°C; синяя 125°C.
3. Передаточная характеристика n-канального транзистора.
Iс, мА
-Uзи, В
Рисунок 5 – Передаточная характеристика полевого n-канального транзистора для двух Uс
Зелёная Uс=1 В: красная Uс=20 В.
Вывод: В ходе выполнения работы были исследованы свойства полевых транзисторов. Было произведено моделирование выходной характеристики полевого n-канального транзистора. Полученная зависимость отражена на рис. 2, на котором видно, что область p-n перехода увеличивается при увеличении напряжения, а ток стока уменьшается.
В П.2 была построена температурная зависимость (рис. 4) выходной характеристики полевого n-канального транзистора. При росте температуры выходная характеристика уменьшается, это объясняется тем, что подвижность носителей заряда падает и как следствие падает ток стока.
Далее была построена передаточная характеристика n-канального транзистора, результат отражён на рис. 5, где видно, что при напряжении 3В канал перекрывается и ток стока становится равен нулю из-за роста объёмного заряда.