
Лр7
.docxМИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
отчет
по лабораторной работе № 7
по дисциплине «Конструкторско-технологические основы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем»
Тема: «Учёт влияния технологических разбросов параметров радиокомпонентов на параметры моделируемого устройства»
Студенты гр. 1205 |
|
Атуев И.З. Дюкарев Д.А. Новицкий А.Н. |
Преподаватель |
|
Садовая И.М |
Санкт-Петербург
2024
Цель работы: учёт влияния технологических разбросов параметров радиокомпонентов на параметры моделируемого устройства.
ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ
1. Метод Монте-Карло
Соберем схему:
Р
исунок
1 — схема
датчика давления.
Запустим анализ Монте-Карло
Р
исунок
2 — анализ методом Монте-Карло (зависимость
Imeter(P)).
2. Построение гистограмм по результатам Монте-Карло
Соберем схему активного фильтра Чебышева четвертого порядка
Р
исунок
3 — фильтр
Чебышева четвертого порядка
Проведя анализ Монте-Карло, построим гистограмму
Р
исунок
4 — гистограмма
для полосы пропускания при неравномерности
1 dB.
3. Расчёт чувствительности и наихудшего случая
Построим схему дифференциального усилителя:
Р
исунок
5 — схема дифференциального усилителя
Проведя анализ worst-case/sensitivity:
Р
исунок
6 — графический
результат анализа
4. Графический анализ результатов моделирования
Оценим устойчивость дифференциального усилителя, находящегося в папке Orcad/Pspice/Capture_Samples/anasim/example
Р
исунок
7 — результаты
моделирования диаграммы Найквиста для
диапазона частот от 1 Гц до 10 ГГц
Рисунок 8 - схема фильтра на реальном операционном усилителе
Вычислим среднее геометрическое двух параметров для режима моделирования Transient
Р
исунок
9 — новый шаблон окна графика
Вывод: в ходе выполнения лабораторной работы был исследован метод Монте-Карло, с помощью которого учтены влияния технологических разбросов параметров радиокомпонентов на параметры моделируемого устройства.