ЛР1

_{МИНОБРНАУКИ РОССИИ}

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МНЭ

отчет

по лабораторной работе №1

по дисциплине «МНЭ»

Тема: Исследование характеристик полупроводниковых диодов

Студенты гр.
Преподаватель

Санкт-Петербург

2024

1. Моделирование прямой ВАХ диода

Составляем схему. В схеме используются следующие элементы: диод D1N4002,

источник тока IDC, земля GNG_Analog.

Рисунок 1. Схема для исследования ВАХ диода D1N4002

Для проведения анализа выберем DC sweep

Рисунок 2. параметры для построения ВАХ и для температурного анализа.

Получим следующие графики:

Рисунок 3. ВАХ диода при прямом включении, где Т = -60°С Т = 25°С

Т =125°С

2. Моделирование обратной ВАХ диода.

Для исследования обратной ВАХ диода заменим источник тока на источник напряжения.

Рисунок 4. Схема для исследования обратной ВАХ диода.

Р исунок 5. ВАХ диода при обратном включении для Т_комн.

Рисунок 6. ВАХ диода при обратном включении, где Т = -60°С Т = 25°С Т = 125°С

Вывод : В результате проведённой лабораторной работы были изучены вольт-амперные характеристики (ВАХ) полупроводникового диода при различных температурах и режимах включения. Экспериментально установлено, что при прямом смещении происходит резкое увеличение тока с ростом приложенного напряжения, что объясняется процессом инжекции неосновных носителей заряда в область проводимости. Такой рост обусловлен экспоненциальной зависимостью прямого тока от напряжения, свойственной полупроводниковым переходам. Повышение температуры влечёт за собой более ранний рост тока с увеличением напряжения. При обратном смещении до момента достижения пробойного напряжения ток остаётся практически постоянным, демонстрируя высокое сопротивление перехода, что характерно для диодов. Это указывает на надёжное запирающее действие диода в обратном режиме и подтверждает его эффективность как выпрямительного устройства.