Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ЛР5

.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
22.12.2024
Размер:
612.91 Кб
Скачать

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МНЭ

отчет

по лабораторной работе №5

по дисциплине «Микро- и наноэлектроника»

Тема: Исследование свойств полевых транзисторов

Студент гр.

Преподаватель

Санкт-Петербург

2024

Ucи, В

Цель работы: исследование свойств полевых транзисторов.

1. Выходная характеристика полевого n-канального транзистора.

Соберём схему для исследования выходной хар-ки в программе PSpice.

Рисунок 1 – Схема для исследования выходной характеристики полевого n-канального транзистора

Построим выходные характеристики полевого n-канального транзистора:

Iс, мА

Ucи, В

Рисунок 2 – Выходная характеристика полевого n-канального транзистора

Iс, мА

Ucи, В

Рисунок 3 – Выходные хар-ки полевого n-канального транзистора различных Uз

Зелёная Uз=0 В; красная Uз=1 В; синяя Uз=2 В; розовая Uз=3В; жёлтая Uз=4 В.

2. Температурная зависимость выходной характеристики.

Iс, мА

Ucи, В

Рисунок 4 –Выходная хар-ка для различных T

Зелёная -60°C; красная 27°C; синяя 125°C.

3. Передаточная характеристика n-канального транзистора.

Iс, мА

-Uзи, В

Рисунок 5 – Передаточная характеристика полевого n-канального транзистора для двух Uс

Зелёная Uс=1 В: красная Uс=20 В.

Вывод: В ходе выполнения работы были исследованы свойства полевых транзисторов. Было произведено моделирование выходной характеристики полевого n-канального транзистора. Полученная зависимость отражена на рис. 2, на котором видно, что область p-n перехода увеличивается при увеличении напряжения, а ток стока уменьшается.

В П.2 была построена температурная зависимость (рис. 4) выходной характеристики полевого n-канального транзистора. При росте температуры выходная характеристика уменьшается, это объясняется тем, что подвижность носителей заряда падает и как следствие падает ток стока.

Далее была построена передаточная характеристика n-канального транзистора, результат отражён на рис. 5, где видно, что при напряжении 3В канал перекрывается и ток стока становится равен нулю из-за роста объёмного заряда.

Соседние файлы в предмете Микро - и наноэлектроника