Лр7

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

«ЛЭТИ» ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)

ОТЧЕТ по лабораторной работе № 7

по дисциплине «Конструкторско-технологические основы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем»

Тема: «Учёт влияния технологических разбросов параметров радиокомпонентов на параметры моделируемого устройства»

Санкт-Петербург

2024

Цель работы: учёт влияния технологических разбросов параметров радиокомпонентов на параметры моделируемого устройства.

ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

1. Метод Монте-Карло Соберем схему:

Рисунок 1 — схема датчика давления.

Запустим анализ Монте-Карло

Рисунок 2 — анализ методом Монте-Карло (зависимость Imeter(P)).

1

2. Построение гистограмм по результатам Монте-Карло Соберем схему активного фильтра Чебышева четвертого порядка

Рисунок 3 — фильтр Чебышева четвертого порядка

Проведя анализ Монте-Карло, построим гистограмму

Рисунок 4 — гистограмма для полосы пропускания при неравномерности 1 dB.

2

3. Расчёт чувствительности и наихудшего случая Построим схему дифференциального усилителя:

Рисунок 5 — схема дифференциального усилителя

Проведя анализ worst-case/sensitivity:

Рисунок 6 — графический результат анализа

3

4. Графический анализ результатов моделирования

Оценим устойчивость дифференциального усилителя, находящегося в папке Orcad/Pspice/Capture_Samples/anasim/example

Рисунок 7 — результаты моделирования диаграммы Найквиста для диапазона частот от 1 Гц до 10 ГГц

Рисунок 8 - схема фильтра на реальном операционном усилителе

Вычислим среднее геометрическое двух параметров для режима моделирования Transient

Рисунок 9 — новый шаблон окна графика

Вывод: в ходе выполнения лабораторной работы был исследован метод Монте-Карло, с помощью которого учтены влияния технологических разбросов параметров радиокомпонентов на параметры моделируемого устройства.

4